インフィニオン、GaAs並みの性能を備えた業界初のCMOS RFスイッチを出荷開始

2008/02/04 | テクノロジー メディア

ノイビーベルク(ドイツ)

独インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies、以下インフィニオン)は本日、CMOSプロセス技術を利用しシリコンウェハ上に製造する、世 界初のRFスイッチの量産出荷を開始したと発表しました。同製品は、ガリウムヒ素(GaAs)プロセス技術で製造されるRFスイッチに匹敵する性能を備えており、今回初めて達成された技術躍進です。これまで、C MOSベースのRFスイッチでGaAsスイッチ並みの性能を達成するためには、コストのかさむ専用のサファイアウェハを使用する必要がありました。

新発表のCMOS RFスイッチ・ファミリの第一弾製品となる「BGS12A」は、ファインピッチのウェハ・レベル・パッケージ(WLP)で供給され、寸法がわずか0.79×0.54mmと、現 在の業界最小サイズのGaAs RFスイッチICに比べて約60%小さい実装面積を実現しています。RFスイッチは一般に携帯電話や無線LAN、WiMAX、GPSナビゲーション・システム、B luetoothアクセサリ、リモート・キーレス・エントリなど各種ワイヤレス製品で、データ送受信(Rx/Tx)やバンド選択、アンテナ・ダイバシティ用のスイッチング機能を実装するために利用されており、国 際ローミングへの対応も可能にします。モバイル機器のRFスイッチ搭載数は機器一台あたり平均1個ですが、マルチバンド・マルチモードの携帯電話の中には最大4個のRFスイッチが搭載されている製品もあります。

インフィニオンテクノロジーズのディスクリート半導体事業ユニット・シニアディレクター、マイケル・マウアー(Michael Mauer)は次のように述べています。「 インフィニオンのCMOSベースのRFスイッチは小型CSP(チップ・スケール・パッケージ)を採用し、またレベルシフターなどの外付け部品が不要なため各種の基板設計で実装面積を節約できます。最 新のモバイル機器で複雑化が進んでおり、現在のPINダイオードは今後5年間にRFスイッチに取って代わられると予想されています」

米市場調査会社ストラテジー・アナリティクス社(本社:ボストン)によると、世界のRFスイッチ市場は2006年には約20億個規模でしたが、2 011年には約40億個規模に倍増すると予想されています。

インフィニオンの新型RFスイッチは独自のRF CMOS技術により製造されるため、CMOSの長所と、低挿入損失や低高調波歪み、優れたアイソレーション、高 出力電力などの高いRF性能を兼備しています。CMOS固有の長所としては高集積性や費用対効果、それに優れた静電気放電(ESD)耐性などが挙げられます。既存のソリューションと比べた場合、C MOSベースのRFスイッチには、高集積性に最も優れ、GaAsデバイスよりも低コストで、さらに、消費電流が大幅に低減されるためPINダイオードに比べてバッテリー動作時間が長いという特長があります。イ ンフィニオンのRFスイッチはいずれも外付けの直流(DC)ブロッキングコンデンサを必要とせず、また制御用ロジックも搭載されています。ロジックレベルはCMOS互換(1.4~2.8V)であるため、外 付けのレベルシフターは不要です。

インフィニオン初のCMOS RFスイッチ(BGS12A)についての詳細
BGS12Aはインフィニオンの新しいCMOSベースRFスイッチ・ファミリの第一弾製品です。同製品は最大20dBmまでの出力電力(P-1dBは30dBm以上)に 対応できるよう設計された汎用タイプの単極双投(SPDT)RFスイッチです。この新しいRFスイッチは優れたRF性能に加えて、1.0GHzで0.3dBという低挿入損失、低高調波歪み、優 れたアイソレーション(1.0GHzで34dB)、4μs未満と高速なスイッチング時間を特長としています。インターフェイスはHBM(人体帯電モデル)におけるESD耐性が1.5kVで、モ バイル機器モジュールメーカーの生産歩留まりに貢献し、要求されるESDレベルを達成できます。BGS12Aは最大3GHzまでの低・中電力アプリケーション向けに最適です。

価格と出荷予定
BGS12Aはすでに量産出荷を開始しています。価格は1,000個受注時の単価で70セントです。
インフィニオンでは、新しいRFスイッチ・ファミリの製品として、パッケージ・オプションを拡充して16ピンまでの超小型リードレス・パッケージ(TSLP)などを加え、さ らに38dBmという高出力電力に対応し、最大9個のTx/Rxポートを備えた新製品を、幅広いワイヤレス・アプリケーション向けに投入する予定です。これらの製品は2008年後半の量産開始を予定しています。

インフィニオンのCMOS RFスイッチについての詳細は、 www.infineon.com/RFswitchesをご参照になるか、 もしくはMobile World Congress (スペイン・バルセロナにて2008年2月12日から14日まで開催)の弊社ブース(ホール1、ブース#B19)にお立ち寄りください。

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、エネルギー効率、通信、安 全性とセキュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2007会計年度(9月決算)の売上高は77億ユーロ( キマンダの売上高36億ユーロを含む)、従業員は世界全体で約4万3,000人(キマンダの従業員約1万3,500人を含む)でした。インフィニオンは世界的に事業を展開しており、米 国ではカリフォルニア州ミルピタス、アジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京の各子会社を拠点として活動しています。インフィニオンは、フ ランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト: http://www.infineon.com
日本法人サイト: http://www.infineon.com/jp

Information Number

INFAIM200802.032

Press Photos

  • Infineon's CMOS RF switch BGS12A is only 0.79mm x 0.54mm wide. Compared to the smallest  Gallium Arsenide (GaAs) RF switch package on the market, the BGS12A takes approximately 60 percent less board space in a mobile device. However, it offers the equivalent performance of GaAS RF switches.
    Infineon's CMOS RF switch BGS12A is only 0.79mm x 0.54mm wide. Compared to the smallest Gallium Arsenide (GaAs) RF switch package on the market, the BGS12A takes approximately 60 percent less board space in a mobile device. However, it offers the equivalent performance of GaAS RF switches.
    BGS12A

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