インフィニオンテクノロジーズが無線用GaAs-PHEMTスイッチを発表

2001/08/27 | テクノロジー メディア

独インフィニオンテクノロジーズは、マルチバンド携帯電話機、無線LAN、Bluetoothなどの無線通信市場へ向けて、3種類のGaAs-PHEMT( Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)スイッチを発表しました(型名:CSH210、CSH210R、CSH210P)。PHEMTスイッチは、次 世代携帯電話機や無線モジュールの要求性能に対応すると同時に、実装の省スペース化と、コストの低減に寄与します。

GaAs-PHEMTスイッチは、無線通信機器の設計において、送・受信アンテナの切換え、フィルタ帯域の選択、ローカルオシレータ(LO)の切換えなど、さ まざまなアプリケーションに用いられる重要なデバイスです。デュプレクサや弾性表面波(SAW)フィルタと組み合わせて、フロントエンド・モジュールを構成することも可能です。現 行のPINダイオードを用いたモジュールよりも小型になり、消費電流は1%以下と極めて低く抑えられます。

GaAs-PHEMTスイッチは、挿入損失が非常に低く、絶縁性に優れ、高い直線性を持ち、しかも、制御電流をほとんど消費しないという利点があります。インフィニオンのPHEMTスイッチはすべて、 正の制御電圧だけでバイアスでき、外部からの基準電圧は不要です。インフィニオンでは、GSMおよび3G携帯電話のサポートを目的に、PHEMTスイッチの製品系列をさらに拡充することを計画しています。

「CSH210」(正論理)と「CSH210R」(負論理)は、汎用のSPDT(単極双投)スイッチです。パッケージは、超小型SOT-363(2mm×2mm)です。1GHzおよび2GHzで、そ れぞれ0.3dBおよび0.4dBという低い挿入損失を実現しています。標準的な絶縁性能は、1GHz以下で24dB以上、2GHz以下で20dB以上です。両スイッチとも、制 御電圧+3Vでバイアスした時のP(-1dB)は30dBmを達成しています。

「CSH210P」は、「CSH210」の高電力版で、これもパッケージは、超小型のSOT-363(2mm×2mm)です。1GHzおよび2GHzで、そ れぞれ0.35dBおよび0.4dBという低い挿入損失を実現しています。標準的な絶縁性能は、1GHz以下で25dB以上、2GHz以下で22.5dB以上です。制御電圧+3Vでバイアスした時のP(-1 dB)は33dBm、IP3は56dBmを達成しています。

GaAs-PHEMTスイッチは現在、3種類ともサンプル供給可能です。単価は、10万個受注時で、「CSH210」と「CSH210R」が0.3ドル以下、「CSH210P」が 0.4ドル以下になります。インフィニオンのGaAs製品は、ミュンヘンの新鋭6インチGaAsウエーハ工場で製造され、すべての重要パラメータに対応した100%の高周波試験が行われています。

インフィニオンについて


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INFWS200108.111e

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  • Infineon Technologies Introduces Family of GaAs PHEMT Switches for Wireless Applications
    Infineon Technologies Introduces Family of GaAs PHEMT Switches for Wireless Applications
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