Neue Diode von Infineon schützt USB 3.0 High-Speed-Anschlüsse extrem reaktionsschnell vor elektrostatischer Entladung bei bester Signalqualität

05.01.2011 | Fachpresse

Neubiberg, 5. Januar 2011 – Ob das aktuelle Album der Lieblingsband, Fotos vom letzten Sommerurlaub oder Filme in HD-Qualität – dank tragbarer Speichermedien kann heute jeder seine eigene Mediathek in der Hosentasche transportieren. Im Handumdrehen lassen sich die Daten auf Endgeräten wie Fernsehern oder Laptops abrufen. Je besser die Bild- und Tonqualität, desto größer ist jedoch auch die Datenmenge, die zwischen den Geräten ausgetauscht werden muss. Schnelle Schnittstellen sind also gefragt.


Dank des einfachen Plug-and-Play-Prinzips hat sich USB (Universal Serial Bus) als Verbindungssystem durchgesetzt. Mit einer Übertragungsrate von bis zu fünf Gigabit pro Sekunde ist USB 3.0 etwa zehnmal so schnell wie die Anschlüsse der zweiten Generation, benötigt aber nur rund ein Drittel der elektrischen Energie. Aufgrund ihres Designs sind die neuen USB-Anschlüsse allerdings besonders anfällig für elektrostatische Entladungen. Schon durch die bloße Berührung mit der Hand kann ein Stromimpuls entstehen und die frei werdende Energie das Gerät beschädigen oder im schlimmsten Fall unbrauchbar machen. Was für den Nutzer ärgerlich ist, kann für Hersteller im Falle von Produktrückrufen und Imageproblemen richtig teuer werden.


Die neue Schutzdiode ESD3v3u4ulc von Infineon absorbiert frei werdende Energie von elektrostatischen Entladungen (Electrostatic Discharge – ESD) und schützt auf diese Weise Geräte vor Schäden am USB-Port. Dank der niedrigsten Klemmspannung und des niedrigsten dynamischen Widerstands (0,23 Ω) aller derzeit auf dem Markt verfügbaren Produkte, reagiert die Diode im Falle einer Entladung besonders wirkungsvoll. Die Absorptionsfähigkeit von 20 kV übertrifft den höchsten Industriestandard (8 kV) nach IEC 61000-4-2. Trotz dieser herausragenden Schutzleistung beeinträchtigt die ESD3v3u4ulc die Signalqualität der High-Speed-Verbindung kaum. In herkömmlichen Lösungen führt ein effektiver Schutz zu einer Minderung der Signalintegrität und damit zu einer schlechteren Qualität des High-Speed-Signals.


Bei der ESD3v3u4ulc greift Infineon außerdem auf eine seiner neuesten Gehäusetechnologien zurück. TSLP-9-1 ermöglicht ein optimales Leiterplattenlayout, bei dem eine Diode bis zu vier Leitungen simultan schützt. Gerade für Hochgeschwindigkeits-Schnittstellen trägt ein geeignetes Gehäuse dazu bei, dass Signale schnell und ohne Qualitätsverluste übertragen werden können.


Verfügbarkeit und Preise


Die Schutzdiode ESD3v3u4ulc ist ab Januar 2011 in Volumenstückzahlen verfügbar. Stückpreise ab 0,60 US-Dollar bei 10.000 Stück.


Zusätzliche Informationen über die TVS-Dioden von Infineon unter www.infineon.com/USB3.0protection

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.650 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2010 (Ende September) einen Umsatz von 3,295 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Informationsnummer

INFIMM201101.014

Pressefotos

  • Die Gehäusetechnologie TSLP-9-1 ermöglicht ein optimales Leiterplattenlayout, bei dem eine Diode bis zu vier Leitungen simultan schützt.
    Die Gehäusetechnologie TSLP-9-1 ermöglicht ein optimales Leiterplattenlayout, bei dem eine Diode bis zu vier Leitungen simultan schützt.
    TSLP_9-1

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  • ESD3v3u4ulc schützt USB 3.0-Anschlüsse besonders wirkungsvoll vor Schäden durch elektrostatische Entladung ohne dabei die Signalqualität zu beeinträchtigen
    ESD3v3u4ulc schützt USB 3.0-Anschlüsse besonders wirkungsvoll vor Schäden durch elektrostatische Entladung ohne dabei die Signalqualität zu beeinträchtigen
    USB_3.0 ESD_Protection

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