Infineon präsentiert SiGe-Transceiver-Familie für Millimeterwellen-Backhaul-Anwendungen; BGTx0 vereinfacht Design von Small Cell-Infrastruktur

16.04.2013 | Fachpresse

Neubiberg, 16. April 2013 – Infineon Technologies hat heute eine neue Transceiver-Familie vorgestellt. Die Single-Chip-Lösung ersetzt mehr als zehn diskrete Bausteine und vereinfacht sowohl das Systemdesign als auch die Fertigungslogistik auf Anwenderseite. Die hochintegrierten Transceiver sind für Wireless-Backhaul-Kommunikationssysteme im Millimeterwellenbereich sowie hohe Datenraten ausgelegt und tragen mit ihrem niedrigen Energiebedarf zur Senkung der Fixkosten bei. Sie zielen dabei auf den Markt für drahtlose Daten-Links zwischen LTE/4G-Basisstationen und Core-Netzwerken mit Datenraten von mehr als 1 Gbit/s.

Die Bausteine der BGTx0-Familie von Infineon werden in einem Standard-Kunststoffgehäuse geliefert und ersetzen als Single-Chip-Lösung mehr als zehn diskrete Bausteine in bisherigen Systemdesigns. Der Bestückungsprozess auf Seite der Kunden wird deutlich vereinfacht, da der standardmäßige SMT-Prozess beibehalten werden kann.

Die BGTx0-Familie deckt das komplette Hochfrequenz (HF)-Frontend für die drahtlose Kommunikation in den Millimeter-Frequenzbändern von 57-64 GHz, 71-76 GHz oder 81-86 GHz ab. In Kombination mit einem Basisband-Modem benötigt die entsprechende Systemlösung deutlich weniger Platz und bietet eine höhere Zuverlässigkeit sowie geringere Kosten für Backhaul-Links, wie sie für Mobilfunk-Basisstationen für LTE/4G-Netzwerke erforderlich sind.

„Die für den LTE/4G-Backhaul verfügbaren V- und E-Band-Mikrowellenfrequenzen unterstützen Datenraten, die drei Mal höher sind als bei früheren Netzwerk-Generationen. Um den Anforderungen gerecht zu werden, benötigt man Komponenten mit ausgezeichneter Performance im Hochfrequenzbereich“ , sagte Philipp von Schierstaedt, Vice President und General Manager des Geschäftsfeldes RF & Protection Devices bei Infineon Technologies. „Bei dieser neuen Transceiver-Familie profitiert Infineon von seiner führenden Prozesstechnologie und seiner umfassenden Expertise beim Design von Hochfrequenzanwendungen. Damit können Systementwickler die Design-Komplexität verringern, die Produktionslogistik vereinfachen und letztendlich die Qualität und Zuverlässigkeit ihrer Backhaul-Verbindungslösungen verbessern.“

Die BGTx0-Transceiver haben alle erforderlichen HF-Funktionsblöcke auf einem einzigen Chip integriert: I/Q-Modulator, VCO (Voltage Controlled Oscillator), Leistungsverstärker (PA), LNA (Low Noise Amplifier), PGA (Programmable Gain Amplifier), SPI-Schnittstelle und mehr. Die Chips werden in einem Kunststoff-eWLB-Gehäuse (embedded Wafer Level Ball Grid Array) geliefert. Die Validierung und Kalibrierung der HF-Performance erfolgt während der Produktion mittels BIST (Built-In-Self-Test), was die Integration der Chips in den Produktionsprozess der Komponentenhersteller vereinfacht.

Die ausgezeichnete HF-Performance der SiGe-Technologie wird u.a. durch eine Ausgangsleistung des Leistungsverstärkers von 18 dBm, eine extrem geringe Rauschzahl von 6 dB für den LNA und ein Phasenrauschen für den VCO, das besser als -85 dBc/Hz bei einem Offset von 100 kHz ist, dokumentiert. Damit können Systementwickler leistungsfähige Modulations-Schemata bis hin zu QAM 64 mit Abtastraten von 500 MSamples/s oder QAM32 mit 1 GSample/s bei einer Bitfehler-Rate (BER) von nur 10 -6 implementieren. Schutz gegenüber elektrostatischen Entladungen (ESD) von mehr als 1 kV erhöht die Robustheit und vereinfacht das Systemdesign. Die geringe Leistungsaufnahme der Backhaul-Transceiver von weniger als 2 W ermöglicht es Netzbetreibern, ihre entsprechenden Betriebskosten zu senken. Dank der Direct-Conversion-Architektur der Transceiver vereinfacht sich das Interface zwischen dem HF-Teil und dem Basisband wesentlich im Vergleich zu den bisherigen diskret aufgebauten Millimeterwellen-Systemen.

Systemhersteller profitieren außerdem von dem für die Automobilindustrie qualifizierten Herstellungsprozess für die SiGe-ICs von Infineon.

Verfügbarkeit und Preise

Qualifikationsmuster der BTGx0-Familie sind ab September 2013 verfügbar. Die Serienproduktion ist für Ende des Jahres geplant. Weitere Informationen unter: www.infineon.com/backhaul

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.700 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2012 (Ende September) einen Umsatz von 3,9 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert.

Informationsnummer

INFPMM201304.035

Pressefotos

  • Die Bausteine der BGTx0-Familie von Infineon werden in einem Standard-Kunststoffgehäuse geliefert und ersetzen als Single-Chip-Lösung mehr als zehn diskrete Bausteine in bisherigen Systemdesigns.
    Die Bausteine der BGTx0-Familie von Infineon werden in einem Standard-Kunststoffgehäuse geliefert und ersetzen als Single-Chip-Lösung mehr als zehn diskrete Bausteine in bisherigen Systemdesigns.
    BGT60_BGT70_BGT80_eWLB

    JPG | 501 kb | 2670 x 2079 px