インフィニオンがSiGe:C技術を適用した超低雑音の高周波トランジスタを供給

独インフィニオンテクノロジーズは、高性能でコスト効率のすぐれた高周波半導体デバイスを実現するための新しいSiGe:C（シリコン・ゲルマニウム・カーボン）プロセス技術を公表しました。こ の革新的なSiGe:C技術は、インフィニオンの最新世代HBT（ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ）に適用されています。このトランジスタは、シリコンを適用したディスクリート・ト ランジスタとして世界最小の雑音指数（6GHzにおいて0.75dB）と高い利得（6GHzにおいて19dB）を提供します。新しいHBT「BFP740」シリーズの導入によって、従来はGaAs（ガリウム・ヒ 素）を適用したコストのかかる技術を必要とした性能レベルが、シリコンを適用して達成されることになります。
新しいSiGe:Cトランジスタは、周波数10GHzまでの広範な高周波および無線アプリケーションにおいて、LNA（ロー・ノイズ・アンプ）、マイクロ波オシレータ、汎 用アンプなどの機能を実現するのに適します。代表的なアプリケーションとして、無線LAN（IEEE802,11a/b/g）、WiMAX、コードレス電話、UWB（ウルトラ・ワイド・バンド）、GPS（ 全地球測位システム）、衛星TV受信LNB（ロー・ノイズ・ブロック）、衛星利用の各種放送サービス（例えばXM Radio、Sirius、DAB）などがあげられます。

インフィニオンのミヒャエル・マウアー（シリコン・ディスクリート製品マーケティング責任者）は、「BFP740シリーズの導入は、イ ンフィニオンの高性能高周波トランジスタのポートフォリオ拡張にとって新たな一歩となります。新しいHBTは高周波回路設計者に性能の大幅向上を提供するとともに、従 来のSMTパッケージを使用することによる低コストと生産適合性のメリットは維持されます。新しい高周波トランジスタは、低い雑音指数や高い利得などフロントエンドに特有の要件に対応することにより、1 0GHzないしそれ以上までの現行および将来の無線アプリケーションにとって理想的なソリューションとなっています」と、述べました。

インフィニオンの新しい高周波トランジスタは、遮断周波数42GHz（標準値）を持ち、現在のSiGe:C市場で入手可能な最低の雑音指数レベル（1.8GHzにおいて0.5dB、6 GHzで0.75dB）を提供します。高い利得（1.8GHzにおいて最大安定電力利得MSG＝28dB、6GHzにおいて最大有能電力利得MAG＝19dB、いずれも標準値）と低電流動作により、無 線LANなど広範な高周波および無線アプリケーションに理想的です。インフィニオンのHBTチップには、非常に高い信頼性を確保するため、金メタライゼーションが適用されています。

SiGe:Cプロセス技術
インフィニオンのSiGe:Cプロセス技術で独特なのは、ベース抵抗が大幅に低減されていることです。その結果、シリコンを適用したディスクリート・ト ランジスタとして業界最小の雑音指数が達成されています。これに加えて、寄生接地インダクタンスを大幅に低減する新方式が開発されました。この独特な接地方式によって、高い周波数における高利得の達成と、既 存の低コストな業界標準プラスチック・パッケージの使用が可能となっています。


供給状況とパッケージ
HBT「BFP740」シリーズは、3種類のパッケージの製品を量産中です。標準SOT343の「BFP740」、フラットリード型TSFP-4の「BFP740F」、超 小型3ピン・リードレス型TSLP-3の「BFR740L3」です。TSLP-3パッケージの寸法はわずか1.0mm×0.6mm×0.4mmです。
インフィニオンのSiGe:C技術を適用したトランジスタについての情報は下記URLをご参照ください：
www.infineon.com/pfp740

インフィニオンテクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自動車・産業・マ ルチ市場や通信アプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューションと、メモリ製品を供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、アジア太平洋地域ではシンガポール、そ して日本では東京の子会社を拠点として活動しています。2004会計年度（9月決算）の売上高は71億9,000万ユーロ、2004年9月末の従業員数は約35,600名でした。インフィニオンは、フ ランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください：
本社サイト：http://www.infineon.com
日本サイト： http://www.infineon.com/jp