Infineon stellt neues Modul im Bereich 4,5 kV vor – IHV-Produktfamilie jetzt komplett

19.08.2013 | Fachpresse

Neubiberg, 19. August 2013 – Zuverlässigkeit und Robustheit sowie geringe Leitungs- und Schaltverluste bei höchster Leistungsdichte: Das sind die herausragenden Eigenschaften des neuen 4,5kV IHV-Moduls der Infineon Technologies AG. Das hochisolierende 6,5 kV-Gehäuse bietet einen verbesserten Schutz durch größere Luft- und Kriechstrecken und erlaubt damit den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen. Mit den weiter optimierten thermischen Eigenschaften eignet sich das neue IHV-Modul vor allem für den Einsatz im Bereich der Schienenfahrzeuge.

„Mit unserem neuen High-Power-Produkt zielen wir auf die internationalen Märkte für Schienenfahrzeuge. Aufgrund des ungebrochenen Trends nach höherer Mobilität gehen wir hier von einer weltweit weiter steigenden Nachfrage aus“, sagt Björn Rentemeister, der für die Vermarktung zuständige Manager der Division Industrial Power Control bei Infineon. „Das IHV-Modul wird deshalb in einem weltweit akzeptierten Gehäuse-Standard gefertigt, das dem Kunden eine schnelle und einfache Implementierung sowohl in neue als auch bereits existierende Designs ermöglicht.“

Das jetzt verfügbare Modul basiert auf einem IGBT 3 mit Trench-Field-Stop-Technologie sowie einer Field-Stop-Diode. Die geringen Leit- und Schaltverluste in Verbindung mit der Bodenplatte aus Aluminium-Siliziumkarbid mit einem geringen Ausdehnungskoeffizient und einer hohen Wärmeleitfähigkeit garantiert eine hohe Energieeffizienz bei gleichzeitiger Robustheit. Das Modul ist für Stromstärken zwischen 400 und 1.200 A ausgelegt und zeichnet sich durch eine verbesserte Gleichstromstabilität aus. Einsetzbar ist es in dem ausgeweiteten Temperaturbereich zwischen -50 °C und 125 °C. Auch unterhalb der Temperaturgrenze von 0 °C bleibt das Sperrvermögen vollständig erhalten.

Verfügbarkeit und Konfigurationen

Das neue IHV-Modul komplettiert die bestehende Produktfamilie, die jetzt aus den Modulklassen 3,3 kV, 4,5 kV und 6,5 kV jeweils in den Konfigurationen Single Switch und Dual Diode besteht. Eine Ergänzung der 4,5 kV-Modulklasse um eine Chopper- und eine weitere Dioden-Konfiguration ist Anfang 2014 vorgesehen. Für das erste Halbjahr 2014 plant Infineon die Einführung des Gehäusetyps B für Anwendungen im Bereich der Mittelspannungsantriebe, des Stromtransports einschließlich HGÜ und der -verteilung sowie der Wechselrichter für Windkraftanlagen.

Mit der jetzt komplettierten Produktfamilie kann Infineon ein breites IHV-Portfolio mit unterschiedlichen kundenspezifischen Topologien auf einer standardisierten Plattform anbieten. Zusammen mit der Robustheit, der hohen Zuverlässigkeit sowie Energieeffizienz der Module führt dies auf Kundenseite zu wettbewerbsfähigen Systemkosten. Kunden profitieren darüber hinaus von einer weltweiten Vertriebsorganisation, die die Unterstützung vor Ort mit der technologischen Expertise eines internationalen Halbleiterherstellers verknüpft.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.700 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2012 (Ende September) einen Umsatz von 3,9 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert.

Informationsnummer

INFIPC201308.060

Pressefotos

  • Das neue 4,5 kV IHV-Modul basiert auf dem IGBT 3 mit Trench-Field-Stop-Technologie sowie einer Field-Stop-Diode und garantiert geringe Leit- und Schaltverluste.
    Das neue 4,5 kV IHV-Modul basiert auf dem IGBT 3 mit Trench-Field-Stop-Technologie sowie einer Field-Stop-Diode und garantiert geringe Leit- und Schaltverluste.
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