SiC(シリコンカーバイド)

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SiCデバイスはいわゆるワイドバンドギャップ半導体グループに属しており、一般的に使われているシリコン(Si)と比べると、SiCは高電圧パワー半導体に最適な多くの特性を備えています。特に、非常に高い破壊電界強度と熱伝導性を備えたSiCを用いると、Siを用いるよりもはるかに優れたデバイスを製造でき、他の方法では達成できない優れた効率性を実現できます。



CoolSiC™ MOSFETの詳細はこちらをご覧ください。

豊富な経験と互換性ノウハウに基づいて、インフィニオンはこれまでにない全く新しい製品設計を実現する画期的なSiCテクノロジーを導入します。このCoolSiC1200V MOSFETは業界の最先端を行くインフィニオンのソリューションであり、実際の設計にこれまでは実現ができなかった新たなレベルの効率と電力密度をもたらします。CoolSiCMOSFETは最高の性能と信頼性、安全性、使いやすさを兼ね備えた、太陽光発電や無停電電源装置(UPS)、工業用駆動装置などのアプリケーションに最適なソリューションです。

 

CoolSiC™

 

 

CoolSiC- パワー半導体の未来

SiCベースのパワー半導体ソリューション導入件数はここ数年大きな伸びを示しており、これは革命とも言えるものです。省エネや省スペース、システム統合、信頼性の改善などのトレンドが、こうしたSiC市場の発展を後押ししています。シリコンを用いた高速なスイッチとSiCダイオードの組み合わせは通常「ハイブリッド」ソリューションと呼ばれます。ここ数年間にインフィニオンが生産したハイブリッドモジュールは数百万個に及び、お客様のさまざまな製品に組み入れられています。

 

ユニポーラSiCトランジスタを使用するとコンバータのスイッチング周波数を高くできるため、磁気コンポーネントの大きさと重さが劇的に小さくなります。インフィニオンが行った分析によると、SiCデバイスを採用したコンバータは現行のSiベースのソリューションと比べると大きさが3分の1、重量が25%になります。大きさと重さを大幅に抑えることで、システムコストも20%以上削減できます。

 


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検索結果: 86                  
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D2PAK (TO-263)
IDB06S60C  

IDB06S60CATMA2

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1.78
CoolSiC™ 2G
600.0 V
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D2PAK (TO-263)
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2.97
CoolSiC™ 2G
600.0 V
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D2PAK (TO-263)
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D2PAK real 2pin
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 5G
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1.07
CoolSiC™ 5G
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1.29
CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 3G
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1.11
CoolSiC™ 2G
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CoolSiC™ 5G
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CoolSiC™ 2G
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1.19
CoolSiC™ 3G
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5.0 A
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1.38
CoolSiC™ 2G
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5.0 A
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1.07
CoolSiC™ 5G
650.0 V
5.0 A
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2.39
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
5.0 A
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24.0 nC
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1.43
CoolSiC™ 3G
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6.0 A
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1.67
CoolSiC™ 2G
600.0 V
6.0 A
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15.0 nC
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49.0 A
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1.29
CoolSiC™ 5G
650.0 V
6.0 A
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54.0 A
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CoolSiC™ 2G
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TO-220 real 2pin
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380.0 pF
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1.9
CoolSiC™ 3G
600.0 V
8.0 A
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12.0 nC
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42.0 A
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2.23
CoolSiC™ 2G
600.0 V
8.0 A
1.5 V
19.0 nC
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59.0 A
1.0 µA
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1.72
CoolSiC™ 5G
650.0 V
8.0 A
1.5 V
13.0 nC
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3.37
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
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2.14
CoolSiC™ 3G
600.0 V
9.0 A
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15.0 nC
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1.93
CoolSiC™ 5G
650.0 V
9.0 A
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14.0 nC
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2.38
CoolSiC™ 3G
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2.78
CoolSiC™ 2G
600.0 V
10.0 A
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2.15
CoolSiC™ 5G
650.0 V
10.0 A
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4.25
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
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2.85
CoolSiC™ 3G
600.0 V
12.0 A
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59.0 A
1.0 µA
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3.31
CoolSiC™ 2G
600.0 V
12.0 A
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2.69
CoolSiC™ 5G
650.0 V
12.0 A
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IDH15S120     10.16
CoolSiC™ 2G
1200.0 V
15.0 A
1.65 V
54.0 nC
TO-220 real 2pin
78.0 A
15.0 µA
750.0 pF
IDH16S60C  

