インフィニオンが世界最小のフラッシュメモリセル作成に成功

2004/12/16 | マーケットニュース

インフィニオンテクノロジーズの科学者たちは、半導体業界の記録を破る研究成果として、世界最小のフラッシュメモリセルの作成に成功しました。新 しいメモリセルの構造サイズは、わずか20ナノメートル(ヒトの髪の毛の太さの約5000分の1)です。露光装置など製造に関するすべての課題が解決できると仮定すると、新 しく開発されたセルによって近年中に記憶容量32ギガビット(4ギガバイト)の不揮発性メモリチップが実現できることになります。この記憶容量は、市場で現在入手できる容量の8倍にあたります。

不揮発性のフラッシュメモリは、デジタルカメラ、ビデオカメラ、USBスティックなどのマスストレージ媒体として普及が進んでいます。フラッシュメモリは、供給電圧がなくても、1 つのメモリセルに1ビットもしくは2ビットの情報を恒久的に保存できます。市場で現在入手できる最も先進的なフラッシュメモリの構造サイズは約90ナノメートルです。こ の構造サイズを従来の技術を用いて半分にすることは、ナノスケールの物理効果のため、多くの問題に直面しています。特に、構造サイズ20ナノメートルのフラッシュメモリセルの製造は、こ れらの物理効果によってメモリセルの信頼性がきわめて低くなるので、ほとんど不可能とされてきました。

インフィニオンの研究陣は、メモリセルの心臓部として機能するトランジスタを、フィンを備えたユニークな3次元構造にすることによって、この課題を克服しました。特殊な幾何学的構造が、不 都合な効果を最小化し、今日の平面的なトランジスタと比較して、静電気対策を大幅に改善します。「FinFET(Fin Field Effect Transistor)」と呼ばれるこのデバイスでは、厚 さ8ナノメートルのフィンが、幅20ナノメートルのゲート電極によって制御されます。情報を担う電子は、シリコンフィンとゲート電極のあいだに電気的に絶縁されて位置する窒化膜のなかに保存されます。

「FinFET」は、データ保持能力がきわめて高く、卓越した電気特性を備えています。市場で現在入手できる最も先進的なメモリは、1ビットを高信頼に記憶するために約1000個の電子を必要とします。新 しいメモリセルは電子を100個だけ使用します。さらに、同じトランジスタの内部で、別の100個の電子が第2の1ビットを記憶します。100個の電子とは、おおまかに1個の金原子の電子の数に相当します。こ のような最低限のチャージレベルにも関わらず、インフィニオンのミュンヘン研究所のサンプルは、卓越した電気特性を示しました。

新しいフラッシュメモリの詳細は、サンフランシスコで開催の2004年IEEE国際電子デバイス会議(IEDM、会期12月13~15日)において昨日、ポストデッドライン論文として発表されました。

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自 動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2004会計年度(9月決算)の売上高は71億9,000万ユーロ、2004年9月末の従業員数は約35,600名でした。イ ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。
インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください:
本社サイト: http://www.infineon.com

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INFCPR200412.023

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  • Scientists at Infineon Technologies Build the World`s Smallest Non-Volatile Flash Memory Cell
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