インフィニオンの新しいハイパワーLDMOSトランジスタファミリ、次世代型携帯電話基地局に求められる業界トップクラスの出力と帯域を実現

2009/06/09 | テクノロジー メディア

ノイビーベルク(ドイツ)/ ボストン(米国)

独 インフィニオンテクノロジーズは、本日、IEEE MTT-S International Microwave Symposiumにおいて、ブ ロードバンド無線ネットワーク基地局向けハイパワーLDMOSトランジスタの製品ファミリを発表しました。最大300Wという業界トップクラスの出力と90MHz以上ものビデオ帯域に対応したトランジスタで、無 線ネットワークを3Gから4Gへと展開させる際に必要となる大きなピーク対平均電力比とデータレートを十分にサポートすることができます。

新しいトランジスタファミリは、1.4GHzから2.6GHzの携帯電話帯域で使用されているデバイスよりゲインも電力密度も高くなっています。その結果、パッケージが専有面積で30%小 型化されており、アンプの小型化とコスト削減が実現できます。ピーク出力が大きく取れるということは、ドハーティ型アンプで大きなメリットとなりますし、他 のアーキテクチャでも部品点数が削減できるというメリットがあります。

インフィニオンのヘルムート・ヴォルガー(RFパワー担当バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャ)は、次のように述べています。「小型のパワーアンプで高いパワー効率が得られれば、基 地局を小型化することができます。つまり、メーカー各社は、効率的で環境に優しいシステムソリューションを最適なコストで提供できるようになるわけです。今回、こ の製品ファミリの最初のトランジスタがプロダクションリリースとなったことから、基地局プロバイダ各社は、このインフィニオン製品を活用し、2 010年から4Gテクノロジに向けたロールアウトを行いたいというお客様の要望に応えられるようになったわけです。」

新型トランジスタは、2170MHz、30V、8dB PAR、チャネル帯域3.84MHzの2キャリアのWCDMA信号で平均出力が50W、ゲインが18dB、効率が28%( P-1dB出力が230Wのトランジスタを使用した場合)などの性能を発揮することができます。同用途の300W(P-1dB)機器であれば、平均出力が65W、ゲインが18dB、効率が28%となります。

新しいPTFBファミリのトランジスタは、いずれも、オープンキャビティ・セラミックパッケージを採用しており、マウントはネジ止めかイヤレスとなります。また、鉛 フリーであるとともにRoHS準拠となっています。新製品は、6種類ともサンプル提供中です。

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、エネルギー効率、コミュニケーションズ、セ キュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2008会計年度(9月決算)の売上高は43億ユーロ、従 業員は世界全体で約2万9,100人でした。インフィニオンは世界的に事業を展開しており、米国ではカリフォルニア州ミルピタス、アジア太平洋地域ではシンガポール、そ して日本では東京の各子会社を拠点として活動しています。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米国では店頭取引市場のOTCQXに株式上場されています。
インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト: http://www.infineon.com  
日本法人サイト: http://www.infineon.com/jp  

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INFWLS200906.061

Press Photos

  • The new Infineon High Power LDMOS Transistor Family Offers Industry-Leading Power and Bandwidth Performance for Next Generation Cellular Base Stations.
    The new Infineon High Power LDMOS Transistor Family Offers Industry-Leading Power and Bandwidth Performance for Next Generation Cellular Base Stations.
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