インフィニオン、ボディダイオードのハードコミュテーションに最適化 された「OptiMOS™ Fast Diode(FD)」200V/250Vを発表

2014/03/12 | テクノロジー メディア

2014年3月12日、ノイビーベルク(ドイツ)

独インフィニオン テクノロジーズは本日、Medium Voltageポートフォリオをさらに充実させる製品として「OptiMOS™ FD」200V/250Vを新たに発表しました。こ れらの最新世代のPower MOSFETはボディダイオードのハードコミュテーションに最適化され、デバイスとしての頑丈さ、電圧オーバーシュートの低さ、および逆回復損失の軽減を実現しています。こ れにより通信システム、工業用電源、クラスDオーディオアンプ、モータ制御回路(48〜110Vシステム用)、および直流交流インバータなどのハードスイッチング アプリケーションに最大限のシステム安定性をもたらします。

信頼性向上とコスト削減
「OptiMOS FD」ファミリーの逆回復電荷(Qrr)は最高水準の性能に最適化されています。「OptiMOS FD」200V/250Vでは、Qrrが標準のOptiMOS 200V/2 50Vに比較して40%削減されています。これにより電圧オーバーシュートが軽減され、したがって緩衝回路の必要性が最小限に抑えられるためシステムの信頼性が大幅に向上しています。

インフィニオンのリチャード クンチッチ(Richard Kuncic)(System Segment DC/DCシニアディレクター)は、次のように述べています。「 インフィニオンは200Vと250V電圧クラスの境界を改めて拡げました。このような新たなベンチマークを確立させることがインフィニオンの進化を支えています。「OptiMOS FD」ファミリーでは、す でに成功を収めてきたスイッチング性能の活用を継続しています。この最新世代のPower MOSFETでは、特にハードスイッチング アプリケーションに関してお客様の設計コストと労力を節約することができます」

シンプルさと効率を維持
新しい「OptiMOS FD」ではハードコミュテーションにおける頑丈さが改善され、今までの200Vおよび250V技術と比較し、より高いdv/dt、di/dt、電 流密度をはじめとするさらに要求の厳しい環境にも対応します。これにより使いやすさと共に設計作業の簡素さが維持されます。

さらに「OptiMOS FD」では他のデバイスと比較してオン抵抗(RDS(on))が最大45%、性能指数(FOM)が最大65%削減され、最高の効率と出力密度を実現しています。

供給状況
「OptiMOS FD」200VはRDS(on)が11.7 mΩのD2PAKとRDS(on)が12mΩのTO-220を、「OptiMOS FD」250VではRDS(on)が22 mΩのTO-220をご用意しております。

インフィニオンの新しい「OptiMOS Fast Diode」200V/250Vファミリーの詳細については www.infineon.com/optimosFDをご覧ください。 < /p>

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、 エネルギー効率モビリティセキュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2 013会計年度(9 月決算)の売上高は38億4000万ユーロ、従業員は世界全体で約2万6,700人です。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米国では店頭取引市場のOTCQX に株式上場しています。

インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト: http://www.infineon.com
日本法人サイト: http://www.infineon.com/jp

Information Number

INFPMM201403.028