Infineon kündigt die weltweit ersten LDMOS-HF-Leistungstransistoren in Kupfer-basierten Open-Cavity-Plastikgehäusen für RoHS-kompatible Designs an

17.06.2008 | Fachpresse

Neubiberg, Deutschland und Atlanta, USA – 16. Juni 2008 – Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium kündigt die Infineon Technologies AG (FSE/NYSE: IFX) heute eine neue Familie von HF-Leistungstransistoren in einem innovativen Open-Cavity-Plastikgehäuse auf Kupfer-Basis an. Das neue EPOC® (Enhanced Plastic Open-Cavity)-Gehäuse bietet gegenüber herkömmlichen Gehäusen einen um 12 Prozent besseren thermischen Widerstand, aufgrund der höheren thermischen Leitfähigkeit von Kupfer. Damit wird ein ähnlich gutes thermisches und HF-Verhalten wie bei herkömmlichen Keramikgehäusen erzielt, jedoch bei geringeren Gesamtkosten und höherer Zuverlässigkeit. Mit dem EPOC-Gehäuse, der „Thin-Die“- und proprietären Technologie zur Chip-Montage erreicht Infineon die beste thermische Performance mit hoher Zuverlässigkeit und Konsistenz für den hochvolumigen Markt der Mobilfunk-Infrastruktur.

Auf Basis der fortschrittlichen LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor)-Prozesstechnologie sind die neuen Transistoren ideal für den Einsatz in Leistungsverstärkern für die hochleistungsfähige Mobilfunk-Infrastruktur geeignet. Darüber hinaus sind es die industrieweit ersten HF-Leistungstransistoren, die in diesem umweltfreundlichen Gehäuse verfügbar sind.

Bisher waren leistungsfähige RoHS-kompatible HF-Leistungstransistoren nur in Keramikgehäusen mit Gold beschichteten Kontakten verfügbar. Gängige Methoden um diese Gehäuse bleifrei verarbeiten zu können, umfassen typischerweise komplizierte clamping designs, kundenspezifische Lötprofile und Prozesse mit bleifreien Loten oder teure Verfahren zur Entfernung der Goldschicht. Das Open-Cavity-Plastikgehäuse von Infineon bietet dazu eine Alternative, mit der man die Fertigungskosten signifikant senken kann. So kostet allein die Entfernung des Goldes für ein Gehäuse zwischen 2 und 8 US-Dollar, je nach Anzahl der Anschlüsse. Ein Verzicht auf dieses Verfahren kann die gesamten Produktionskosten für einen typischen 120-W-Transistor um 10 bis 25 Prozent senken.

Darüber hinaus sorgt die ausgezeichnete thermische Performance des Open-Cavity-Plastikgehäuses für eine um 5 Prozent (typisch) geringere Sperrschicht-Temperatur. Das resultiert in höherer Zuverlässigkeit und prädestiniert die neuen HF-Leistungstransistoren für die neue Generation der Mobilfunk-Basisstationen in Tower-Schaltschränken.

„Die hohe Dynamik des Mobilfunkmarktes sorgt für einen ständigen Kostendruck auf dem Markt für Basisstations-Verstärker, während andererseits die Performance ein Schlüsselkriterium bei HF-Leistungsverstärkern ist“, sagte Helmut Vogler, Vice President und General Manager für RF Power bei Infineon Technologies. „Daher war es ein wesentliches Ziel beim Design der neuen Produktfamilien, eine hohe Performance in dem EPOC-Gehäuse bei möglichst geringen Gesamtkosten zu erreichen. Damit können Entwickler kleinere und energieeffizientere Leistungsverstärker realisieren, wie sie von den Betreibern der modernen mobilen Kommunikationsnetzwerke für ihre Basisstations-Infrastrukturen gefordert werden.“

Baustein-Details

Die Betriebsfrequenzen der neuen LDMOS-Bausteine reichen von 920 MHz bis 1880 MHz und decken alle typischen Modulationsverfahren mit einer durchschnittlichen Ausgangsleistung von 25 und 50 W ab.

Mit einer Versorgungsspannung von 28 V bieten die PTFA091201GL und PTFA091201FL eine typische Verstärkung von 18.5 dB und einen Wirkungsgrad von 44 Prozent bei 50 W Ausgangsleistung. Diese Transistoren sind ideal für GSM/EDGE-Applikationen im Frequenzband von 920 MHz bis 960 MHz.

Die Transistoren PTFA181001GL und PTFA181001HL weisen eine typische Verstärkung von 17 dB sowie einen Wirkungsgrad von 27,5 Prozent bei einer Ausgangsleistung von 25 W unter typischen WCDMA-Signalbedingungen mit Betriebspannung von 28 V auf. Damit sind diese Transistoren ideal für WCDMA- und GSM/EDGE-Applikationen im Frequenzband von 1805 MHz bis 1880 MHz.

Verfügbarkeit

In Produktionsstückzahlen werden die neuen LDMOS-HF-Transistoren ab dem dritten Quartal 2008 verfügbar sein.
Infineon präsentiert die neue Familie der LDMOS-HF-Leistungstransistoren für die Mobilfunk-Infrastruktur auf seinem Stand (Stand-Nr. 1216) während des IEEE MTT-S International Microwave Symposiums vom 16. bis 19. Juni 2008 in Atlanta.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 43.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 13.500 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2007 (Ende September) einen Umsatz von 7,7 Milliarden Euro (davon 3,6 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert.

Informationsnummer

INFCOM200806.073