Infineon bemustert industrieweit dünnste DDR2 4-GByte- Speichermodule für Server; Dual-Die-Technologie verdoppelt Speicherkapazität

25.02.2005 | Market News

München, 25. Februar 2005 – Infineon Technologies AG bemustert als industrieweit erstes Unternehmen 4-GB(Gigabyte)- DDR2-Registered-DIMMs (Dual Inline Memory Module) in Dual-Die-Technologie für Server-Applikationen und unterstreicht damit seine Vorreiterrolle als führender Speicheranbieter. Das neue Modul ist mit achtzehn 2-Gb(Gigabit)-DDR2-Komponenten bestückt, die aus zwei übereinander gestapelten 1-Gbit-DDR2-SDRAMs bestehen. Durch die sogenannte Dual-Die-Technologie wird die Speicherdichte bei einer nur 0,1 mm höheren Komponente verdoppelt. Infineon’s 4GB-DDR2-Registered-DIMMs sind mit 4,1 mm Moduldicke bei einer Standardhöhe von 30 mm um rund 40 Prozent dünner als vergleichbare Lösungen und übertreffen damit JEDEC(Joint Electronic Device Engineering Council)-Anforderungen bei gestapelten Lösungen. Dünnere Module verbessern die Luftzirkulation und die thermischen Bedingungen in aktuellen DDR2-basierten Servern, die bis zu vier 4-GB-Module verwenden und eine Gesamtspeicherkapazität von 16-GB pro System erzielen können.

Bei der Dual-Die-Technologie werden zwei identische Chips in einem BGA(Ball Grid Array)-Gehäuse übereinander gestapelt. Als industrieweit erstes Unternehmen hat Infineon damit die Herausforderungen, die mit der Volumenfertigung von sehr schnellen DDR2-Dual-Die-Chips verbunden sind, gemeistert. Infineon entwickelte zusätzliche Prozessschritte, um die komplexe Interaktion verschiedener Faktoren, von thermischer und elektrischer Art bis hin zu Dichte, Größe und Stromverbrauch, handhaben zu können.

Im Gegensatz zu herkömmlichen Gehäusestapeltechnologien, bei denen zwei Chips in separaten Gehäusen gestapelt werden, erhöht Infineons Dual-Die-Technologie die Speicherdichte, bei nahezu unveränderten Gehäuseabmessungen und hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften.

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket, für Anwendungen in der Kommunikation sowie Speicherprodukte. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten über Landesgesellschaften in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 35.600 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2004 (Ende September) einen Umsatz von 7,19 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

INFMP200502.040

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  • Infineon`s 4GB DDR2 registered DIMMs with 4.1mm module thickness and standard-size 30mm height are by around 40 thinner than competing solutions, hence outperforming JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) requirements for stacked solutions.
    Infineon`s 4GB DDR2 registered DIMMs with 4.1mm module thickness and standard-size 30mm height are by around 40 thinner than competing solutions, hence outperforming JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) requirements for stacked solutions.
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  • The new module is based on eighteen 2Gbit (Gigabit) DDR2 components, realized by stacking two 1Gbit DDR2 SDRAMs. This approach called Dual Die technology allows to double memory density while increasing component height by only 0.1mm.
    The new module is based on eighteen 2Gbit (Gigabit) DDR2 components, realized by stacking two 1Gbit DDR2 SDRAMs. This approach called Dual Die technology allows to double memory density while increasing component height by only 0.1mm.
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  • The new module is based on eighteen 2Gbit (Gigabit) DDR2 components, realized by stacking two 1Gbit DDR2 SDRAMs. This approach called Dual Die technology allows to double memory density while increasing component height by only 0.1mm.
    The new module is based on eighteen 2Gbit (Gigabit) DDR2 components, realized by stacking two 1Gbit DDR2 SDRAMs. This approach called Dual Die technology allows to double memory density while increasing component height by only 0.1mm.
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