Pressemitteilungen

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Datum	Titel	Kategorie

25. Juni 2009	Infineon hebt den Ausblick für die Geschäftsentwicklung des dritten Quartals an	Wirtschaftspresse
19. Juni 2009	Infineon bietet OptiMOS™ 3 75 V-MOSFET-Familie mit idealen Schaltcharakteristika für energieeffiziente Leistungswandlung	Fachpresse
19. Juni 2009	Infineon kombiniert mit neuer Generation von CoolMOS™ MOSFETs die Vorteile der Superjunction-Technologie mit den Stärken traditioneller Hochvolt-Bauelemente	Fachpresse
9. Juni 2009	Infineon präsentiert die ersten integrierten Dual LDMOS-Leistungsverstärker; Ideal geeignet für Doherty-Architektur und kompakte Verstärker in Mobilfunk-Applikationen	Fachpresse
9. Juni 2009	Neue LDMOS-Leistungstransistoren von Infineon mit hoher Ausgangsleistung und Bandbreiten-Performance für Mobilfunk-Basisstationen der nächsten Generation	Fachpresse

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