インフィニオンがCMOS技術による伝送速度40Gbpsの高速通信ICを実現

2002/11/12 | マーケットニュース

独インフィニオンテクノロジーズは、習熟された低コストのCMOS(金属酸化膜半導体)プロセス技術を適用して、高速通信ICの性能限界を突破したと発表しました。同社研究陣が、0.13μm CMOS技術を用いて、40Gbpsの伝送速度を達成するマルチプレクサ/デマルチプレクサ(多重/分離回路)チップセットの開発に成功しました。回路最適化技術と最大効率を持ったCMOS技術を利用して、同 社が持っていた従来の記録(25Gbps)を塗り替える成果をあげました。

この研究では、40GbpsのCMOS高速回路の開発をめざしました。この目標値は、従来はSiGe(シリコン・ゲルマニウム)バイポーラ技術か、GaAs(ガリウム砒素)やInP(インジウム燐)な どの複雑で高価なプロセス技術を使わないと達成不可能であったものです。CMOS技術の大きな利点は高い集積密度が可能な点にあり、それを活かせば、複 雑なロジックICを今回発表された高速回路と一体化することが可能です。これまで、多機能マルチプレクサ/デマルチプレクサ・チップセットは、個 別のSiGe高速デバイスとCMOSロジックICを使用して実現され、インフィニオンは現在これを市販しています。それだけに、今回の研究成果は、この分野のパイオニア的な業績といえます。

この成果によって、モノリシックICは開発サイクルの新段階を迎えることになります。それは、集積化による総消費電力の低減、生産性の向上、生産コストの低減などにより、技 術と経済の両面で大きなメリットをもたらします。従って、今回の研究成果は、40Gbpsアプリケーション分野でインフィニオンが今後も市場リーダーシップを維持するうえで、大きな役割を果たします。

インフィニオンのゼンケ・メアガルト(最高技術責任者=CTO)は、「当社は、今回の高速CMOS回路で新しい標準を打ち立て、半導体市場で技術リーダーとしての地位を一段と固めました。今 回およびその他の成功は、当社のグローバルな研究開発活動における勤勉と投資が生んだ成果です」と、語りました。

データ・マルチプレクサは、多くのデータ通信アプリケーションにおいて重要な要素であり、高い伝送速度でコスト効率よく伝送するために、い くつかの低速データ流を束ねて1本のシリアル高速データ流へ変換する働きを持っています。今回開発されたマルチプレクサ/デマルチプレクサ・チップセットは、電流モード・ロ ジックと50Ω差動I/Oを用いて実現されました。SiGeバイポーラICで広く用いられているこの回路技術に改良を加えることにより、今回、CMOSにも適用することに成功しました。4 0Gbps以上の高速伝送速度は、プリ・ラッチ構成、トランジスタ寸法および動作点の最適化、誘導負荷(ゲイン・ピーキング)、チップから外部への信号路最適化など、入念な回路最適化によってなしとげられました。 データ・マルチプレクサ(2:1)は、最初の試験で最大伝送速度43Gbpsを達成しました。供給電圧として1.5Vを用い、消費電力はわずか66mAでした。データ・デマルチプレクサ(1:2)では、最 大伝送速度40Gbpsが計測されました。これも1.5Vを用い、消費電力は72mAでした。

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自 動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2003会計年度(9月決算)の売上高は61億5,000万ユーロ、2003年9月末の従業員数は約32,300名でした。イ ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。

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INFCPR200211.018e

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  • Infineon Technologies sets standards for high frequency communication ICs: More than 40 Gbit/s using CMOS technology for first time
    Infineon Technologies sets standards for high frequency communication ICs: More than 40 Gbit/s using CMOS technology for first time
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