IDH16S60CAKSA1

not for new design

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4.42
CoolSiC™ 2G
600.0 V
16.0 A
1.5 V
38.0 nC
TO-220 real 2pin
118.0 A
2.0 µA
650.0 pF
IDH16G65C5  

IDH16G65C5XKSA1

IDH16G65C5XKSA2

discontinued

active and preferred

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3.43
CoolSiC™ 5G
650.0 V
16.0 A
1.5 V
23.0 nC
TO-220 real 2pin
124.0 A
0.85 µA
470.0 pF
IDH16G120C5  

IDH16G120C5XKSA1

active and preferred

 

 
6.64
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
16.0 A
1.65 V
57.0 nC
TO-220 real 2pin
140.0 A
5.5 µA
730.0 pF
IDH20G65C5  

IDH20G65C5XKSA1

IDH20G65C5XKSA2

discontinued

active and preferred

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4.29
CoolSiC™ 5G
650.0 V
20.0 A
1.5 V
29.0 nC
TO-220 real 2pin
142.0 A
1.1 µA
590.0 pF
IDH20G120C5  

IDH20G120C5XKSA1

active and preferred

 

 
8.8
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
20.0 A
1.5 V
82.0 nC
TO-220 real 2pin
198.0 A
8.5 µA
1050.0 pF
TO-247
IDW10S120     5.93
CoolSiC™ 2G
1200.0 V
10.0 A
1.5 V
36.0 nC
TO-247
53.0 A
5.0 µA
580.0 pF
IDW10G65C5  

IDW10G65C5FKSA1

IDW10G65C5XKSA1

discontinued

coming soon

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2.31
CoolSiC™ 5G
650.0 V
10.0 A
1.5 V
15.0 nC
TO-247
58.0 A
0.5 µA
300.0 pF
IDW10G120C5B  

IDW10G120C5BFKSA1

active and preferred

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4.65
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
10.0 A
1.4 V
57.0 nC
TO-247
140.0 A
6.0 µA
730.0 pF
IDW20G65C5B  

IDW20G65C5BXKSA1

IDW20G65C5BXKSA2

discontinued

active and preferred

 

 

 
4.45
CoolSiC™ 5G
650.0 V
10.0 A
1.5 V
15.0 nC
TO-247
58.0 A
0.5 µA
300.0 pF
IDW12G65C5  

IDW12G65C5FKSA1

IDW12G65C5XKSA1

discontinued

coming soon

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2.74
CoolSiC™ 5G
650.0 V
12.0 A
1.5 V
18.0 nC
TO-247
71.0 A
0.6 µA
360.0 pF
IDW24G65C5B  

IDW24G65C5BXKSA1

IDW24G65C5BXKSA2

discontinued

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5.25
CoolSiC™ 5G
650.0 V
12.0 A
1.5 V
18.0 nC
TO-247
71.0 A
0.6 µA
360.0 pF
IDW15S120     8.75
CoolSiC™ 2G
1200.0 V
15.0 A
1.5 V
55.0 nC
TO-247
73.0 A
15.0 µA
870.0 pF
IDW15G120C5B  

IDW15G120C5BFKSA1

active and preferred

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6.83
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
15.0 A
1.4 V
82.0 nC
TO-247
170.0 A
8.0 µA
1050.0 pF
IDW16G65C5  

IDW16G65C5FKSA1

IDW16G65C5XKSA1

discontinued

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3.6
CoolSiC™ 5G
650.0 V
16.0 A
1.5 V
23.0 nC
TO-247
95.0 A
0.8 µA
470.0 pF
IDW32G65C5B  

IDW32G65C5BXKSA1

IDW32G65C5BXKSA2

discontinued

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7.01
CoolSiC™ 5G
650.0 V
16.0 A
1.5 V
23.0 nC
TO-247
95.0 A
0.8 µA
470.0 pF
IDW20S120     11.7
CoolSiC™ 2G
1200.0 V
20.0 A
1.5 V
72.0 nC
TO-247
106.0 A
10.0 µA
1160.0 pF
IDW20G65C5  

