絶縁型ゲートドライバIC SiC MOSFET、GaN HEMT、MOSFET、IGBT用の堅牢かつ強力で高精度なシングル/デュアル チャンネル絶縁型ゲートドライバーICです。

概要

EiceDRIVER™絶縁型ゲート ドライバーは、高い性能や堅牢性が求められるアプリケーション向けに設計されています。例えば、ソーラーインバーター、EVチャージャー、産業用インバータ制御、自動車、ESS、UPS、サーバー、テレコムSMPSなどが挙げられます。

絶縁型ゲートドライバーは、最大18 Aの出力電流、短い伝搬遅延と遅延マッチング (7 ns)、高いコモンモード過渡耐性 CMTI 300 kV/μs 、幅広いゲート電圧 (40 V) により、負電圧でのバイポーラ電源を実現できます。最先端のSiC MOSFETやGaNスイッチに最適です。

EiceDRIVER™ CompactとEnhancedファミリーは、最も注目に値する絶縁型ゲートドライバーファミリ-の一つです。EiceDRIVER™ Compactは設計が簡単で、DSO-8のような小型パッケージで2レベルのスルーレート制御とミラークランプ機能を持つシンプルな絶縁型ゲートドライバーです。EiceDRIVER™ Enhancedは、短絡保護 (DESAT) とソフトオフ、ミラー クランプ、迅速な初期設計と状態モニタリングのための複数のパラメータをI2Cで設定、予知保全を可能にするなどの先進機能を備えています。

EiceDRIVER™ 絶縁型ゲートドライバーは、磁気結合コアレス トランス (CT) 技術を使用しており、ガルバニック絶縁をまたぎ信号伝達を行います。このCT技術により、機能絶縁、基礎絶縁、強化絶縁、UL 1577 (VISO = 5.7 kV) とVDE 0884-11 (VIORM = 1767 V) 認証製品を提供しています。機能絶縁は最大2300 Vに達し、2 kVのCoolSiC™をDC1500 Vで使用する場合に最適です。

 

製品
ハイライト

高度な保護機能

  • 高精度な非飽和電圧検出回路 (DESAT)による短絡保護機能 (電流源とコンパレータ) により、短絡時のパワースイッチ破損を防止
  • 短絡電流保護用のソフトオフ機能により、短絡時のコレクタエミッタ間電圧のオーバーシュートを低減
  • 短絡時のゲート電圧上昇を制限する短絡クランプ回路を内蔵
  • アクティブ ミラー クランプにより、高いdV/dtによる寄生ターンオンを回避
主な特長 主な利点
  • 18 Aの出力フルスイング
  • CMTI >300 kV/μs
  • アクティブ ミラークランプ
  • 短絡保護とソフトターンオフ
  • 2レベルスルーレート制御 (SRC)
  • 短い伝搬遅延と遅延マッチング 7 ns
  • 最大出力電源 40 V
  • I2C通信にて設定できる複数パラメーター
  • VDE 0884-11準拠の強化絶縁
  • 入力チップに完全な絶縁障壁 (CT) を搭載
  • 沿面距離 8mm の300 milワイドボディパッケージ、150 mil、5x5 mm LGAパッケージで提供
  • 低損失で高速なターンオン
  • スイッチング周波数の向上と長寿命化
  • 寄生ターンオンを回避
  • IGBTおよびSIC MOSFETの高速保護
  • EMIと効率を両立させるゲート抵抗の最適化
  • デッドタイム短縮による高効率化
  • 負電圧によるバイポーラ電源の実現
  • 迅速な試作と条件監視により、予知保全が可能
  • 安全マージンを考慮した20年寿命テスト済み
  • 故障後も高い信頼性を確保
  • さまざまなアプリケーションに対応するパッケージ展開

Certificates


Part number

 UL 1577 (Vrms)
3000
1EDB7275F √
1EDB8275F √
1EDB9275F √
1EDB6275F √
Part Numbers UL 1577 (Vrms)

