CoolSiC™混合单管
综述
碳化硅(SiC)二极管和晶体管是先进而创新的电力电子器件的关键元件。
SiC二极管与Si IGBT结合使用，有利于扩展IGBT技术的能力，使得混合功率开关器件可以达到更高的效率水平。CoolSiC™混合单管的性价比介于纯 Si IGBT和高性能的全SiC MOSFET设计之间。
- CoolSiC™混合单管: 现有的设计可被快速即插即用地升级为更高效率，一般而言： 每10kHz的效率提高0.1%，即工作频率为23kHz时的效率提高0.23%
- CoolSiC™混合模块: 构成纯Si解决方案和全SiC解决方案之间的理想桥梁。结合使用IGBT与SiC二极管，可进一步拓展IGBT技术的能力。
CoolSiC™混合单管 子类别
产品
亮点
能与SiC MOSFET相媲美的超低开关损耗
CoolSiC™混合单管由于反并联SiC二极管，可大幅减少开关损耗，同时dv/dt和 di/dt值几乎不变。4脚开尔文-发射极封装的超快速IGBT，虽进一步降低开关损耗，但dv/dt或di/dt值变大，导致EMC特性变差。快速IGBT TRENCHSTOP™ 5 650 V S5或超快速IGBT TRENCHSTOP™ 5 650 V H5，与第六代SiC二极管组合在4引脚 TO-247 封装中。除了单管，我们还提供性能一流、12mm高的无基板Easy模块，它是将我们最新的TRENCHSTOP™技术 S7 和 H5 与 CoolSiC™ 肖特基二极管封装在一起。
| 特征描述 | 优势 |
| 开关损耗大幅降低，效率可媲美SiC MOS | 结温降低 |
| 开关频率提高 | |
| 替代SiC MOSFET的更经济、“更安全”的选择 | 有竞争力的BOM，同时保持高系统效率 |
| 即插即用地替换已有的IGBT解决方案 | 每10 kHz开关频率的效率约提高0.1% |
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