IDW20G65C5FKSA1

IDW20G65C5XKSA1

discontinued

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4.46
CoolSiC™ 5G
650.0 V
20.0 A
1.5 V
29.0 nC
TO-247
103.0 A
1.1 µA
590.0 pF
IDW20G120C5B  

IDW20G120C5BFKSA1

active and preferred

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8.88
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
20.0 A
1.4 V
106.0 nC
TO-247
190.0 A
12.0 µA
1368.0 pF
IDW40G65C5B  

IDW40G65C5BXKSA1

IDW40G65C5BXKSA2

discontinued

active and preferred

 

 

 
8.75
CoolSiC™ 5G
650.0 V
20.0 A
1.5 V
29.0 nC
TO-247
103.0 A
1.1 µA
590.0 pF
IDW30S120  

IDW30S120FKSA1

discontinued

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17.55
CoolSiC™ 2G
1200.0 V
30.0 A
1.5 V
110.0 nC
TO-247
146.0 A
30.0 µA
1740.0 pF
IDW30G65C5  

IDW30G65C5FKSA1

IDW30G65C5XKSA1

discontinued

active and preferred

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6.6
CoolSiC™ 5G
650.0 V
30.0 A
1.5 V
42.0 nC
TO-247
165.0 A
1.6 µA
860.0 pF
IDW30G120C5B  

IDW30G120C5BFKSA1

active and preferred

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13.32
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
30.0 A
1.4 V
154.0 nC
TO-247
240.0 A
17.0 µA
1980.0 pF
IDW40G65C5  

IDW40G65C5FKSA1

IDW40G65C5XKSA1

discontinued

active and preferred

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8.75
CoolSiC™ 5G
650.0 V
40.0 A
1.5 V
55.0 nC
TO-247
182.0 A
2.2 µA
1140.0 pF
IDW40G120C5B  

IDW40G120C5BFKSA1

active and preferred

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19.14
CoolSiC™ 5G
1200.0 V
40.0 A
1.4 V
202.0 nC
TO-247
290.0 A
23.0 µA
2592.0 pF

1200V CoolSiC  

 

 

5世代1200V CoolSiC™ショットキーダイオード

1200V SiCダイオードをSiの「HighSpeed 3IGBTと組み合わせると、逆回復損失をゼロにしてよりシンプルな2レベルのトポロジを実現できます。SiIGBTのターンオン損失も40%低減され、EMI(電磁干渉)も低減されます。さらに、Siベースのソリューションと比べると、熱性能が改善されることで接合部温度も15%低くなります。これによってシステムの信頼性が高まり、同じフォームファクターでも高い出力を得られる可能性があります。 5世代1200V CoolSiC™ショットキーダイオードの詳細


 

650V CoolSiC  

 

 

5世代650V CoolSiC™ショットキーダイオード

5世代のCoolSiC™は、インフィニオンがSiCショットキー バリアダイオードの分野で新たに提供する最新のテクノロジーであり、最適な価格性能比で他社の追随を許さない効率を実現します。インフィニオン独自の拡散はんだ付けプロセスはすでに第3世代で導入されていますが、第5世代では新たに「コンパクト設計」と「最新の薄型ウェハテクノロジー」という特長が加わりました。 5世代650V CoolSiC™ショットキーダイオードの詳細


Product image PrimePACKIGBT5.XT  

 

 

PrimePACK™(IGBT5および.XT使用)

革新的技術であるIGBT5および.XTが、定評あるPrimePACK™の品揃えをさらに拡張します。この新技術を使うことで、電力密度の25%増加や部品寿命の10倍延長が実現できます。 PrimePACK™(IGBT5および.XT使用)の詳細


Product image Easy 2B - Pressfit - blank  

 

 

 

太陽光発電ストリングおよびマルチストリングインバータ用モジュール

専用設計の太陽光発電ストリングおよびマルチストリングインバータ用モジュール。インバータの効率と性能の最適化を実現します。実績のあるPressFITテクノロジーにより、はんだ付け不要で迅速な組立が可能です。 太陽光発電ストリングおよびマルチストリングインバータ用モジュールの詳細

 

 


PrimePACK™ with TIM  

 

