Infineon bietet weltweit ersten IGBT mit leistungsfähiger monolithisch integrierter Diode als kostengünstige Alternative zu MOSFETs in Lampenvorschaltgeräten für Leuchtstoffröhren

20.10.2003 | Fachpresse

München, 20. Oktober 2003 – Speziell für den Einsatz in elektronischen Lampenvorschaltgeräten kündigt Infineon Technologies ein neues Mitglied seiner IGBT- (Isolated Gate Bipolar Transistor) Produktfamilie an. Die neuen LightMOS-IGBTs sind die ersten IGBTs mit monolithisch integrierter Rückwärtsdiode für „resonante“ Halbbrücken-Topologien in elektronischen Lampenvorschaltgeräten (Electronic Lamp Ballast, ELB) für Leuchtstoffröhren. Die Produkte sind für Schaltfrequenzen zwischen 40 und 60 kHz optimiert und somit eine kostengünstige Alternative zu MOSFETs, die sie bei gleicher Funktionalität zu einem etwa 15 Prozent niedrigeren Preis ersetzen können. Verglichen mit herkömmlichen magnetischen Lampenvorschaltgeräten kann der konsequente und flächendeckende Einsatz von ELBs den weltweiten Energieverbrauch für die Beleuchtung von Haushalten und Büroräumen um jährlich bis zu 25 Prozent senken.

Die LightMOS-IGBTs verfügen über eine Sperrspannung von 600V und kombinieren Trench- und FieldStop-Technologie für niedrigste Durchlass- und Schaltverluste. Ein weiterer Vorzug der IGBTs ist das im Vergleich zu MOSFETs einfachere Schaltungs-Design. Denn bei IGBTs ist die Verlustleistung weniger abhängig von der Temperatur. Damit verringert sich das Risiko von thermischen Instabilitäten, die bei MOSFETs sehr kritisch sind. Die LightMOS-Bausteine können deshalb wesentlich enger an ihren Spezifikationsgrenzen betrieben werden.

Zu den Vorteilen der von Infineon entwickelten TrenchStop-Technologie zählen die hohe Robustheit und Kurzschlussfestigkeit, bessere Zuverlässigkeit und die niedrige elektromagnetische Interferenz (EMI). Während die FieldStop-Struktur innerhalb des Leistungshalbleiters dafür sorgt, dass der beim Schalten auftretende Tail-Strom beträchtlich verkürzt wird, begrenzt die Trench-Zelle aufgrund der extrem niedrigen Sättigungsspannung gleichzeitig die Durchlassverluste auf ein Minimum. Dadurch wird erheblich weniger Verlustwärme erzeugt was LightMOS zur 1. Wahl im ELB macht.

Die neuen LightMOS-IGBTs sind in besonders platzsparenden DPak- und D 2Pak-Gehäusen untergebracht und ermöglichen auf Bauteilebene Kostenvorteile von etwa 15 Prozent. LightMOS-Bausteine im DPak-Gehäuse können 1,5 bis 3Ohm-MOSFETS im DPak ersetzen. Außerdem sind LightMOS-Produkte in den Gehäuseformen TO-220 und TO-220-Fullpack erhältlich. Diese ersetzen 1Ohm-MOSFETS, falls eine entsprechende Kühlung vorhanden ist.

Verfügbarkeit und Preise



Die neuen LightMOS-IGBTs sind in Musterstückzahlen verfügbar. Die Volumenlieferung beginnt Mitte November 2003. Für die 600V/3A-Version im DPak-Gehäuse liegt der Preis unter 0,25 Euro pro Stück bei Stückzahlen von 50 Tausend.

Infineon Technologies präsentiert die neuen Leistungshalbleiter im Rahmen der “PowerSystems World” auf der Messe “Power Electronics Technology Exhibition & Conference” (4. - 6. November 2003, Long Beach Convention Center, Long Beach, Kalifornien, USA).

Weitere Informationen zum IGBT-Angebot von Infineon unter: www.infineon.com/lightmos

Über Infineon



Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com

Informationsnummer

INFAI200310.002

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