Neue .XT-Technologie von Infineon erhöht deutlich die Lebensdauer von IGBT-Modulen und ermöglicht Sperrschicht-Temperaturen von bis zu 200 °C

04.05.2010 | Fachpresse

Neubiberg – 4. Mai 2010 – Infineon Technologies stellt heute auf der PCIM Europe 2010 in Nürnberg (4.-6. Mai) eine innovative, modulinterne IGBT-Verbindungstechnologie vor, die die Lebensdauer von IGBT-Modulen deutlich erhöht. Die neue .XT-Technologie optimiert alle Verbindungen innerhalb eines IGBT-Moduls, die für die Lebensdauer und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Damit begegnet Infineon den steigenden Anforderungen an neue Applikationen in Bezug auf die Anzahl der möglichen Schaltzyklen sowie einer höheren Leistungsdichte und den Einsatz bei höheren Temperaturen.


„Mit der neuen .XT-Technologie unterstreicht Infineon seine technologische Spitzenstellung bei Design und Fertigung von IGBT-Modulen. Damit setzen wir neue Maßstäbe in Bezug auf die Lastwechsel-Festigkeit als auch im Hinblick auf höhere Sperrschicht-Temperaturen“, sagte Martin Hierholzer, Vice President und General Manager Industrial Power von Infineon Technologies. „Die .XT-Technologie ermöglicht anspruchsvollste Anwendungen, beispielsweise in Nutzfahrzeugen oder Windkraftanlagen.“


Die neue .XT-Technologie kann die Lebensdauer von IGBT-Modulen im Vergleich zu herkömmlichen Verbindungs-Technologien um den Faktor 10 verlängern. Alternativ kann die Leistungsdichte um bis zu 25 % erhöht werden. Die neue Technologie unterstützt Sperrschicht-Temperaturen von bis zu 200 °C.


In IGBT-Modulen führen Lastwechsel zur Beanspruchung der modulinternen Verbindungen durch Temperaturänderungen. Die unterschiedlichen Längenausdehnungs-Koeffizienten der einzelnen Schichten verursachen thermischen Stress, der letztlich zu Materialermüdung und Verschleiß führen kann. Die neue .XT-Technologie deckt alle kritischen Bereiche für die Lastwechselfestigkeit (Power Cycling) ab: die Bondverbindungen auf der Chip-Oberseite, die Rückseitenlötung der Chips und die Lötung DCB (Direct Copper Bond)/Bodenplatte.


Die neue modulinterne Technologie ist entwickelt worden, dass sie sowohl in den meisten der bisherigen Gehäuse von Infineon genutzt werden kann, als auch in neuen Modulgehäusen. Alle drei neuen Technologien sind für die Standard-Prozesse von Infineon adaptierbar und ideal für die Volumenfertigung.


Verfügbarkeit


Als erstes Produkt auf Basis der neuen .XT-Technologie steht das PrimePACK 2-Modul FF900R12IP4LD zur Verfügung. Das Modul mit Dual-Konfiguration liefert 900 A eff und basiert auf IGBT4 Chips mit einer Sperrschicht-Temperatur von 150 °C.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 25.650 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2009 (Ende September) einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY" notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

INFIMM201005.046