OptiMOS™3 30 V und OptiMOS™2 100 V im neuen SuperSO8 Dual Gehäuse
Infineon bringt drei Benchmark-Produkte (OptiMOS ™ 3 30 V und OptiMOS ™2 100 V) in einer neuen Dual-Version des thermisch optimierten, flachen SuperSO8-Gehäuses auf den Markt. Das neue Gehäuse ist für platzkritische Anwendungen mit erhöhter Leistungsdichte ausgelegt und eignet sich ideal für den Computing- und Telekommunikations-Bereich.
Die wichtigsten Merkmale
- Dual-Version (zwei MOSFETs in einem Gehäuse) sorgt für erhebliche Platzeinsparungen
- Gehäuse mit verbessertem Wärmeverhalten (nach außen verlagerter Drain-Kontakt)
- Zweifach-Strombelastbarkeit (bis zu 20 A)
- Flaches Gehäuse (max. Höhe: 1,1 mm)
Anwendungsgebiete
- DC/DC-Wandler für Peripheriegeräte bei Computing-Anwendungen (30 V)
- DC/DC-Wandler für Peripheriegeräte bei Telekommunikations-Anwendungen (100 V)
- Power-und Battery-Management in Notebooks
Produkte im SuperSO8 dual Doppelgehäuse. Vorschläge für Layouts für eine und mehrere Phasen.
Bestellnummern
BSC072N03LD G SP000359607
BSC150N03LD G SP000359362
BSC750N10ND G SP000359610