Infineon und Micron entwickeln gemeinsam DRAMs mit reduzierter Zugriffszeit

30.05.2001 | Fachpresse

Gemeinsame Pressemitteilung von Infineon Technologies und Micron Technology

München / Boise, Idaho, USA – 30. Mai 2001 – Infineon Technologies AG und Micron Technology Inc. gaben heute bekannt, dass sie gemeinsam eine DRAM-Familie mit reduzierter Latenzzeit (Reduced Latency DRAM, RLDRAM) entwickeln wollen und hierzu ein Abkommen unterzeichnet haben. Diese Familie von Hochleistungs-Speicherbausteinen soll letztlich mehrere Generationen von DRAMs umfassen und wird speziell für den Einsatz in Switches, Routers und anderen Anwendungen entwickelt, die besonders schnelle Speicherzugriffszeiten erfordern.

Die neuen Speicherbausteine arbeiten anfangs bei Datenraten bis zu 600Mbit/s/Pin und bieten zudem eine Latenzzeit, die im Vergleich mit anderen Architekturen deutlich geringer ist. Die Spezifikation des RLDRAM berücksichtigt die Anforderungen führender Netzwerkanbieter, mit denen hierzu im Vorfeld ausführliche Gespräche geführt wurden. Die interne Speicherarchitektur ermöglicht einen extrem schnellen wahlfreien Zugriff, der die Lücke zwischen dynamischen und statischen RAMs schließt. Infineon und Micron beabsichtigen, das RLDRAM zum Industriestandard für Hochleistungs-Speicherbausteine zu machen.

Infineon und Micron wollen gleichermaßen zum System-Know-how und zur Weiterentwicklung der Produktlinie beitragen und durch ihre enge Zusammenarbeit pin- und funktionskompatible RLDRAMs entwickeln, die von mehreren Herstellern produziert und angeboten werden.

„Micron unterstützt die Entwicklung der RLDRAM-Speicherprodukte, von denen sich unsere Kunden in der Datenkommunikation für das Design zukünftiger Netzwerksysteme viele Vorteile erwarten können“, sagte Jerry Johnson, Director Strategic Marketing bei Micron. „Der RLDRAM ist die kostengünstigste Antwort auf die Forderung nach Speichern hoher Bandbreite und kurzer Latenzzeit, wie sie in zukünftigen Generationen von Hochgeschwindigkeits-Datennetzen benötigt werden. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Infineon auf diesem Gebiet.“

„Wir begrüßen Microns Entscheidung, die RLDRAM-Technologie zu unterstützen“, sagte Dr. Ernst Strasser, Director Marketing Graphics and Specialty Memory bei Infineon Technologies. „Unsere Vereinbarung geht weit über bloße Spezifikationen von Produktlinien für mehrere Generationen hinaus. Sie umfasst auch die grundsätzliche Zusage beider Partner, eine funktional kompatible und leistungsfähige RLDRAM- Architektur zu liefern.“

Weitere Informationen zum DRAM- und Modul-Produktportfolio von Infineon unter: www.infineon.com/products/memory/


Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com

Über Micron


Micron Technology, Inc. ist ein amerikanischer Hersteller von DRAMs, sehr schnellen SRAMs, Flash und anderen Halbleiterkomponenten, Speichermodulen and PC Systemen. Micron wird an der New York Stock Exchange (NYSE) unter dem Symbol MU gehandelt. Weitere Informationen unter www.micron.com.

Pressekontakt bei Micron Technology, Inc.:
Echo Sarlya, Telefon: +1 208 368-4400, Fax: +1 800 239-0337

Informationsnummer

INFMP200105.077e