Transistor & Diode

 
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650V Rapid 1 and Rapid 2 Si Power Diodes

Infineon'shighly efficient, fast recovery 650V Rapid 1 and Rapid 2 silicon diode families combine ultrathin wafer manufacturing expertise for a low loss vertical structure plus unique cell design - the Rapid diodes provide outstanding performance. The devices complement Infineon’s existing high power 600V and 650V diode portfolio by filling the gap between silicon carbide (SiC) diodes and emitter-controlled diodes to address the ultrafast and hyperfast power silicon diode markets.

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Product Brochure

Titel Größe Datum Version
3.6 MB 22 Feb 2010
4.7 MB 15 Feb 2010
2.4 MB 25 Nov 2008

Application Brochure

Titel Größe Datum Version
340 KB 23 Okt 2015 01_00

Product Selection Guide

Titel Größe Datum Version
4.7 MB 22 Feb 2016 00_00
2 MB 24 Okt 2014 01_00

Additional Product Information

Titel Größe Datum Version
879 KB 24 Okt 2014 01_00

Product Information

Titel Größe Datum Version
3 MB 12 Apr 2012

Article

Titel Größe Datum Version
568 KB 14 Mrz 2013

Application Notes

Titel Größe Datum Version
660 KB 24 Okt 2014 01_00

Product Brief

Titel Größe Datum Version
386 KB 14 Mrz 2013 02_00

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Evaluation Boards

Board Family Description Status
EVAL_600W_12V_LLC_C7 MOSFET, Power Controller, Gate Driver 600W DCDC/LLC stage, 400V/12V DC, 97.8% peak efficiency IPP60R180C7, BSC010N04LS, 2EDL05N06PF, ICE2HS01G, ICE2QR2280Z, 2EDN7524F
  • IPP60R180C7, BSC010N04LS, 2EDL05N06PF, ICE2HS01G, ICE2QR2280Z, 2EDN7524F
active and preferred

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Simulation Models

Titel Größe Datum Version
3 KB 23 Jun 2015 01_00
3 KB 23 Jun 2015 01_00

Simulation Tool

Titel Größe Datum Version
811 B 01 Apr 2016 01_00
811 B 01 Apr 2016 01_00
799 B 07 Apr 2016 01_00

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Infineon's New 650V Rapid Diode Families

Infineon's New 650V Rapid Diode Families

Infineon’s new Rapid 1 and 2 power silicon diodes complement the existing high power 600V/650V diodes, filling the gap between the SiC diodes and emitter-controlled diodes. The new hyper- and ultra-fast diode families offer outstanding efficiency and reliability and perfectly balance cost and performance. The additional 50V provide higher reliability without efficiency being penalized.

 
Length 4:07
Infineon's New 650V Rapid 1 Diode

Infineon's New 650V Rapid 1 Diode

Infineon`s Rapid 1 diode family, with 1.35V temperature-stable forward voltage (V F), ensures the lowest conduction losses and by means of soft recovery keeps EMI emissions to a minimum. They are perfectly suited for Power Factor Correction (PFC) topologies, typically found in major home appliances, like air conditioners and washing machines, as well as boost stages in photovoltaic inverters.

 
Length 4:13
Infineon's New 650V Rapid 2 Diode

Infineon's New 650V Rapid 2 Diode

The Rapid 2 diode family is designed for applications switching between 40 kHz and 100 kHz by offering low reverse recovery charge (Q rr) and time (t rr) to minimize the reverse conduction times attributed to the power switch turn-on losses and thus providing maximum efficiency.

 
Length 4:09

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