インフィニオン、ダイレクトドライブテクノロジーを採用した、革命的なCoolSiC™1200V SiC JFETファミリを発表：ソーラーインバーターで、かつてない効率化を実現

ノイビーベルク（ドイツ）

独インフィニオンテクノロジーズ（Infineon Technologies AG） は5月8日、「PCIM Europe 2012」見本市にて新製品のCoolSiC™1200V SiC JFETファミリを発表し、シリコンカーバイド（SiC）製品部門での市場リーダーとしての地位をこれまで以上に盤石なものとしました。この革命的な新製品では、S iCの技術開発と高品質の大量生産に関する10年以上にわたる経験が活用されています。

インフィニオンのヤン＝ウィレム・レイナーツ（Jan-Willem Reynaerts）（高耐圧製品部門責任者）は、次のように述べています。「インフィニオンは、高 効率の電力管理が要求される各市場を対象とした、画期的な技術の開発において、確固たる実績を誇ります。今回のCoolSiC™もまた、ソ ーラーインバーターでかつてない高水準のパフォーマンスを達成するために特別設計された、革命的・革新的な技術です。インフィニオンの最新SiC JFET技術により、お客様は、環 境保護ソリューションの未来をこれまで以上に形作ることができます。」

最新のCoolSiC™1200V SiC JFETは、IGBTとの比較でスイッチング損失が大幅に削減されており、全体的なシステム効率を犠牲にすることなく、よ り高いスイッチング周波数を実現できます。これによって、使用する受動部品の大幅な小型化が可能となるため、ソリューション全体の小型化と軽量化を図り、システムコストを削減できます。一方、こ れまでと同じサイズのインバータで、より高出力のソリューションを実現することができます。

常時使用されるJFET技術を安全で使いやすいものとするため、インフィニオンでは、「ダイレクトドライブテクノロジー」と呼ばれるコンセプトを開発しました。このコンセプトでは、JFETは、外 部の低電圧MOSFETおよび専用ドライバICとともに使用され、システムの安全な起動と、高速で安定したスイッチング制御を行うことができます。

CoolSiC™JFETには、モノリシック集積のボディ・ダイオードが採用されており、外部SiCショットキー・バリア・ダイオードに匹敵するスイッチング性能が得られます。この組み合わせにより、 最高の効率性、信頼性、安全性と使い勝手が得られます。

供給状況と価格
CoolSiC™JFET製品とドライバICは、2012年第2四半期中のサンプル出荷開始を予定しています。CoolSiC™を採用した製品の出荷は、2013年第上半期を予定しています。価 格については、「IJW120R100T1」（100mΩ）が24.90米ドル（18.44ユーロ）を予定しています（1000個受注時の単価）。

インフィニオンの新製品CoolSiC™1200V SiC JFETファミリについての詳細は、下記サイトをご参照ください。
www.infineon.com/coolsic

インフィニオンは現在、ドイツ・ニュルンベルクで開催中の「PCIM Europe 2012」（会期：5月8日～10日）の自社ブース（ホール12、ブース404）にて、C oolSiC™1200V SiC JFET製品のデモを行っています。

インフィニオンテクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、 エネルギー効率、 モビリティ、 セキュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2 011会計年度（9月決算）の売上高は40億ユーロ、従業員は世界全体で約2万6,000人です。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米国では店頭取引市場のOTCQXに株式上場しています。

インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト： http://www.infineon.com
日本法人サイト： http://www.infineon.com/jp