インフィニオンの新しいMOSFETファミリ、産業、コンスーマ、通信など各種アプリケーションの電力損失を最大で30%削減

2008/02/25 | テクノロジー メディア

ノイビーベルク(ドイツ)/ オースティン(米国テキサス州)

独インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies、以下インフィニオン)は、APEC(Applied Power Electronics Conference)に おいて、豊富な品ぞろえを誇る「OptiMOS™3 」NチャンネルMOSFETポートフォリオに新たに3つのパワー半導体ファミリを追加したと発表しました。OptiMOS 3 40V、60V、8 0Vの3ファミリで業界をリードする性能を持ちます。たとえば、電力変換において重要なオン抵抗が低く、同一の標準TO(Transistor Outline)パッケージであれば電力損失を30%も 削減することができます。またOptiMOS 3 40V、60V、80Vの各ファミリはいずれもスイッチング損失とオン抵抗が低く、電力密度を最大で30%高められるほか、同 一アプリケーションであれば競合ソリューションと比較して部品点数を25%以上も削減することができます。
新しいMOSFETファミリはいずれも、コンピュータや家電製品、小型電気自動車、産業オートメーション・システム、通信機器、そして電動工具や電動芝刈り機、扇 風機などのコンスーマ機器においてSMPS(スイッチング電源)、DC/DCコンバータ、DCモータ駆動などの電力の変換と管理を行うアプリケーションを実現するために開発された製品です。

新しいOptiMOS 3ファミリにはクラス最小のオン抵抗(RDS(on))を持つMOSFETが搭載されており、SuperSO8™パッケージの40V製品で1.6mΩ、D -PAKパッケージの60V製品で3.5mΩ、D2-PAKパッケージの80V製品で2.5mΩという非常に低い値を実現しています。FOM(オン抵抗とゲートチャージをかけて算出する性能指数)は 競合製品に対して25%以上も優れており、高速スイッチングへ対応すると共に伝導損失とオン状態の電力損失は最小限に抑えられるため、高い電力密度を得ることが可能です。こ れはドライバ発熱量の削減にもつながるため、システムの信頼性も向上します。この優れたプロセスは3mm x 3mmのS3O8(Shrink SuperSO8)と いった小型パッケージでも低いオン抵抗を提供し、高い電力密度を要求する省スペース・高密度実装に最適です。

インフィニオンテクノロジーズのゲルハルト・ヴォルフ(パワーマネジメント&ドライバ事業担当ディレクター)は、次のように述べています。「パワー半導体市場の世界的リーダーとして、イ ンフィニオンはさまざまなOptiMOS MOSFETファミリを提供し、低電圧の電力変換アプリケーションや電力管理アプリケーションにおける性能と効率の最適化を可能にしています。インフィニオンでは、最 先端のパワー半導体製造技術とパッケージング技術を活用してデバイスの専有面積を削減しつつ、性能の向上を継続的に行ってきました。こうして電力密度の向上と優れた価格/性能比が実現したのです。最 近は電源やモータの設計において高性能を保ちつつ省エネルギー性能を高めることが強く求められていますが、新しいOptiMOS 3ファミリなら、クラス最高の効率とスイッチング特性によって、電 源やモータの設計者がユーザの要望を満たす高い性能を維持しつつ、規制が厳しさを増す節電機能の要件を満足することが可能です」


OptiMOS 3 40V、60V、80Vの詳細
OptiMOS 3 40Vファミリは、プリンタ、非絶縁型産業用コンバータ、絶縁型DC/DCコンバータなど、30V MOSFETでは降伏電圧が不足するさまざまなアプリケーションで使用する高速スイッチングのSMPSやDC/DCコンバータといったニーズに対応する製品です。S uperSO8パッケージでオン抵抗が1.6mΩと極めて低く、競合製品と比較して50%以下となっています。また熱抵抗が1°K/W、連続定格電流が100Aと、4 0Vクラスの低抵抗MOSFETの新たな標準となる性能を持っています。さらに、業界で初めてS3O8パッケージに降伏電圧40VのMOSFETを搭載することにも成功しました。S3O8パッケージは、標 準的なSO8やSuperSO8に対し、専有面積が60%も削減されます。

OptiMOS 3 60Vファミリと80Vファミリは、SMPSの2次側整流やDCブラシレスモータやDCブラシモータなどコントローラのモータ駆動回路に使用します。ま た80Vデバイスは通信アプリケーションにも最適です。これらファミリのMOSFET製品も、クラス最小のオン抵抗を誇ります。8 0Vクラスでは最高の性能を持つ競合製品でも3.3mΩを切ることができていないのに対し、OptiMOS 3 80V製品はTO-220パッケージで2.8mΩを達成しました。このように低いオン抵抗に加え、熱 抵抗が0.5°K/W、無制限連続定格電流が100Aとなっていることから、インフィニオンの新しいMOSFETは60Vクラスと80Vクラスをリードする製品だと言えます。また、D -PAKパッケージでも供給されるため、基板スペースが従来のD2-PAKパッケージに対して50%以上、高さが40%も削減されます。


供給状況と価格
新しいパワーMOSFETファミリ、OptiMOS 3 40V、60V、80Vは、いずれも、標準TOパッケージのほか、SuperSO8パッケージとS3O8パッケージでも提供されます。なお、パ ッケージによってオン抵抗値が異なります。価格は1万個受注時の単価で、SSO8パッケージでオン抵抗値が1.6mΩというクラス最高の性能を持つOptiMOS 3 40V製品が0.99ドル( 0.68ユーロ) 未満です。また、D-PAKパッケージ、3.5mΩのOptiMOS 3 60Vは0.99ドル(0.68ユーロ)、TO-220パッケージ、2.8mΩのOptiMOS 3 80Vは1.99ドル( 1.37ユーロ)です(いずれも1万個受注時の単価)。品種によっては既に量産を開始していますが、個々製品のサンプル状況・量 産時期に付きましては弊社担当者及び弊社代理店までお問合せ下さい。

インフィニオンは、2008年2月24日から28日にテキサス州オースティンで開催されたApplied Power Electronics Conferenceにおいて、新しいOptiMOS 3パワー半導体ファミリを展示しました。

詳しい情報は、 www.infineon.com/powermosfetsおよび www.infineon.com/optimosをご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、エネルギー効率、コミュニケーションズ、セ キュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2007会計年度(9月決算)の売上高は77億ユーロ(キマンダの売上高36億ユーロを含む)、 従業員は世界全体で約4万3,000人(キマンダの従業員約1万3,500人を含む)でした。インフィニオンは世界的に事業を展開しており、米国ではカリフォルニア州ミルピタス、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京の各子会社を拠点として活動しています。インフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。イ ンフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト: http://www.infineon.com
日本法人サイト: http://www.infineon.com/jp

Information Number

INFAIM200802-044

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  • The Infineon MOSFET families OptiMOS 3 40V, 60V and 80V reduce power losses by up to 30 percent in industrial, consumer and telecommunications applications.
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