インフィニオン、GT Advanced Technologiesと共同でシリコンカーバイドの供給基盤を拡大

Joint press release of GT Advanced Technologies and Infineon Technologies AG

2020/11/09 | ビジネス&フィナンシャルプレス

2020年11月9日、ミュンヘン(ドイツ)、ハドソン(米国ニューハンプシャー州)  

インフィニオン テクノロジーズ(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)とGT Advanced Technologies(GTAT)は、SiC(シリコンカーバイド)結晶の供給契約を締結しました。今回の契約期間は5年です。この供給契約により、ドイツの半導体メーカーであるインフィニオンは、同分野で需要が高まっている基盤材料の供給体制のさらなる強化を図りました。SiCは、システムレベルにおいて特に効率的で、堅牢で、費用対効果の高いパワー半導体の基盤材料です。インフィニオンは、現在すでにCoolSiC™というブランド名で産業用アプリケーション向けに業界最大の製品ラインアップを提供しており、消費者および自動車製品向けの製品提供も急速に拡大しています。

インフィニオンの産業用電力制御部門の社長であるピーター ワワーは、次のように述べています。「SiCベースのスイッチ、特に産業用アプリケーション向けの需要は、着実に増加の一途をたどっています。さらに、自動車部門の需要も急速に伸びるのも明らかです。今回締結した供給契約により、サプライヤーベースの多様化が図られ、急増する顧客の需要に対応することが可能となります。GTATの高品質なSiC結晶は、現在および将来におけるクラス最高レベルの材料基準を満たしており、SiCウエハの競争力のさらなる強化に寄与してくれることでしょう。そして、薄型ウエハ製造における当社の既存の社内技術とコアコンピタンスを有効活用することにより、当社の野心的なSiC成長計画の実現が可能なものとなるでしょう。」

GT Advanced Technologiesの社長兼CEOであるグレッグ ナイトは、次のように述べています。「インフィニオンと長期供給契約を結ぶことに非常に喜んでいます。インフィニオンが独自の薄型ウエハ技術を用いてGTATの結晶を加工することで、安全で高品質なSiCウエハの供給が実現することでしょう。SiCデバイスの需要の拡大は、基板の大幅なコスト削減にかかっており、今回の合意は、その目標達成のための重要な一歩と言えます。」

SiCはこれまで主に太陽光発電インバータ、産業用電源、電気自動車の充電インフラに使用されてきました。これらは、従来のシリコンを使用した場合と比較して、システムレベルでのSiCの利点がすでに発揮されている分野です。無停電電源装置や可変速ドライブなどの産業用アプリケーションでは、新しい半導体技術の利用が加速しています。さらに、電気自動車では、ドライブトレインのメインインバータや車載バッテリ充電ユニットなどのアプリケーションが、大きな可能性として注目されています。

インフィニオンについて

インフィニオン について   http://www.infineon.com/jp 
インフィニオン テクノロジーズは、暮らしをより便利に、安全に、エコに革新する半導体分野の世界的リーダーです。明るい未来の扉を開く鍵になる半導体をつくることが、私たちの使命だと考えています。2020会計年度 (9月決算) の売上高は85億ユーロ、従業員は世界全体で約4万6,700人。2020年4月のサイプレス社 (本社: 米国) 買収により、世界の半導体メーカー上位10となりました。

インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場(ticker symbol:IFX)、米国では店頭取引市場(ticker symbol:IFNNY)のOTCQX に株式上場しています。詳細については、 www.infineon.comをご覧ください。

このプレスリリースは、 www.infineon.com/pressにてオンラインでご覧いただけます。

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  • The supply agreement with GTAT ensures that Infineon will be able to meet the rapidly growing demand of customers for SiC solutions with a diversified supplier base. This supports the ambitious SiC growth plans, making good use of Infineon’s existing in-house technologies and core competencies in thin-wafer manufacturing.
    The supply agreement with GTAT ensures that Infineon will be able to meet the rapidly growing demand of customers for SiC solutions with a diversified supplier base. This supports the ambitious SiC growth plans, making good use of Infineon’s existing in-house technologies and core competencies in thin-wafer manufacturing.
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  • Peter Wawer, Division President Industrial Power Control of Infineon Technologies AG
    Peter Wawer, Division President Industrial Power Control of Infineon Technologies AG
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