インフィニオンと南亜科技がDRAM技術開発および合弁生産で提携

2002/05/02 | テクノロジー メディア

独インフィニオンテクノロジーズは、台湾の半導体メーカー、南亜科技との交渉が決着し、標準メモリチップ(DRAM)分野で提携する非拘束の合意文書(MoU)に調印したと発表しました。合意に基づき、両 社は2002年10月から開発費分担の形で、300mmウエハ用の先進的な0.09μmおよび0.07μmプロセス技術の共同開発をスタートさせます。両社はまた、折 半出資でDRAMチップ生産の合弁会社を設立し、台湾に300mmウエハ対応工場を共同で建設することでも合意しました。300mmウエハ適用チップは2003年末から生産が開始され、2 004年下半期までに第一段階の生産能力が月間ウエハ投入量約2万枚に到達する予定です。合弁拠点は南亜の既存工場に近い桃園(Taoyuen)に設けられます。この合意の成立には独禁当局の認可が必要です。

インフィニオンのウルリッヒ・シューマッハ社長兼最高経営責任者(CEO)は、「今回の合意を含め、インフィニオンは台湾の複数パートナーとの協力拡大を系統的に進めています。当社は強い決意で、ア ジアでの地位強化と、世界のメモリチップ市場でのシェア拡大に取り組んでいます。南亜は当社と同じ技術基盤を持つという点で、理想的なパートナーです。両社は共同で、業 界を先導する当社の300mmウエハ技術をベースにした将来の生産プロセス技術の開発に取り組み、台湾に革新的な300mmウエハ対応半導体工場を建設する計画です。これにより、当 社は技術とコストの両面でのリーダーシップを一層強固にする方針です」と、語りました。

また、南亜科技の社長のジー・リエン博士(Dr. Jih Lien)は、「インフィニオンとの提携は、DRAMトレンチ技術の開発と生産における両社の強みを結合する重要なステップです」と、語 りました。

両社はインフィニオンのドレスデン工場で新しい0.09 μmおよび0.07μmプロセス技術を共同で開発し、それを新合弁工場にも適用します。新開発の0.09 μm技術を用いた300mmウエハ・ チップ生産は2003年末に桃園の新合弁工場で開始される予定です。さらに、この0.09 μm技術を200mmウエハにも適用することを計画中です。この将来の生産技術へ向けた共同開発のベースとなるのは、イ ンフィニオンの先進的な300mmウエハ対応DRAMトレンチ技術です。そのライセンスが南亜に供与されます。インフィニオンは世界に先駆けて、2 001年末にドレスデン工場で300mmウエハを適用した半導体量産を開始しました。構造幅がより微細な0.09 μmおよび0.07μmへの移行で、チップの生産性はさらに向上します。

桃園の合弁工場はインフィニオンのDRAMチップ国際工場群(ファブ・クラスタ)の一翼を担うことになり、ドレスデン(ドイツ)、リッチモンド(米国バージニア州)、プロモス・テクノロジーズ( 台湾の新竹:モセル・バイテリックとの合弁会社)から成る一群にこの拠点が加わります。このグローバル生産拠点ネットワーク構想は、世 界中のすべてのサイトで同じ高い品質基準と継続的な技術的知識の受け渡しを保証するものです。

南亜科技について
南亜科技(Nanya Technology Corporation: NTC)は1995年3月4日に創設されました。NTCは半導体製品の研究開発、設計、生産および販売を行っています。社 長兼最高経営責任者(CEO)はY.C. ウォング(Y.C. Wang)氏で、筆頭株主は台湾塑膠工業(Formosa Plastic Group)の傘下にある南亜塑膠工業(Nanya Plastic Coporation)です。NTCは1996年に半導体生産を開始し、1997年には米国カリフォルニア州サンノゼに北米事務所を開設しました。同社は1997年からファウンドリ・サービスを行っています。N TC に関する詳細情報については、次のURLをご参照ください:
http://www.nanya.com 



インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自 動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2003会計年度(9月決算)の売上高は61億5,000万ユーロ、2003年9月末の従業員数は約32,300名でした。イ ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。

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INFMP200205.080e