Infineon führt 1-GByte-DDR333-Speicher in Register-Ausführung mit höchster Speicherdichte ein

01.07.2002 | Market News

München, 01. Juli 2002 – Infineon Technologies stellte heute erste Muster von 1-GByte-DDR333-SDRAM-Dual-DIMMs in Register-Ausführung vor. Die neuen Module basieren auf 36 256-Mbit-Speicherchips in äußerst kompakten FBGA-Gehäusen (Fine-Pitch Ball Grid Array). Diese DIMMs (Dual-Inline-Memory-Modules) haben die höchste Speicherdichte, die derzeit für Computer-, Server- und Workstation-Speicherapplikationen erhältlich ist. Der Einsatz von FPGAs ermöglicht im Vergleich zu herkömmlichen TSOP II (Thin Small Outline Packages) oder Stacked-TSOP II-Alternativen eine sehr platzsparende Lösung, die etwa 60 Prozent weniger Leiterplattenfläche benötigt.

Die wachsende Popularität von Rack-Mount- und „Blade“-Servern für Computer- und Kommunikations-Applikationen in Unternehmen führt zu einer steigenden Nachfrage nach DIMMs in flacherer Ausführung (Formfaktor 1 HE, Höhe 1,2 Zoll). Bei diesen leistungsfähigen Server-Applikationen sind hochkomplexe Speicher mit gleichzeitig reduzierten Abmessungen und geringer Leistungsaufnahme entscheidende Komponenten. Infineon setzte für seine kompakte DIMM-Lösung JEDEC-gemäße (Joint Electronic Device Engineering Council) FBGA-Gehäuse ein.

„Die neuen schnellen, hochkomplexen DDR333-DIMMs wurden entwickelt, um die Anforderungen führender Computerhersteller zu erfüllen, für die Geschwindigkeit, Komplexität und Zuverlässigkeit wesentliche Kriterien sind“, sagte Dr. Harald Eggers, Senior Vice President und General Manager der Memory Products Group von Infineon. „Erste Kundenreaktionen und Systemtests sind sehr positiv ausgefallen und wir sind dabei, das fortschrittliche Design der JEDEC-Kommission vorzustellen, um es als neuen Standard im Markt zu etablieren.“

Die Verwendung von FBGA-Gehäusen ist die einzige Möglichkeit, um besonders flache (1 HE) 1-GByte-DDR333-DIMMs in Register-Ausführung für kompakte Speichersysteme mit hoher Speicherdichte zu produzieren. Diese Gehäuse werden bereits seit mehreren Jahren mit großem Erfolg in Grafikspeicherapplikationen eingesetzt. Die Entwicklung eines Server-DIMMs auf Basis von FBGA-Komponenten durch Infineon ist ein weiterer Meilenstein zur Etablierung dieser Technologie als der bevorzugten High-Speed-Speicherlösung, da auch handelsübliche Produkte immer höhere Geschwindigkeiten und Bandbreiten erreichen.

Die im FBGA-Gehäuse untergebrachten Speicherkomponenten benötigen etwa 60 Prozent weniger Leiterplattenfläche (96 mm2 statt 262 mm2) im Vergleich zu alternativen TSOPs. Außerdem werden die vom Gehäuse verursachten parasitären elektrischen Effekte für die Datenpins um ungefähr 50 Prozent reduziert: induktive Last (3,00 nH statt 5,73 nH), kapazitive Last (0,32 pF statt 0,79 pF) und die ohmsche Last (0,12 Ohm statt 0,23 Ohm). Dabei sind nicht nur die absoluten parasitären Werte niedriger, sondern die Toleranzen können auch weiter ausgelegt werden.

Diese ausgezeichneten elektrischen Eigenschaften resultieren in einer verbesserten Signalintegrität und bieten die Möglichkeit, die für die DDR333-Geschwindigkeit notwendigen Timingvorgaben einfacher zu erfüllen. Die reduzierten parasitären Effekte gestatten zudem, schnelle Signale mit geringerer elektrischer Leistung übertragen zu können. Dies reduziert nicht nur die Leistungsaufnahme, sondern verringert auch die entsprechende vom Speichersystem abgestrahlte Wärme.

Preise und Verfügbarkeit


Die neuen besonders flachen 184-Pin-1-GByte-DDR333-DIMMs in Register-Ausführung sind in zwei Bänken zu 128 Mbit x 72 organisiert. Sie benötigen 2,5 V für Spannungsversorgung und 1,25 V für Signale. Musterstückzahlen sind ab sofort zu Preisen ab 1.300,- US-Dollar erhältlich. Preise für Volumenstückzahlen auf Anfrage.

Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 33.800 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2001 (Ende September) einen Umsatz von 5,67 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

INFMP200206.112e

Pressefotos

  • Infineon Technologies presents 1GByte DDR333 Registred Reduced Height Memory Based on FBGA Chip Packages
    Infineon Technologies presents 1GByte DDR333 Registred Reduced Height Memory Based on FBGA Chip Packages
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