Neue 100V-MOSFET-Familie von Infineon bietet den industrieweit geringsten Durchlasswiderstand und höchste Schaltgeschwindigkeiten für AC/DC-Schaltnetzteile und DC/DC-Spannungswandler

21.03.2006 | Fachpresse

München und Dallas, Texas – 21. März 2006 – Anlässlich der Leistungselektronikmesse APEC (Applied Power Electronics Conference and Exposition) hat die Infineon Technologies AG heute ihre neue Familie von 100-V-MOSFETs vorgestellt. Im Vergleich zu Standard-Lösungen senken diese MOSFETs die erforderliche Bauelemente-Anzahl für Schaltnetzteile (SMPS) um 30 Prozent und die Schaltverluste um bis zu 20 Prozent. Bei Durchlasswiderstand und „Figure Of Merit” (FOM, Produkt aus Durchlasswiderstand und Gate-Ladung) ist Infineon industrieweit führend. Mit einem Durchlasswiderstand von nur noch 4,4 mΩ (Milliohm) in Standardgehäusen und einer FOM bis hinunter zu 410 mΩnC (Milliohm Nanocoulomb) eignet sich die OptiMOS ® 2 100V-Familie für Anwendungen mit Schaltfrequenzen von 250 kHz und darüber.
 
Die 100V-MOSFETs der OptiMOS 2-Familie wurden speziell für AC/DC- und DC/DC-Spannungswandler entwickelt, wie sie in Stromversorgung in Computerservern sowie Telekommunikations- und Netzwerksystemen zum Einsatz kommen. Mit ihren sehr guten Werten bei Durchlasswiderstand bzw. FOM sind die 100V-MOSFETs ideal für viele andere getaktete Leistungswandler, wie Class D-Verstärker, Motorsteuerungen oder unterbrechungsfreien Strom-Versorgungen.
 
In DC/DC-Wandlern ermöglicht der geringe Durchlasswiderstand reduzierte Leitungsverluste bei hohen Lasten. Bei geringen Lasten sorgen die niedrige FOM g (Gate Charge FOM) bzw. FOM gd (Gate-Drain Charge FOM) für verringerte Schaltverluste auf der Primärseite von hocheffizienten DC/DC-Brick-Spannungswandlern. Die FOM gd ist ein genauerer Indikator für die Schaltverluste ist als die FOM g. In beiden Fällen bieten die 100V-MOSFETs der OptiMOS 2-Familie die industrieweit geringsten Werte. Mit derselben Anzahl von Bauteilen und vergleichbarem Gehäuse lassen sich mit OptiMOS 2 die Verluste um 20 Prozent bei Voll-Last senken. Im Gegensatz zu Wettbewerbslösungen ist der Wirkungsgrad auch bei geringen Lasten höher. Soll der Wirkungsgrad des Schaltnetzteils beibehalten werden, lässt sich durch OptiMOS die Anzahl der benötigten Bauteile um 20 Prozent senken.
 
In AC/DC-Spannungswandlern kommt zu dem geringen Durchlasswiderstand und der niedrigen Gate-Ladung eine hohe Immunität bei dynamischen Einschaltvorgängen. Beides zusammen resultiert in geringen Leitungsverlusten und in einem sicheren Betrieb der synchronen Gleichrichter-Stufe. Im Vergleich zu herkömmlichen Technologien kann mit den neuen OptiMOS 2 100V-MOSFETs die Anzahl der benötigten Bauteile für die Sekundärseite einer synchronen Gleichrichter-Stufe in AC/DC-Schaltnetzteilen um 30 Prozent reduziert werden. Selbst unter den üblicherweise höheren Temperaturen, wie sie in AC/DC-Schaltnetzteilen herrschen, sorgt der geringe Temperaturkoeffizient des Durchlasswiderstands für geringere Leitungsverluste.
 
Mit der OptiMOS 2-Familie bietet Infineon das industrieweit größte Portfolio an 100V-Leistungs-MOSFETs, mit 20 bereits verfügbaren und 40 weiteren geplanten. Damit kann Infineon den Entwicklern von Stromversorgungen für die jeweilige Applikation hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Gehäuseform den jeweils optimalen Leistungshalbleiter anbieten.
 
„Mit der Einführung der neuen Familie OptiMOS 2 100V unterstützt Infineon seine Kunden dabei, die Nachfrage nach hocheffizienten Stromversorgungen zu erfüllen“, sagte Dr. Gerald Deboy, Leiter Technisches Marketing im Bereich Power Management & Supply bei Infineon Technologies. „Wir steigern die Design-Flexibilität, ermöglichen es, die Anzahl der benötigten Bauteile und die Systemkosten zu senken, erhöhen die Leistungsfähigkeit und verbessern den Wirkungsgrad für die jeweilige Applikation. Die industrieweit führenden Eigenschaften der neuen Bauelemente setzen den Maßstab bei Niederspannungs-MOSFETs und unterstreichen Infineons führende technologische Position im Markt für DC/DC Spannungswandler.“
 
Die neue Familie OptiMOS 2 100V bietet auch ein ausgezeichnetes Stoßentladungsverhalten (Avalanche) das nahe an dem theoretisch möglichen Wert der MOSFET-Technologie liegt. Darüber hinaus sind die neuen MOSFETs praktisch immun gegenüber dynamischen Einschaltvorgängen. Aus diesen beiden Eigenschaften ergeben sich eine erhöhte Stabilität, Zuverlässigkeit und maximale Leistungsfähigkeit für die beschriebenen Zielapplikationen.
Gehäuse, Verfügbarkeit und Preise
 
OptiMOS 2 100V ist in den Gehäusevarianten TO-252 (D-Pak), TO-262 (I2-Pak) und TO-220 mit Durchlasswiderständen von 5,4 mΩ bis 80 mΩ bereits verfügbar. Weitere Gehäuse-Varianten wie D2-Pak, I-Pak und Super SO8 werden im Laufe des Jahres 2006 verfügbar sein. Bei Stückzahlen von 10.000 liegt der Einzelstückpreis für die 4,4-mΩ-TO-220-Version (IPP04CN10N) bei unter 2 Euro (unter 2,40 US-Dollar) und für die schnelle D-Pak-Version (IPD64CN10N) bei unter 0,35 Euro (unter 0,40 US-Dollar).
 
Weitere Informationen zu den Leistungshalbleitern von Infineon erhält man unter www.infineon.com/power und zu den OptiMOS-Produkten unter www.infineon.com/optimos.

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket, für Anwendungen in der Kommunikation sowie Speicherprodukte. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten über Landesgesellschaften in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 36.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2005 (Ende September) einen Umsatz von 6,76 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

INFAIM200603.048