IEDM 2002におけるインフィニオンの技術発表

インフィニオンテクノロジーズの今回のニュースアラート・サービスでは、電子デバイス業界の主要な技術会議であるIEDM 2002で当社研究陣が行うプレゼンテーションの要点をご紹介します。

12月9～11日にサンフランシスコで開催の2002年度国際電子デバイス会議（IEDM）でインフィニオンの研究陣は、技術開発と新研究に関する9件のレポートを発表します。発表には、構 造寸法70nm以下（今日のチップ生産に適用されている最小寸法の約半分）のDRAMデバイスを設計・製造するための研究を扱った3件の論文が含まれています。インフィニオンの科学者はさらに、無 線アプリケーション向けシリコン・ゲルマニウム（SiGe）回路技術の進展、プラスチック・フィルムに回路を印刷する技術、バイオチップ回路によるDNA試料の完全電子化した検出など、広 範なテーマについて発表を行います。各論文の表題と要約を、以下にご紹介します。

DRAM技術の開発
インフィニオンのトレンチキャパシタ型DRAM製品を支える研究開発プログラムは、コンピュータ用メモリ製品の技術面および生産コスト面での当社のリーダーシップ強化を目指しています。

70nm以下のDRAMへ向けた完全空乏型SGT（Surrounding Gate Transistor）（セッション 10.8）：構 造寸法70nm以下をターゲットとした新しいトレンチキャパシタ型メモリセルの開発の成功について述べています。コンセプトでは、完全空乏型で縦型のアレイ・デバイスを適用します。完全空乏型により、優 れた駆動能力が達成され、縦型により高い実装密度が達成されます。この技術により、同じチップ寸法で、今日より200パーセント以上大きな記憶容量をもつメモリチップを実現することが原理的に可能です。

100nm以下の技術へ向けた完全集積型Al2O3トレンチキャパシタ型DRAM（セッション 33.6）：トレンチDRAMプロセスにおける高誘電率（high-k）キャパシタ素材として、今 日標準的に用いられている酸化窒素に代えて、Al2O3（アルミナ）を採用した研究の結果を紹介しています。この方法により、完成チップの動作特性や性能を犠牲にせずに、構 造寸法を優に100nm以下まで縮小することが可能となります。

トレンチキャパシタのエッチング速度とプロファイルに対する特徴スケール・モデル（セッション 35.5）：トレンチ技術を適用した高密度DRAMメモリ・アレイの効率的な設計を可能にする、2 つのコンピュータ・モデリング・アプリケーションについて述べています。

先端分野の研究
インフィニオンの研究開発プログラムは、今日の市場のためのチップ技術と、将来人々の生活を形成することになる新興市場およびチップ技術に、並行的に従事しています。

CMOSチップ上の完全電子化されたDNA検出：デバイスとプロセスの課題（セッション 19.2）：インフィニオンと業界パートナーによってまとめられたこの招待論文は、低 コストCMOSチップへのDNAセンサの集積について述べています。この技術は、科学研究とヘルスケアのための、新しいタイプの生化学試験および医療診断技術の創出を可能にします。

フレキシブル基板上に作成されたポリマーゲート誘電性ペンタセンTFTおよび回路（セッション 22.1）：硬いシリコン・チップに代えて、低 コストで柔軟なポリマー素材上に集積回路を作成する研究の、新たな進展を紹介しています。この技術によって、電子バーコードなど、電子技術の新市場が拓かれます。インフィニオンの研究陣と業界パートナーは、低 コストで柔軟なポリマー素材上に作成されたものとしてはおそらく最高速とみられる回路を開発しました。

5 ps以下の SiGeバイポーラ技術（セッション 31.1）：シリコン・ゲルマニウム（SiGe）は、移動通信用高速無線チップの生産に使用されている、今日の先端素材の一つです。イ ンフィニオンの研究陣は、この技術の性能効率を高める新しい回路設計について述べています。

インフィニオンテクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自 動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2003会計年度（9月決算）の売上高は61億5,000万ユーロ、2003年9月末の従業員数は約32,300名でした。イ ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。