インフィニオン、世界最小のオン抵抗を特長とするSSO8リードレスパッケージの「OptiMOS 3」 MOSFETを発表

~産業/コンスーマ/テレコミニュケーション・アプリケーションで電力密度を最大50%向上~

2008/05/27 | テクノロジー メディア

ノイビーベルク、ニュルンベルグ(ドイツ)

独インフィニオンテクノロジーズは本日、China International Power Supply Expo(CPS EXPO)において、SSO8(SuperSO8)パ ッケージとS308(Shrink SuperSO8)パッケージの「OptiMOS™3」 40V、60V、80V NチャンネルMOSFETを発表しました。い ずれもリードレスパッケージにおける世界最小のオン抵抗(RDS(on))を実現しています。標準TO(Transistor Outline)パッケージと比較するとSuperSO8製品は、サ ーバ向けの同期整流SMPS(スイッチング電源)アプリケーションにおいて、電力密度を最大で50%向上させます。例えば、SSO8の新製品でクラス最高のデバイスならば、20%の 専有面積でD²-Pakパッケージと同等のオン抵抗を達成します。

インフィニオンテクノロジーズのゲルハルト・ヴォルフ(パワーマネジメント&ドライブ事業ユニット担当ディレクター)は、次のように述べています。「 リードレスフレームパッケージは寄生する抵抗とインダクタンスが低いため、回路動作に対してパッケージの影響を最小限にとどめ、「OptiMOS 3」の優れたウェハー特性を最大限に活用出来ます」

「OptiMOS 3」のオン抵抗は、40Vで最小1.8mΩ、60Vでは同2.8mΩ、80Vは同4.7mΩというクラス最高の値です。これは、S uperSO8フットプリントで新たな基準を打ち立てるものであり、最新の競合製品と比較してもオン抵抗を最大で50%低減します。FOM(オン抵抗とゲートチャージをかけて算出する性能指数)は 標準TOパッケージの同等製品に対して25%以上も優れており、高速スイッチングに対応すると同時にスイッチング損失と駆動損失が最小限に抑えられます。これによって、電 力密度の向上とドライバ発熱量の削減が可能になります。SSO8パッケージの低い寄生インダクタンス(TO 220の5-10 nHに対して0.5 nH未満)は、総合的な効率を一段と高め、ス イッチング動作時のリンギングを最小限に抑えます。パッケージ厚は1 mm、Rth-jt(チップからパッケージ表面までの熱抵抗、)が16°K/WというSuperSO8は、表 面冷却ソリューションにも効果があり、例えば組み込みシステムやPCBモジュールに最適です。

ヴォルフは次のように述べています。「パワー半導体の世界的技術リーダーであるインフィニオンは、電力密度を50%向上させる極小パッケージへのトレンドを加速させています。パ ワー半導体の製造およびパッケージング技術におけるインフィニオンのリーダーシップは、クラス最高の変換効率とスイッチング特性、高電力密度、優れた価格性能比として結実し、システムコストを大幅に引き下げます」

「OptiMOS 3」 40V、60V、80V:アプリケーションと製品詳細
「OptiMOS 3」 40V、60V、80V製品は、高い効率と電力密度を要求する電力変換やパワーマネージメントアプリケーション向けです。これらアプリケーションとしては、コンピュータ、家 電、小型電気自動車、産業オートメーションシステム、電気通信機器のほか、電動工具、電動芝刈り機、扇風機などのコンシューマ機器を始めとする、さまざまな製品のSMPS、DC/CDコンバータ、D Cモータドライバが挙げられます。

「OptiMOS 3」 SuperSO8製品は、スペース・電力密度・変換効率をキーファクタとする多種多様な高速スイッチングのSMPSやDC/DCコンバータ、例 えば同期整流型AC/DCの2次側、絶縁型DC/DCの1次および2次、産業用非絶縁型(降圧)DC/DCなどのニーズに応えます。PCBへの熱抵抗が1°K/W、トップおよびダブルサイド冷却、連 続定格電流100 Aという特長を有する新しい「OptiMOS 3」 MOSFETファミリは、40Vから80Vクラスの低オン抵抗MOSFETの新たな基準となります。また、S 3O8パッケージで提供される60V、80VのMOSFETも業界初であり、標準SO8やSuperSO8デバイスに比べて専有面積を60%削減します。

60V、80VのSuperSO8デバイスは、TOパッケージを採用するソリューションと比較して、サーバSMPSで0.5%の効率向上効果があり、標準ソリューションよりも20%高 いオン抵抗でも同様の効率を期待することができます。

詳しい情報は、下記のウェブサイトをご参照ください。
www.infineon.com/powermosfets 
www.infineon.com/optimos

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、エネルギー効率、コミュニケーションズ、セ キュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2007会計年度(9月決算)の売上高は77億ユーロ(キマンダの売上高36億ユーロを含む)、 従業員は世界全体で約4万3,000人(キマンダの従業員約1万3,500人を含む)でした。インフィニオンは世界的に事業を展開しており、米国ではカリフォルニア州ミルピタス、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京の各子会社を拠点として活動しています。インフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。イ ンフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト: http://www.infineon.com
日本法人サイト: http://www.infineon.com/jp

 

Information Number

INFAIM200805.064

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  • Infineon's OptiMOS(tm) 3 40V, 60V and 80V N-channel MOSFETs feature the world's lowest on-state resistance in SuperSO8 leadless packages and increases power-density up to 50 percent in industrial, consumer, telecommunications applications.
    Infineon's OptiMOS(tm) 3 40V, 60V and 80V N-channel MOSFETs feature the world's lowest on-state resistance in SuperSO8 leadless packages and increases power-density up to 50 percent in industrial, consumer, telecommunications applications.
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