インフィニオン、RoHS準拠の設計を可能にする業界初の高性能LDMOS RFパワートランジスタを発表

2008/06/17 | テクノロジー メディア

ノイビーベルク(ドイツ)/ジョージア州アトランタ(米国)

 

独インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies、以下インフィニオン FSE/NYSE:IFX)は本日、IEEE MTT-S International Microwave Symposiumにおいて、銅ベースの革新的なオープンキャビティ型プラスチックパッケージを採用した、RFパワートランジスタの新ファミリを発表しました。この新しいEPOC®( Enhanced Plastic Open-Cavity)パッケージは、銅の持つ高い熱伝導性によって耐熱性が12%向上しており、従来のセラミックパッケージと同等の熱性能とRF性能を実現しつつ、総 コストを抑え、信頼性を高めることができます。EPOCパッケージ、薄型ダイ、独自のダイアタッチ技術によって、インフィニオンは、セルラー・インフラストラクチャの量産市場向けに、高 い信頼性と一貫性を備えた最高の熱性能を実現します。

新型トランジスタは、インフィニオンの高度なLDMOS(横方向拡散金属酸化物半導体)プロセス技術を採用しており、高性能セルラー・インフラストラクチャ・ア プリケーションでパワーアンプに使用するのに最適です。新製品は、このような環境に優しいパッケージで供給される、業界初のRFパワートランジスタでもあります。

今日まで、RoHS準拠の高性能RFパワートランジスタは、金メッキのリード線を用いたセラミックパッケージでのみ供給されていました。こうしたパッケージの組立を鉛フリーで行う際は、複 雑なクランピング設計や特別なはんだプロファイル、鉛フリーはんだやコストのかかる金の分離処理による組立プロセスを伴う方法が一般的です。インフィニオンのオープンキャビティ・プラスチックパッケージは、こ うした方法の代替手段であり、製造コストを大幅に削減できます。例えば、金の分離処理には、リード線の数に応じ、パッケージあたり2~8ドルのコストが発生する可能性があります。こうした手順が不要になることで、 一般的な120Wのトランジスタでは、総生産コストが10~25%削減されることになります。さらに、オープンキャビティ型プラスチックパッケージは熱性能が向上しており、動作ジャンクション温度が5%( Typ.値)低下し、信頼性が高まるため、新型RFパワートランジスタは、新世代の塔頂設置型セルラー基地局に最適なソリューションとなります。

インフィニオンのヘルムート・ウォルガー(Helmut Vogler)(RFパワー担当バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャ)は、次のように述べています。「ダイナミックなセルラー市場は、基 地局アンプ市場に価格圧力を及ぼし続けていますが、RFパワーアンプを設計する際、性能が主要な検討条件であることに変わりはありません。そのため、こうした製品ファミリを設計するにあたっては、E POCパッケージで高性能を維持し、総コストを抑えることが大きな目標でした。これによって設計者は、より小型でエネルギー効率の高いパワーアンプを開発し、先進のモバイル・コ ミュニケーション向けの基地局インフラストラクチャの建設に伴う無線システム事業者のニーズに対応できます」

デバイスの詳細
新型LDMOSデバイスの動作周波数は920~1,880MHzで、25Wと50Wの平均出力レベルを持つ一般的な変調方式のすべてに対応します。

動作電圧28Vの「PTFA091201GL」と「PTFA091201FL」は、EDGE信号条件の下、50Wの平均出力で18.5dBのゲイン(Typ.値)と44%の効率性(Typ.値)を 実現します。これらのトランジスタは、920~960MHzの周波数帯のGSM/EDGEアプリケーションに最適です。

動作電圧28Vの「PTFA181001GL」と「PTFA181001HL」は、WCDMA信号条件の下、25Wの平均出力で17dBのゲイン(Typ.値)と27.5%の効率性(Typ.値)を 実現します。これらのトランジスタは、1,805~1,880MHzの周波数帯のWCDMAおよびGSM/EDGEアプリケーションに最適です。

価格と出荷予定
新型LDMOS RFパワートランジスタの量産開始は、2008年第3四半期を予定しています。価格については、インフィニオンの担当者までお問い合わせください。

インフィニオンは、IEEE MTT-S International Microwave Symposium(ジョージア州アトランタで2008年6月16日から19日まで開催)の ブース#1216で、セルラー・インフラストラクチャ・アプリケーション向けLDMOS RFパワートランジスタの最新ファミリを展示しています。

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、エネルギー効率、コミュニケーションズ、セ キュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2007会計年度(9月決算)の売上高は77億ユーロ(キマンダの売上高36億ユーロを含む)、 従業員は世界全体で約4万3,000人(キマンダの従業員約1万3,500人を含む)でした。インフィニオンは世界的に事業を展開しており、米国ではカリフォルニア州ミルピタス、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京の各子会社を拠点として活動しています。インフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。イ ンフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト: http://www.infineon.com 
日本法人サイト: http://www.infineon.com/jp

Information Number

INFCOM200806.073