Präsentationen von Infineon auf der IEDM 2002: Vorträge unterstreichen die Führung bei DRAM-Technologien, heben die Spitzenposition im Bereich der Forschung bei Biochips, flexiblen Schaltungen und HF-Designs hervor

09.12.2002 | Fachpresse

München – 9. Dezember 2002 – Diese Ausgabe des News Alert Services von Infineon Technologies fasst die Präsentationen zusammen, die Infineon-Forscher auf der IEDM 2002, einer der führenden technischen Konferenzen der Elektronikindustrie, in dieser Woche in San Fransisco halten werden.

Infineon Technologies ist auf der International Electron Device Meeting (IEDM) 2002, die vom 9. bis 11. Dezember in San Francisco stattfindet, mit Forschern, die neun Vorträge über technologische Entwicklungen und neue Forschungen halten werden, sehr gut repräsentiert. Im Rahmen dieser Präsentationen gibt es drei Vorträge über die Forschungen zum Design und zur Fertigung von DRAM-Bausteinen mit Strukturgrößen von weniger als 70 Nanometer. Das ist ungefähr die Hälfte der Abmessungen der kleinsten derzeit produzierten Chips. Die Wissenschaftler von Infineon präsentieren zudem in weiteren Vorträgen: Von Fortschritten in der Herstellung von Silizium-Germanium-Schaltungen und mikroelektronischen Maschinen (MEMS) für Hochfrequenzapplikationen bis hin zum Drucken von Schaltungen auf Plastikfilmen und der vollständigen elektronischen Ermittlung von DNA-Mustern mittels „Biochip“-Schaltungen.

Die Titel und kurze Zusammenfassungen der Vorträge im Einzelnen:

Entwicklungen bei DRAM-Technologien


Das Forschungs- und Entwicklungsprogramm zur Unterstützung von Infineons Trench-Kondensator-DRAM-Produkten wird die führende Position des Unternehmens im Bereich der Technologie und Produktionskosten für Computerspeicher weiter stärken.

Fully Depleted Surrounding Gate Transistor (SGT) for 70nm DRAM and Beyond (Session 10.8) beschreibt die erfolgreiche Entwicklung einer neuen Trench-Kondensator-Speicherzelle mit geplanten Abmessungen von nur 70 nm. Das Konzept sieht den Einsatz eines wesentlich kleineren (mit hervorragenden Treiberfähigkeiten) vertikalen (für ausgezeichnete Packungsdichte) Baustein-Arrays vor. Dieses ermöglicht Speicherbausteine mit einer um 200 Prozent größeren Kapazität als heute, bei unveränderter Chipgröße.

A Fully Integrated Al2O3 Trench Capacitor DRAM for Sub-100nm Technology (Session 33.6) zeigt die Ergebnisse der Arbeit mit Al2O3 als „high-k“-Kondensator-Dielektrizitätsmaterial im Trench-DRAM-Prozess als Ersatz für die heute üblichen Nitrid-Oxide. Dies ermöglicht eine weitere Verkleinerung der Strukturen auf weit unter 100 nm, ohne die Charakteristiken und Leistungsfähigkeit des Chips zu beeinträchtigen. A Feature Scale Model for Trench Capacitor Etch Rate and Profile (Session 35.5) erläutert zwei Computermodellanwendungen, die effizienteres Design von hochdichten DRAM-Speicher-Arrays in Trench-Technologie ermöglichen.

Spitzenposition in der Forschung


Infineons Forschungs- und Entwicklungsprogramm wird zweigleisig betrieben, um sowohl die heutige Chiptechnologie zu unterstützen als auch die aufkommenden Märkte und Chiptechnologieanwendungen, die das Leben der Menschen in Zukunft gestalten werden.

Fully Electronic DNA Detection on a CMOS Chip: Device and Process Issues (Session 19.2): Dieser von Infineon und Industriepartnern gehaltene Vortrag beschreibt die Integration von DNA-Sensoren in einen kostengünstigen CMOS-Chip. Die Technologie ermöglicht die Entwicklung eines neuen Typs biochemischer und medizinischer Diagnosetechnologie für wissenschaftliche Forschung und letztendlich persönliche Gesundheitsvorsorge.

Polymer Gate Dielectric Pentacene TFTs and Circuits on Flexible Substrates (Session 22.1) beschreibt neue Fortschritte in der Produktion von integrierten Schaltungen auf flexiblem, kostengünstigem Polymer-Material anstelle von starren Silizium-Chips. Dieses Material wird neue Märkte für elektronische Technologien wie etwa elektronische Bar-Codes eröffnen. Die Forscher von Infineon und deren Partner aus der Industrie haben die wohl schnellste Schaltung entwickelt, die jemals auf flexiblem organischem (und damit kostengünstigem) Polymer-Material gefertigt wurde.

Sub 5 ps SiGe Bipolar Technology (Session 31.1): Silizium-Germanium ist eines der derzeit führenden Materialien für die Produktion von schnellen Hochfrequenzbausteinen, die in der mobilen Kommunikation eingesetzt werden. Die Forscher von Infineon beschreiben neue Schaltungsdesigns, welche die Leistungsfähigkeit dieser Technologie auf einen neuen Effizienzgrad heben.

Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

INFCPR200212.027e