熱伝導材料(TIM

TIMは、インフィニオンの新技術、熱伝導材料(サーマルインターフェイスマテリアル)の略語です。パワーエレクトロニクスにおいては電力密度の向上が進んでいますが、これに伴ってパワーモジュールとヒートシンクの間の熱伝導が大きな問題になってきています。 記事、論説、アプリケーションノートなど、より詳しい資料をご覧いただけます。


Product image EconoPACK +_OEx  

 

 

EconoPACK+ Dシリーズ

革新的なEconoPACK+ Dシリーズは、PressFIT補助端子によって、信頼性の高い、はんだ付け不要の圧入接触方式を提供します。PressFIT端子は、必要に応じて、はんだ付けも可能な柔軟性を備えています。このDシリーズは、制御端子とパワー端子の射出成形、パワー端子の超音波溶接により、頑丈で堅牢性の高いモジュール設計に注力しています。 EconoPACK+ Dシリーズの詳細


CoolSiC™ショットキーダイオード CoolSiC1200V SiC JFET & ダイレクトドライブ テクノロジー
  • ベンチマークとなるスイッチング特性
  • 逆回復電荷(Q rr)がない
  • 温度に依存しないスイッチング特性
  • 高い動作温度(T j 最大 175°C

 

データシート

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新しいCoolSiC1200Vショットキーダイオード

  • JFETPチャネルMOSFET、専用ドライバで構成されるトータルソリューション
  • 逆回復電荷(Q rr)がない
  • 超高速ボディダイオードを一体化
  • 最高の効率レベルを達成


データシート

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Product Selection Guide

Title Size Date Version
3.5 MB 16 3 2017 01_00
2 MB 14 3 2014 01_00
22.4 MB 29 3 2017 01_00
1.9 MB 03 5 2013 01_00

Product Catalogue

Title Size Date Version
4.8 MB 21 6 2016 02_00

Product Brochure

Title Size Date Version
2.1 MB 09 5 2016 01_00

Product Brief

Title Size Date Version
248 KB 09 5 2016 01_00
466 KB 18 4 2016 01_00
785 KB 24 3 2013 01_00
202 KB 01 12 2012 01_00
776 KB 14 5 2012
347 KB 04 3 2009 01_00

Application Brochure

Title Size Date Version
340 KB 23 10 2015 01_00

Application Notes

Title Size Date Version
12.1 MB 13 9 2016 01_00
1.6 MB 20 3 2017 01_00
1.4 MB 16 11 2015 01_00
570 KB 31 7 2015 01_00
2.2 MB 19 12 2014 02_00
791 KB 16 6 2014 01_00
4.9 MB 16 12 2013

Editorials

Title Size Date Version
521 KB 04 11 2015 01_00

Article

Title Size Date Version
471 KB 20 10 2016 01_00
1.7 MB 10 8 2016 01_00
1.2 MB 21 7 2016 01_00
772 KB 01 10 2016 01_00
117 KB 21 7 2016 01_00
460 KB 21 7 2016 01_00
530 KB 03 12 2015 01_00
1.6 MB 23 7 2015 01_00
145 KB 12 3 2015 01_00
432 KB 01 10 2014
1.4 MB 10 9 2014 01_00
376 KB 05 9 2014
339 KB 26 9 2012
1.6 MB 01 9 2012 01_00
516 KB 21 5 2012

Additional Product Information

Title Size Date Version
229 KB 20 8 2015 01_00
142 KB 01 9 2012 01_00
119 KB 01 9 2012 01_00
812 KB 01 9 2012 01_00

Presentations

Title Size Date Version
1,020 KB 11 5 2016 01_00

Whitepaper

Title Size Date Version
105 KB 07 5 2013 01_00
601 KB 01 3 2013 01_00
595 KB 20 11 2007

