Infineon bereitet mit GaN-Bauteilen den Weg für den Mobilfunkstandard der nächsten Generation

08.09.2015 | Fachpresse

München, Deutschland / Paris, Frankreich, 8. September 2015 – Die Infineon Technologies AG erweitert das branchenweit führende Produktangebot bei Galliumnitrid (GaN). Zur diesjährigen European Microwave Week wird eine Familie von Hochfrequenz-(HF)-Leistungstransistoren eingeführt, die auf GaN-on-Silicon Carbide-(SiC) basiert. Im Mobilfunk ermöglichen sie kleinere, leistungsstärkere und flexiblere Sender für Basisstationen. Die neuen Bauteile bieten einen besseren Wirkungsgrad, eine höhere Leistungsdichte und eine größere Bandbreite als derzeit verwendete HF-Leistungstransistoren. Dadurch machen sie den Infrastrukturaufbau bereits für heutige Mobilfunknetze wirtschaftlicher. Außerdem bereiten die GaN-Bausteine den Weg zur 5G-Technologie mit höheren Datenvolumen und einem so verbesserten Benutzerkomfort.

„Die neue Bauteilfamilie kombiniert unsere Innovationskraft mit unseren Kenntnissen darüber, welche Anforderungen an Mobilfunkinfrastrukturen gestellt werden. Damit bieten wir unseren Kunden weltweit HF-Leistungstransistoren der nächsten Generation an. Diese ermöglichen eine erheblich bessere Betriebsleistung und kleinere Baugrößen auf der Senderseite einer Mobilfunkbasisstation,“ erklärt Gerhard Wolf, Vice President und General Manager des Geschäftsbereichs HF-Leistungsprodukte von Infineon. „Mit dem Übergang zur Wide-Bandgap-Halbleiter-Technologie legen wir zusätzlich das Tempo für die weitere Entwicklung der Mobilfunkinfrastruktur vor.“

Die neuen HF-Leistungstransistoren nutzen die Leistungsfähigkeit der GaN-Technologie und erreichen dadurch einen um zehn Prozent besseren Wirkungsgrad und eine fünfmal höhere Leistungsdichte als die derzeit gängigen LDMOS-Transistoren. Dies verringert den Platz- und Energiebedarf für Leistungsverstärker von derzeit verwendeten Basisstationssendern, die entweder im Frequenzbereich von 1,8-2,2 GHz oder 2,3-2,7 GHz arbeiten. Zukünftige GaN-on-SiC-Bauteile werden zusätzlich 5G-Mobilfunkfrequenzbereichevon bis zu 6 GHz unterstützen. Bei diesem Technologiefahrplan für HF-Transistoren kann Infineon auf langjährige Erfahrung und moderne Produktionstechnologien bauen.

Designflexibilität und die Unterstützung der 4G-Technologie sind zusätzliche Vorteile von GaN-Bauteilen für HF-Leistungsanwendungen. Die neuen Bauteile weisen die doppelte HF-Bandbreite von LDMOS-Transistoren auf, so dass ein Leistungsverstärker mehrere Betriebsfrequenzen unterstützen kann. Sie stellen den Sendern ebenso eine höhere Echtzeitbandbreite bereit, wodurch Mobilfunkbetreiber mithilfe der für 4,5G-Netzwerke entwickelten Datenverdichtungstechnik höhere Datenraten anbieten können.

Verfügbarkeit

Entwicklungsmuster und Referenzdesigns stehen Kunden mit entsprechenden Geheimhaltungsvereinbarungen zur Verfügung. Weitere Informationen zu den GaN HF-Leistungstransistoren sind erhältlich unter www.infineon.com/rfpower.

Branchenführendes Portfolio im Bereich GaN-Technologie

Bereits Anfang des Jahres hat Infineon das durch die Akquisition von International Rectifier erweiterte GaN-Portfolio vorgestellt, mit umfassenden Patenten, GaN-on-Silicon-(GaN/Si)-Bauteilen, einem GaN/Si-Epitaxie-Prozess und Technologien im Bereich 100-600 V. Das Unternehmen hat zudem eine strategische Partnerschaft bekanntgegeben, die auf eine Integration der Enhancement Mode-GaN-on-Silicon-Transistorstruktur in ein Gehäuse für die Oberflächenmontage (SMD-Gehäuse) von Infineon abzielt. Damit stehen hoch effiziente, einfach einzusetzende 600-V-GaN-Bausteine mit der zusätzlichen Sicherheit von zwei Lieferquellen zur Verfügung.

Infineon bietet jetzt GaN-Technologie in Kombination mit weitreichender System-Expertise sowie dem umfassendsten Portfolio an Technologien und Produkten an. Darüber hinaus verfügt das Unternehmen über die modernsten Fertigungen für die Volumen-Produktion sowie eine Second-Source für normally-off GaN-Leistungsbausteine in einem SMD-Gehäuse von Infineon. Mit führenden LDMOS- und GaN-Technologien ist Infineon gut positioniert, um optimale Lösungen für die anwendungsspezifischen Kundenanforderungen bereitzustellen.

Infineon auf der European Microwave Week (EuMW)

Infineon präsentiert seine HF-Leistungstransistor-Technologie bei der EuMW in Paris (6. bis 11. September 2015) in der Halle Ternes auf dem Stand 309.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, die das Leben einfacher, sicherer und umweltfreundlicher machen. Mikroelektronik von Infineon ist der Schlüssel für eine lebenswerte Zukunft. Mit weltweit rund 29.800 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2014 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Im Januar 2015 übernahm Infineon den US-Konzern International Rectifier Corporation mit einem Umsatz von 1,1 Milliarden US-Dollar (Geschäftsjahr 2014, per 29. Juni) und rund 4.200 Beschäftigten.

Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Informationsnummer

INFPMM201509-077

Pressefotos

  • Die neuen HF-Leistungstransistoren von Infineon nutzen die Leistungsfähigkeit der GaN-Technologie und erreichen dadurch einen um zehn Prozent besseren Wirkungsgrad und eine fünfmal höhere Leistungsdichte als die derzeit gängigen LDMOS-Transistoren.
    Die neuen HF-Leistungstransistoren von Infineon nutzen die Leistungsfähigkeit der GaN-Technologie und erreichen dadurch einen um zehn Prozent besseren Wirkungsgrad und eine fünfmal höhere Leistungsdichte als die derzeit gängigen LDMOS-Transistoren.
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