CoolSiC™ 肖特基二极管-英飞凌(Infineon)官网

综述

提高效率,降低解决方案成本

英飞凌是全球首个碳化硅分立电源供应商。凭借丰富的市场经验，英飞凌能够提供业界领先的高可靠碳化硅性能。碳化硅材料与硅材料的特性差异限制了100V-150V实际硅单极二极管（肖特基二极管）的制造，导通电阻和漏电流相对较高。在碳化硅材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。英飞凌碳化硅产品系列覆盖 600V 和 650V 到 1200V 的肖特基二极管。

相关信息

产品
亮点
特性 优点 优势 应用
  • 无反向恢复电荷
  • 纯电容式开关
  • 高工作温度（Tj，最高可达175°C）
  • 低关断损耗
  • 降低 CoolMOS™或 IGBT 导通损耗
  • 开关损耗与负载电流、开关速度、温度无关
  • 与硅二极管相比，系统效率得到提高
  • 降低冷却要求
  • 提供更高的频率/功率密度
  • 由于运行温度较低，系统可靠性更高
  • 降低 EMI

 

碳化硅肖特基二极管与Si pin二极管的反向恢复电荷

该器件的大多数载流子特性表明了无反向恢复电荷存在，开关损耗仅来源于电容性质的微小位移电荷。在相同电压范围内，硅器件由于具有双极型元件所以开关损耗更高。该图显示了各种 600V 器件之间的比较。

提高系统效率（CCM模式、满载模式、低压线路模式下的PFC）

碳化硅二极管的快速开关特性在系统层面带来了明显的效率提升。碳化硅器件和高端硅器件之间的性能差距随着工作频率的增加而增加。

PFC的系统解决方案

CCM PFC Power [W] CoolMOS™ R DS(on) [mΩ] CoolSiC™ 二极管 I F [A]
服务器 电信 服务器和电信
500 1 x 90 1 x 190 1 x (4~6)
750 1 x 99/2 x 190 2 x 190 1 x (6~8)
1200 2 x (70~99)   1 x (8~10)
2000   2 x 99 2 x (6~8)/1 x (12~16)
2700 3 x (41~80)   2 x (8~10)/1 x (16~20)
3000   2 x 65/1 x 19 2 x (8~10)/1 x (16~20)
  • RDS (on)取决于目标效率水平、开关频率和热管理
  • 碳化硅二极管电流电平取决于开关频率、电流限制和热管理

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