Infineon unterstreicht führende Position bei Speichern für PCs, Handheld-Geräte und Netzwerke und bemustert ersten Single-Chip-HF-Transceiver für W-CDMA/UMTS-Anwendungen

17.03.2003 | Fachpresse

München – 17. März 2003 – Infineon Technologies kündigte heute mehrere Neuentwicklungen aus dem Geschäftsbereich Speicherprodukte an. Mit den neuen ICs und Modulen unterstreicht Infineon seine Position als führender DRAM-Anbieter für PC, Server, batteriebetriebene Systeme und Netzwerke. Ausserdem sind von Infineon die ersten Muster eines vollintegrierten Single-Chip-HF-Tansceivers für W-CDMA/UMTS Applikationen verfügbar.

  • Erste Speicherchips für die neue DDR2-Speicher-Generation verfügbar.

  • Infineon liefert Entwicklungsmuster von 1-GB-DDR-SO-DIMMs (Small-outline DIMMs) für leistungsfähige Notebooks und Laptop-PCs.

  • Infineon erweitert seine Mobile-RAM-Familie mit einem neuen 512-Mbit-SDRAM-Chip für platzkritische Low-Power-Anwendungen.

  • Volumen-Produktion von RLDRAMs (Reduced Latency DRAM) mit 256 Mbit. Die Memec Gruppe als nordamerikanischer Distributions-Partner von Infineon bietet außerdem eine RLDRAM-Entwicklungsplattform an.

  • Erste Muster eines vollintegrierten HF-Tansceivers für 3G-Applikationen (W-CDMA/UMTS ) verfügbar.


Für einen schnellen Überblick sind in diesem News Alert alle Ankündigungen kurz zusammengefasst. Weitere, detaillierte Informationen sind unter den angegebenen Websites oder über die Pressestelle erhältlich.

Erste Muster von 512-Mbit-DDR2-SDRAMs jetzt verfügbar


Infineon hat mit der Bemusterung von 512-Mbit-DDR2 (zweite Double-Data-Rate-Generation) SDRAMs begonnen. Diese sehr schnellen Speicher zielen auf die nächste Generation von Servern, Workstations, High-end-PCs sowie -Notebooks und bieten Datenraten von 400, 533 und 667 Mbit/s. Darauf aufbauende Speichermodule mit beispielsweise 533-Mbit/s-Chips bieten eine Daten-Bandbreite von 4,3 Gbytes/s.

Die JEDEC-kompatiblen 512-Mbit-DDR2-Chips werden auf Basis der 110-nm-DRAM-Prozesstechnik von Infineon gefertigt. Die neuen DRAMs sind in den Organisationen x4 , x8 und x16 verfügbar. Zusätzliche Merkmale der High-end-Speicher sind eine Pre-fetch-Größe von 4 Bits, differentieller Strobe und variabler Impedanz-Abgleich für den Daten-Ausgang.

Infineon geht davon aus, dass die DDR2-Komponenten ab 2004 in entsprechenden Systemen eingesetzt werden. Weitere Informationen zu den DDR2-Speichern von Infineon unter: www.infineon.com/DDR2

1-GB-DDR-SO-DIMMs (PC2100)


Infineon stellt erste Muster von 1-GByte-DDR-SO-DIMMs für hochleistungsfähige Notebooks and Laptop-PCs zur Verfügung. Die 1-GB-Speichermodule sind aus acht 1-Gbit-Komponenten aufgebaut, die wiederum zwei 512-Mbit-ICs in einem einzigen Gehäuse nutzen. Diese innovative Gehäusetechnik ermöglicht die frühzeitige Bereitstellung von 1-Gbit-DDR-I-Komponenten gemäß dem JEDEC PC2100-Format. Das Modul hat eine 200polige Steckverbindung, arbeitet mit 2,5 V und ist als 2 Bank 128 Mbit x 64 organisiert.

Entwicklungsmuster der PC2100-Module sind für 900 US-Dollar erhältlich. Eine PC2700-kompatible Version des 1-GB-Moduls wird ab dem 2. Quartal 2003 verfügbar sein. Weitere Informationen unter: www.infineon.com/memory/fbga

Mobile-RAM-Familie um 512-Mbit-Komponenten erweitert


Infineon hat jetzt seine bisher aus 128- und 256-Mbit-Chips bestehende Mobile-RAM-Familie um Speicher-ICs mit 512 Mbit Kapazität erweitert. Mit jeweils um rund 50 Prozent kleineren Abmessungen und geringerer Leistungsaufnahme als konventionelle DRAMs sind die Mobile-RAMs prädestiniert für Speicherapplikationen in Handheld-Geräten wie PDAs, Smart-Phones, Web-Pads oder digitalen Kameras. Die Mobile-RAMs arbeiten mit 2,5 V - im Vergleich zu 3,3 V bei Standard-DRAMs - während die Leistungsaufnahme durch spezielle Power-Management-Funktionsmerkmale weiter reduziert wird. Die 512-Mbit-Mobile-RAMs sind in Muster-Stückzahlen zu einem Einzelpreis von 40 US-Dollar erhältlich. Weitere Informationen: www.infineon.com/Mobile-RAM

RLDRAM mit 256 Mbit


Von Infineon sind jetzt RLDRAMs (Reduced Latency DRAMs) mit 256 Mbit in Produktionsstückzahlen verfügbar. Damit können Entwickler von Netzwerksystemen mit Datenraten von 10 bis 40 Gbit/s (OC-192 und OC-768) ihre Systeme für die Pufferung der Datenpakete, IP-Adressierung und schnelle Cache-Applikationen optimieren. Die RLDRAMs ermöglichen einen sehr schnellen Random-Zugriff mit Zykluszeiten (Reihe) von nur 25 ns. Damit sind sie eine preiswerte Alternative zu SRAMs. Verschiedende Unternehmen stellen Entwicklungsboards für RLDRAM-System-Designer zur Verfügung, einschließlich des Avalon Reference Design Systems von Avnet Design Services, und ein Referenzboard von der Memec Gruppe – einem spezialisierten globalen Halbleiter-Distributor. Weitere Informationen unter: www.infineon.com/memory/rldram

Infineon liefert HF-Transceiver für W-CDMA/UMTS-Applikationen


Infineon hat mit der Auslieferung der ersten Muster eines vollintegrierten HF-Tansceivers (IC PMB5698) für W-CDMA/UMTS an ausgewählte Kunden begonnen. Der Chip wurde für den Einsatz in mobilen W-CDMA- und UMTS/GSM-Applikationen gemäß 3GPP entwickelt. Mit seiner sehr geringen Stromaufnahme trägt er zur weiteren Erhöhung der Betriebs- und Standby-Zeiten von neuen 3G-Mobiltelefonen bei.

Die hochintegrierte Single-Chip-Lösung vereinfacht das Design von mobilen Applikationen in Hinblick auf die benötigten Bauelemente und den Platzbedarf gegenüber konventionellen separaten Sender/Empfänger-Implementierungen ganz erheblich. Durch die kompakte, umfassende Architektur kann die sonst erforderliche Zwischenstufe (IF-Stufe) mit zusätzlichen Komponenten wie SAW-Filtern entfallen. Der Chip ist in einem 50poligen (0,5 mm Pin-Raster) P-VQFN-Gehäuse untergebracht. Infineon hat mit der Bemusterung einer umfangreichen Kundenbasis beginnen. Volumenfertigung ist für die zweite Jahreshälfte 2003 geplant

Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com

Informationsnummer

INFMP200303.056e

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