Infineon liefert 256-Mbit-RLDRAM für noch schnellere Netzwerk-Applikationen

11.02.2002 | Fachpresse

München, 11. Februar 2002 – Infineon Technologies liefert erste Muster seiner 256-Mbit-RLDRAM-Chips (Reduced Latency DRAM) aus. Diese innovativen Double Data Rate-SDRAM-Speicherbausteine sind speziell für schnelle Netzwerk- und Cache-Applikationen ausgelegt. Sie kombinieren hohe Speicherkapazität, hohe Bandbreite und einen schnellen SRAM-ähnlichen, wahlfreien Speicherzugriff. Router und Switches können als Schlüsselelemente moderner Netzwerke jetzt mit diesen schnelleren Komponenten ausgerüstet werden, um den Anforderungen nach steigenden Datenraten gerecht werden zu können.

Das RLDRAM arbeitet mit einer Taktfrequenz von bis zu 300 MHz und hat ein DDR-Interface (Double Data Rate). Der jetzt verfügbare 256-Mbit-Baustein ist in den Organisationen 8M x 32 und 16M x 16 erhältlich. Der Hochleistungs-Speicherbaustein bietet eine Datenrate von 2,4 GByte/s und den Zugriff auf 8 interne Speicherbänke. Das RLDRAM basiert auf einer innovativen Speicherarchitektur, die einen sehr schnellen wahlfreien Zugriff mit Zykluszeiten von nur 25 Nanosekunden (ns) erlaubt. Standard-DRAMs haben im Vergleich Zykluszeiten von etwa 50 ns. Der neue Speicherbaustein schließt somit die Lücke zwischen SRAM und DRAM.

„Das RLDRAM bietet die fortschrittlichste Speicherlösung für Datenpufferung in Routern, IP-Zuordnungstabellen und schnelle Cache-Applikationen“, sagte Ernst Strasser, Marketing Director für Graphics und Specialty DRAM Memories von Infineon Technologies. „Damit stehen leistungsfähige Speicher für die kommende Netzwerk-Generation zur Verfügung, um die hohen Anforderungen von Datenraten mit
10 Gbit/s bis zu 40 Gbit/s in OC-192- und OC-768-Systemen zu erfüllen.“

Um den Marktforderungen nach mehreren Bezugsquellen für RLDRAM gerecht zu werden, arbeiten Infineon und Micron an der Bereitstellung von pin- und funktionskompatiblen Produkten zusammen. „Micron wird RLDRAM als wichtige Komponente für die weltweite Netzwerk-Infrastruktur unterstützen, damit die Industrie die erforderlichen Datenraten angesichts der steigenden Nachfrage bei der Bandbreite und den Diensten bereitstellen kann“, sagte Jerry Johnson, Director für Strategic Marketing, Netzwerk Produkte bei Micron Technology.

„RLDRAM ergänzt das IBM-Portfolio bei Embedded- und Standalone-Speicherprodukten für Netzwerk-Applikationen und hat das Potenzial für die neue Generation schneller OC-192- und OC-768-Datenübertragungssysteme,“ sagte Tom Reves, Vice President Custom Logic von IBM Microelectronics. „IBM plant das RLDRAM-Interface in seine ASIC-Standardzellen-Bibliothek aufzunehmen, damit unsere Kunden die Vorteile dieser neuen Technologie nutzen können.“

„Die Speicher-Anforderungen heutiger Datenkommunikationssysteme haben die Leistungsgrenzen von gängigen PC-DRAMs überschritten“, sagte Bob Merritt, Director für Emerging Markets bei der Semico Research Corporation. „RLDRAM stellt eine Speicherlösung dar, die auch den hohen Ansprüchen von breitbandigen Systemen gerecht wird. Die gemeinsame Entwicklungsvereinbarung zwischen zwei der wichtigsten DRAM-Hersteller wird die Verfügbarkeit der entsprechenden Kapazitäten sichern.“

Die Entwickler von schnellen Netzwerk- und Kommunikationssystemen können auch die Vorteile des Avalon Referenz Design-Systems von Avnet nutzen, um ihr RLDRAM-Design schnell zu evaluieren und zu optimieren. „Mit der Avalon-kompatiblen RLDRAM-Zusatzkarte und FPGA-IP-Cores können Entwickler von schnellen Netzwerk- und Kommunikationssystemen einfach und sicher Systeme implementieren, die die Vorteile der neuen Speicherarchitektur nutzen,“ sagte Warren Miller, Vice President Marketing von Avnet Design Services.

Verfügbarkeit


Das neue RLDRAM ist in einem T-FBGA-Gehäuse (Thin - Fine Pitch Ball Grid Array) verfügbar, das neben seinen geringen Abmessungen auch ausgezeichnete elektrische und thermische Eigenschaften für Taktfrequenzen bis zu 300 MHz bietet. Das anfängliche RLDRAM-Produktangebot von Infineon und Micron beinhaltet die 256-Mbit-Komponenten mit 8M x 32- und 16M x 16-Organisation und wird in den Geschwindigkeitsklassen von 300, 250 und 200 MHz angeboten. Die jetzt von Infineon verfügbaren Muster mit 200 MHz kosten 54 US-Dollar.

Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 33.800 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2001 (Ende September) einen Umsatz von 5,67 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert.

Weitere Informationen unter www.infineon.com und über RLDRAM unter www.rldram.com

Zum Avnet’s Avalon Programm sind weitere Informationen unter www.avnet.com/em/solutions/avalon verfügbar.

Informationsnummer

INFMP200202.033e

Pressefotos

  • Infineon Technologies announces Availability of 256-Mbit Reduced Latency DRAM; New High Performance Memory Designed for High-Speed Networking Applications
    Infineon Technologies announces Availability of 256-Mbit Reduced Latency DRAM; New High Performance Memory Designed for High-Speed Networking Applications
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