評価用ボード

ボード ファミリー 詳細 ステータス
EVALPFC3-ICE3PCS02G Diode (Si, SiC), MOSFET, Power Controller (PWM, PFC) PFC CCM ICE3PCS02G for 300 W 400 V SMPS evaluation board with 85~265V AC universal input.
  • ICE3PCS02G
  • IDH04S60C
  • IPP60R199CP
active and preferred
EVAL_800W_130PFC_C7 Diode (Si, SiC), Gate Driver, MOSFET, Power Controller (PWM, PFC) 800W CCM Power factor correction (PFC), 110/230 AC to 400 DC, 97.8% peak efficiency, 130 kHz-high power density
  • 2EDN7524F
  • ICE2QR4780Z
  • ICE3PCS01G
  • IDH06G65C5
  • IPP60R180C7
  • XMC1302-T038X200 AB
on request
EVAL_800W_PFC_C7_V2 Diode (Si, SiC), Gate Driver, Power Controller (PWM, PFC), MOSFET 800W CCM Power factor correction (PFC), 110/230 AC to 400 DC, 97.8% peak efficiency, 130 kHz-high power density
  • 2EDN7524F
  • ICE2QR4780Z
  • ICE3PCS01G
  • IDH06G65C5
  • IPP60R180C7
  • XMC1402-Q040X0128 AA
active and preferred
EVAL_800W_PFC_P7 Gate Driver, Microcontroller, MOSFET, Power Controller (PWM, PFC) The purpose of this demoboard is to demonstrate the performance of the latest 600V CoolMOS™ P7 (IPP60R180P7) Power MOSFET technology working at 130kHz in a CCM PFC boost converter along with EiceDRIVER™ ICs (2EDN7524F) and 650V CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5 (IDH06G65C5) using analog control (ICE3PCS01G).
  • 2EDN7524F
  • ICE2QR2280Z
  • ICE3PCS01G
  • IDH06G65C5
  • IPP60R180P7
coming soon
EVAL 300W CCM PFC P6 Diode (Si, SiC), MOSFET, Power Controller (PWM, PFC) 300W CCM Power factor correction (PFC), 110/230 AC to 400 DC, 98.5% peak efficiency
  • ICE3PCS01G
  • IDH02G65C5
  • IPP60R190P6
active
EVAL_2.5KW_CCM_4PIN Diode (Si, SiC), Gate Driver, MOSFET, Power Controller (PWM, PFC) 2500W CCM Power factor correction (PFC), 110/230 AC to 400 DC, >98% peak efficiency, 65/100 kHz, shows efficiency benefits due to usage of TO247-4
  • 1EDI60N12AF
  • ICE3PCS01G
  • ICE3RBR4765JZ
  • IDH16G65C5
  • IFX91041
  • IPZ60R040C7
active and preferred
EVALPFC3-ICE3PCS03G Diode (Si, SiC), MOSFET, Power Controller (PWM, PFC) PFC CCM ICE3PCS03G for 300 W 400 V SMPS evaluation board with 85~265V AC universal input.
  • ICE3PCS02G
  • IDH04S60C
  • IPP60R199CP
active and preferred

PCB Design Data

Title Size Date Version
752 KB 05 11 2013 02_00
470 KB 05 11 2013 02_00
98 KB 05 11 2013 02_00
624 KB 05 11 2013 02_00
650V SiC thinQ™ Generation 5 Diodes - Advantages of Silicon Carbide and Market Positioning

650V CoolSiC™ Generation 5 Diodes - Advantages of Silicon Carbide and Market Positioning

 Introduction to the latest generation of Infineon Silicon Carbide Schottky diodes covering product positioning, application benefits and planned portfolio

 
Length 5:56
650V SiC thinQ™ Generation 5 Diodes - Thin-Wafer, Efficiency and Portfolio

650V CoolSiC™ Generation 5 Diodes - Thin-Wafer, Efficiency and Portfolio

 Introduction to the latest generation of Infineon Silicon Carbide Schottky diodes covering product positioning, application benefits and planned portfolio

 
Length 3:39
1200V SiC thinQ!™ Generation 5 Schottky Diodes

1200V CoolSiC™ Generation 5 Schottky Diodes

Infineon’s new 5th Generation 1200V CoolSiC™ Schottky diode portfolio offers designers of high power 3-phase applications new levels of efficiency and reliability.

 
Length 4:43
1200V SiC thinQ!™ Generation 5 Schottky Diode - Product Portfolio and Target Application

1200V CoolSiC™ Generation 5 Schottky Diode - Product Portfolio and Target Application

Comparison of SiC Schottky diodes forward voltage between Infineon Gen5 against Infineon Gen2 and two compare products. Datasheet and measurement forward voltage values are used to plot how much Gen5 has improved compared to previous gen and compare products.

 
Length 4:43

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