イノテラの300mm生産施設立ち上げが進捗月間ウェハ投入量2万4,000枚を前倒しで達成、2005年末までに月間5万枚以上に

2004/10/19 | テクノロジー メディア

このリリースは台湾のイノテラ・メモリーズ社が、 10月19日付けで発表したプレスリリースの日本語訳になります。同社は、2002年11月に、台湾の南亜科技(ナンヤ・テクノロジー)と 独インフィニオンテクノロジーズが、標準メモリチップ(DRAM)の戦略提携にもとづき、折半出資により設立した合弁会社です。

湾の南亜科技(ナンヤ・テクノロジー)と独インフィニオンテクノロジーズの合弁会社、イノテラ・メモリーズは本日、生産の立ち上げが予定よりも早く所定目標を達成したと発表しました。イ ノテラの最先端の300mm DRAM生産施設は、月間ウェハ投入量2万4,000枚の能力をもって、当初の日程より約2カ月早く、2004年10月に第1段階が完了しました。生 産の立ち上げはインフィニオンの110nmトレンチ技術を適用して進められており、今年3月にイノテラが最初のウェハ処理を開始して以来、立ち上げスピードや歩留まり改善に関して、予 想を上回る成果をあげています。この短期間にイノテラは、インフィニオンと南亜科技に主要メモリ製品2品目(256MビットDDR1と512MビットDDR2)を 供給するサプライヤとしてのOEM品質認定もパスしました。
イノテラの社長であるチャールズ・コーは、「イノテラの立ち上げの早さと質の高さはDRAM業界における新しい規範を打ち立て、台湾の半導体メーカーの卓抜した能力を明確に示すものです」と、述 べました。最初のウェハ処理を開始して以来約6カ月で、イノテラは立ち上げの第1段階を完了しただけでなく、2つの主要量産品目について、順調な歩留まり水準で認定を取得しました。

イノテラの執行副社長であるカールハインツ・ホルニンガーは、「立ち上げをさらに継続し、2005年末までにイノテラを世界最大のDRAM生産施設にするよう、全力を尽くします。こ の適時性と卓越したスケールメリットの可能性は、市場ニーズに完ぺきに一致しているだけでなく、当社と当社のパートナーの競争力を強め、競 争が激しいDRAM業界において今後の挑戦課題を乗り切る力をもたらすでしょう」と、語りました。

イノテラの300mm半導体生産施設は、世界の半導体市場の成長と動向に合わせて、2つの段階に分けて設備を整えます。当初の日程より2カ月早く完了した第1段階では、月 間ウェハ投入量約2万4,000枚の生産能力を持つ施設ができました。第2段階の完了は現在のところ2005年末に予定されていますが、これによって月産能力は5万枚以上に増強されます。フル稼働に入れば、イ ノテラは世界最大のDRAM生産施設となる見込みです。

イノテラ・メモリーズについて
イノテラ・メモリーズは、台湾の南亜科技(ナンヤ・テクノロジー)と独インフィニオンテクノロジーズとの折半出資の合弁会社として、2002年に設立されました。所在地は、台 湾の桃園です。同社は、先進的なトレンチ技術を用いたDRAM製品の生産に焦点をおいています。ウェハの加工は、2004年4月に開始されました。イノテラは、南亜科技の量産能力および効率的なコスト低減能力と、 インフィニオンの300mmウェハを利用したワールドクラスの技術とを併せ持っています。

イノテラの詳細情報は下記ウェブサイトをご参照ください:
http://www.inotera.com

Information Number

INFXX200410.019