Infineon Technologies und Fairchild Semiconductor vereinbaren Kompatibilität für Leistungs-MOSFETs

22.04.2010 | Fachpresse

Neubiberg, 22. April 2010 – Infineon Technologies und Fairchild Semiconductor gaben heute eine Partnerschaft bekannt für die Kompatibilität ihrer Gehäuse für Leistungs-MOSFETs – PowerStage 3x3 von Infineon und MLP 3x3 (Power33™) von Fairchild.


Die Vereinbarung erhöht die Liefersicherheit und ermöglicht es, Effizienz und thermisches Verhalten bei der DC/DC-Leistungswandlung optimal auszugestalten. Dazu bringen beiden Unternehmen ihre umfassende Expertise bei asymmetrischen Dual- und Single-MOSFETs für DC/DC-Anwendungen im Bereich von 3 A bis 20 A mit ein.


„Unsere Kunden profitieren von der Standardisierung der Gehäuse für Leistungshalbleiter, da die Anzahl der spezifischen Gehäuse auf dem Markt reduziert wird. Gleichzeitig bieten wir Lösungen mit höherer Performance bei kleineren Abmessungen im Vergleich zu früheren Generationen“, sagte Richard Kuncic, Director und Product Line Manager für Low Voltage MOSFETs bei Infineon Technologies.


„Infineon und Fairchild haben die Anschlussbelegung der entsprechenden Bausteine mit komplementärer Leistungsfähigkeit standardisiert, um den Kunden zwei Lieferanten für hocheffiziente Designs in Computing-, Telekom- und Server-Anwendungen bieten zu können“, sagte John Bendel, Senior Vice President für Low Voltage Produkte bei Fairchild. „Die Angleichung der Gehäuse hat das Ziel, leistungsfähige Produkte von mehreren Anbietern als Industriestandard anbieten zu können.”

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 25.650 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2009 (Ende September) einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY" notiert.

Informationsnummer

INFIMM201004.042