Infineon kombiniert mit neuer Generation von CoolMOS™ MOSFETs die Vorteile der Superjunction-Technologie mit den Stärken traditioneller Hochvolt-Bauelemente

19.06.2009 | Fachpresse

Neubiberg und Shenzhen, China – 19. Juni 2009 – Auf der China Power Show in Shenzhen hat Infineon Technologies heute mit der CoolMOS™ C6-Familie seine nächste CoolMOS-Generation und erste Produkte mit einer Sperrspannung von 600 Volt vorgestellt. Mit der neuen 600 V CoolMOS C6-Serie lassen sich energiesparende Anwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und PWM-Stufen deutlich effizienter ausführen. Die neue C6-Technologie kombiniert die Vorteile der Superjunction-Technologie bzw. Kompensations-Bausteine mit denen etablierter Standard-MOSFET-Technologien. Die C6-Technologie bietet damit sehr geringe Durchlasswiderstände – z.B. nur 99 mΩ im TO-220-Gehäuse – und geringe kapazitive Verluste verbunden mit leichter Kontrolle des Schaltverhaltens und hoher Robustheit der leitenden Body-Diode.


Die C6-Familie ist Infineons fünfte Generation von CoolMOS-MOSFETs. Vorgängergenerationen sind u.a. CoolMOS C3, die universell einsetzbar ist, und CoolMOS CP für Anwendungen, die höchste Schaltgeschwindigkeiten und geringste R DS(on) -Werte in Bezug auf das jeweilige Gehäuse erfordern. Die C6-Familie vereint die Vorzüge der extrem niedrigen Einschaltwiderstände der CP-Familie mit der einfachen Einsetzbarkeit der C3-Familie.


Mit der 600V CoolMOS C6-Serie profitieren Hersteller von Stromversorgungen von den Vorteilen der Superjunction-Technologie der CP-Familie mit ihren sehr geringen kapazitiven Verlusten und extrem niedrigen flächenspezifischen R DS(on)-Werten. Damit lassen sich effizientere, kompaktere und leichtere Stromversorgungen mit geringerer Abwärme realisieren. Gleichzeitig werden die Kontrolle des Schaltverhaltens und die Robustheit gegenüber parasitären Induktivitäten und Kapazitäten auf dem Board signifikant verbessert. Bei der CoolMOS C6-Familie ist die Wechselwirkung zwischen der Gate-Ladung, der Übertragungs-Steilheit und dem internen Gate-Widerstand so optimiert, dass auch bei sehr kleinen Gate-Widerständen bis Null Ohm keine hohen Spannungs- oder Strom-Steilheiten auftreten. Darüber hinaus sind die C6-Bausteine äußerst robust gegenüber einer harten Kommutierung der leitenden Body-Diode und können Herstellern von Schaltnetzteilen den Einsatz von MOSFET-Technologien mit schnellen, aber teuren Body-Dioden ersparen.


Mit einer hohen Energieeffizienz und einfachen Kontrolle des Schaltverhaltens der Vorgänger-Generation CoolMOS C3 sowie zusätzlich verbesserter Effizienz bei Leichtlast setzt die CoolMOS C6-Familie Maßstäbe für hart schaltende Anwendungen. Außerdem wird nur eine sehr geringe Energie in der Ausgangskapazität gespeichert. Dies und ihre hohe Robustheit bei Fehlerfällen wie der harten Kommutierung prädestiniert sie für resonante Schaltanwendungen.


Das Design mit CoolMOS C6-Komponenten gestaltet sich einfach. Sie wurden für den Einsatz in verschiedensten energiesparenden Anwendungen entwickelt, wie z.B. Stromversorgungen oder Adapter für PCs, Notebooks oder Mobiltelefone, Beleuchtungsprodukte (HID), LCD- oder Plasma-Bildschirme und andere Konsumgüter wie Spielekonsolen. Die neue Leistungshalbleiter-Generation CoolMOS C6 ermöglicht die Entwicklung sehr zuverlässiger Endprodukte, die die Anforderungen an eine hohe Energieeffizienz und die entsprechenden gesetzlichen Vorgaben erfüllen.


„Mit der Einführung der CoolMOS C6-Familie unterstreicht Infineon einmal mehr seine Fähigkeit, die Energieeffizienz einer Vielzahl von Geräten ständig zu verbessern, ohne deren Designphase zu erschweren“, sagte Andreas Urschitz, Vice President und General Manager in der Division Industrial and Multimarket, Infineon Technologies. „Mit unserer sehr effizienten und zuverlässigen CoolMOS C6-Generation, die auf einer innovativen und systemoptimierten Technologie basiert, stärken wir unsere führende Position im Marktsegment Power-Management.“


Verfügbarkeit


Erste Produkte der CoolMOS C6-Familie haben eine Sperrspannung von 600 V und Widerstandswerte von 70 mΩ bis zu 3,3 Ω. Muster des IPA60R190C6 mit 600 V und einem R DS(on) von 190 mΩ im TO-220 Fullpack-Gehäuse sind verfügbar. Beginn der Serienfertigung ist für August 2009 geplant.


Infineon auf der China Power Show


Infineon präsentiert die neuen 600V CoolMOS C6 Leistungshalbleiter und andere Produkt-Highlights auf seinem Stand A113 in Halle 7 auf der China Power Show (CPS, Shenzhen Convention & Exhibition Centre, Shenzhen, 19. bis 21. Juni 2009).


Weitere Informationen stehen unter www.infineon.com/power und www.infineon.com/coolmos zur Verfügung.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 29.100 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2008 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt „OTCQX International Premier“ unter dem Symbol "IFNNY" notiert.

Informationsnummer

INFIMM200906.064

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  • Mit der neuen 600 V CoolMOS™ C6-Serie lassen sich energiesparende Anwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und PWM-Stufen deutlich effizienter ausführen. Die C6-Technologie bietet sehr geringe Durchlasswiderstände – z.B. nur 99 mΩ im TO-220-Gehäuse – und geringe kapazitive Verluste verbunden mit leichter Kontrolle des Schaltverhaltens und hoher Robustheit der leitenden Body-Diode.
    Mit der neuen 600 V CoolMOS™ C6-Serie lassen sich energiesparende Anwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und PWM-Stufen deutlich effizienter ausführen. Die C6-Technologie bietet sehr geringe Durchlasswiderstände – z.B. nur 99 mΩ im TO-220-Gehäuse – und geringe kapazitive Verluste verbunden mit leichter Kontrolle des Schaltverhaltens und hoher Robustheit der leitenden Body-Diode.
    CoolMOS_C6

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