VED0884-11 Reinforced

EN 60950-1*
Reinforced

 EN 62368-1 EN 61010-1 GB4943.1
2250 2500 3000 5700 Basic Reinforced Basic Reinforced
2EDS8165H       √   √   √ √   √
2EDS8265H       √   √   √ √   √
2EDS9265H                      
2EDF7275F                      
2EDF7175F                      
2EDF9275F                      
2EDF7275K                      
2EDF7235K                      
2EDR8259H       √ √     √     √
2EDR7259X       √ √     √     √
2EDR8259X       √ √     √     √
2EDR9259X       √ √     √     √
2EDB8259F     √                
2EDB7259Y     √                
2EDB8259Y     √                
2EDB8259Y     √                
2EDB7259K   √         √     √  
2EDB8259K   √         √     √  
2EDB7259A √           √     √  
2EDB8259A √           √     √  
Part Number UL 1577 (Vrms) VDE0884-11 
3000 5700 Reinforced
1ED3120MC12H   √ √ 
1ED3121MC12H   √ √ 
1ED3122MC12H   √ √ 
1ED3123MC12H   √ √ 
1ED3124MC12H   √ √ 
1ED3131MC12H   √ √ 
1ED3431MC12M   √ √ 
1ED3461MC12M   √ √ 
1ED3491MC12M   √ √ 
1ED3830MC12M   √ √ 
1ED3860MC12M   √ √ 
1ED3890MC12M   √ √ 
1ED3120MU12H   √  
1ED3121MU12H   √  
1ED3122MU12H   √  
1ED3123MU12H   √  
1ED3124MU12H   √  
1ED3131MU12H   √  
1ED3431MU12M   √  
1ED3461MU12M   √  
1ED3491MU12M   √  
1ED3830MU12M   √  
1ED3860MU12M   √  
1ED3890MU12M   √  
1ED3124MU12F √    
1ED3125MU12F √    
1ED3240MC12H   √ √
1ED3241MC12H   √ √
1ED3250MC12H   √ √
1ED3251MC12H   √ √
1ED3320MC12N   √ √
1ED3321MC12N   √ √
1ED3322MC12N   √ √
1ED3323MC12N   √ √
1ED3140MU12F √    
1ED3141MU12F √    
1ED3142MU12F √    
1ED3127MU12F √    

Part Numbers		 UL 1577 (Vrms) VDE0884-11 Reinforced
2500 3000 5700
1ED020I12FA2 √      
2ED020I12FA √      
1ED020I12FTA √      
1EDI2001AS   √    
1EDI2002AS   √    
1EDI2010AS   √    
1EDI2003AS   √    
1EDI2004AS   √    
1EDI3020AS     √ √ (pending)
1EDI3021AS     √ √ (pending)
1EDI3023AS     √ √ (pending)
1EDI3030AS     √ √ (pending)
1EDI3031AS     √ √ (pending)
1EDI3033AS     √ √ (pending)
1EDI3050AS     √ √ (planned)
1EDI3051AS     √ √ (planned)
1EDI3025AS     √ √ (planned)
1EDI3035AS     √ √ (planned)
1EDI3040AS     √ √ (planned)

詳細は、製品グループを選択してご覧ください。

ビデオ
Share
Share
トレーニング
How to ensure SMPS system isolation after EOS using EiceDRIVER™ isolated gate driver ICs (E2)

Key takeaways:​

  • Understand why a reinforced isolation barrier is needed in SMPS
  • Learn about Infineon patented coreless transformer technology
  • Learn about isolation robustness of Infineon´s galvanically isolated gate driver ICs after EOS in the power stage

Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.

  • EiceDRIVER™ 1ED Compact now including X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
  • Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS

Watch now

Optocoupler vs. coreless transformer: a guide to find best gate drive solution
  • EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
  • The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc

Watch now

  • The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
  • Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS

Watch now

  • The new EiceDRIVER™ X3 Digital family (1ED38xx), with I2C-configurability for DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller clamp, two level turn off (TLTO).
  • Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.

Watch now

  • The EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog family (1ED34xx), with DESAT (adjustable filter time), Miller Clamp, soft-off (adjustable current)
  • Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.

Watch now

このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。

The EiceDRIVER™ Enhanced F3 family (1ED332x), with DESAT, Miller Clamp, soft-off up to 8.5 A output current, 300 kV/µs CMTI, 15 ns Max. propagation delay matching and 40 V Max output supply voltage.

Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.

Watch the training now

サポート