Infineon Technologies präsentiert Schalter-Familie in GaAs PHEMT-Technologie für drahtlose Kommunikations-Anwendungen
München, 27. August 2001 Infineon Technologies stellte nun drei neue Schalt-Bausteine in Gallium-Arsenid- (GaAs) PHEMT-Technologie (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) vor. Die Produkte mit den Bezeichnungen CSH210, CSH210R und CSH210P sind für heutige und künftige Generationen von Multiband-Mobiltelefonen, Wireless LAN und Bluetooth-Produkte konzipiert. Mit den neuen Infineon-Bausteinen können Handy-Hersteller die Leiterplattenfläche verringern und zusätzlich die Kosten senken.
GaAs PHEMT-Schalter spielen eine wichtige Rolle im Design von drahtlosen Endgeräten. Ihr vielfältiges Anwendungsgebiet reicht von Schalt-Aufgaben an der Sende- und Empfangsantenne über die Filterband-Selektion bis zum Schalten des Überlagerungsoszillators. PHEMT-Schalter sind auch mit Duplexern und SAW-Filtern (Surface Accoustic Wave) zu Front-End-Modulen kombinierbar, die kleiner sind und weniger als 1 Prozent des Stroms von Alternativlösungen auf der Basis von PIN-Dioden aufnehmen.
Infineon bietet seinen Kunden komplette Lösungen für die drahtlose Kommunikation, sagte Alvin Wong, Vice President der Wireless Group bei der Infineon Technologies North America Corporation. Unsere Kunden profitieren in Form eines günstigen Stückpreises von unserem hohen Produktionsausstoß. Es ist unser Ziel, möglichst viele Chips für jedes Wireless-Gerät zu liefern und einen kosteneffektiven, hohen Integrationsgrad mit hoher Leistungsfähigkeit, geringer Verlustleistung und einem Höchstmaß an Zuverlässigkeit zu verbinden.
Die auf der GaAs-PHEMT-Technologie des Unternehmens basierende PHEMT-Schalter-Technologie von Infineon bietet eine ganze Reihe von Vorteilen. Dazu zählen die sehr geringe Einfügungsdämpfung, ausgezeichnete Isolationseigenschaften und eine hohe Linearität bei einem Steuerstrom von nahezu Null. Sämtliche PHEMT-Schalter von Infineon lassen sich mit ausschließlich positiven Steuerspannungen betreiben und kommen ohne externe Referenzspannung aus. Infineon plant, eine weitere PHEMT-Schalterbausteine für GSM- und 3G-Applikationen zu entwickeln.
Bei den Produkten CSH210 (Standard-Logik) und CSH210R (invertierte Logik) handelt es sich um universell einsetzbare einpolige Umschalter in einem Ultraminiaturgehäuse des Typs SOT363 (2 mm x 2 mm). Die Bausteine CSH210 und CSH210R bieten eine Einfügungsdämpfung von 0,3 dB bzw. 0,4 dB bei 1 GHz bzw. 2 GHz. Die typische Isolation ist bei Frequenzen bis 1 GHz besser als 24 dB und bis 2 GHz besser als 20 dB. Der P-1dB-Wert beträgt bei beiden Schaltern 30 dBm bei einer Ansteuerspannung von +3 V.
Unter der Bezeichnung CSH210P wird ferner eine Hochleistungs-Version des CSH210 angeboten, die ebenfalls im SOT363-Gehäuse mit Abmessungen von 2 mm x 2 mm geliefert wird. Die Einfügungsdämpfung des CSH210P ist 0,35 dB und 0,4 dB bei 1 GHz bzw. 2 GHz. Die typische Isolation ist bei Frequenzen bis 1 GHz besser als 25 dB und bis 2 GHz besser als 22,5 dB. Weitere Merkmale dieses Bausteins sind ein P-1dB-Wert von 33 dBm und ein IP3-Wert von 56 dBm bei +3 V Ansteuerspannung.
Muster aller drei GaAs PHEMT-Schalter sind umgehend verfügbar. Die Versionen CSH210 und CSH210R kosten ab 0,30 US$ (ab 100.000 Stück), während der CSH210P ab 0,40 US$ (ebenfalls ab 100.000 Stück) angeboten wird. Sämtliche GaAs-Produkte werden in einer neuen 6-Zoll GaAs-Wafer-Fab in München produziert und sind hinsichtlich aller wichtigen HF-Parameter zu 100 Prozent geprüft.
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol IFX notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
GaAs PHEMT-Schalter spielen eine wichtige Rolle im Design von drahtlosen Endgeräten. Ihr vielfältiges Anwendungsgebiet reicht von Schalt-Aufgaben an der Sende- und Empfangsantenne über die Filterband-Selektion bis zum Schalten des Überlagerungsoszillators. PHEMT-Schalter sind auch mit Duplexern und SAW-Filtern (Surface Accoustic Wave) zu Front-End-Modulen kombinierbar, die kleiner sind und weniger als 1 Prozent des Stroms von Alternativlösungen auf der Basis von PIN-Dioden aufnehmen.
Infineon bietet seinen Kunden komplette Lösungen für die drahtlose Kommunikation, sagte Alvin Wong, Vice President der Wireless Group bei der Infineon Technologies North America Corporation. Unsere Kunden profitieren in Form eines günstigen Stückpreises von unserem hohen Produktionsausstoß. Es ist unser Ziel, möglichst viele Chips für jedes Wireless-Gerät zu liefern und einen kosteneffektiven, hohen Integrationsgrad mit hoher Leistungsfähigkeit, geringer Verlustleistung und einem Höchstmaß an Zuverlässigkeit zu verbinden.
Die auf der GaAs-PHEMT-Technologie des Unternehmens basierende PHEMT-Schalter-Technologie von Infineon bietet eine ganze Reihe von Vorteilen. Dazu zählen die sehr geringe Einfügungsdämpfung, ausgezeichnete Isolationseigenschaften und eine hohe Linearität bei einem Steuerstrom von nahezu Null. Sämtliche PHEMT-Schalter von Infineon lassen sich mit ausschließlich positiven Steuerspannungen betreiben und kommen ohne externe Referenzspannung aus. Infineon plant, eine weitere PHEMT-Schalterbausteine für GSM- und 3G-Applikationen zu entwickeln.
Bei den Produkten CSH210 (Standard-Logik) und CSH210R (invertierte Logik) handelt es sich um universell einsetzbare einpolige Umschalter in einem Ultraminiaturgehäuse des Typs SOT363 (2 mm x 2 mm). Die Bausteine CSH210 und CSH210R bieten eine Einfügungsdämpfung von 0,3 dB bzw. 0,4 dB bei 1 GHz bzw. 2 GHz. Die typische Isolation ist bei Frequenzen bis 1 GHz besser als 24 dB und bis 2 GHz besser als 20 dB. Der P-1dB-Wert beträgt bei beiden Schaltern 30 dBm bei einer Ansteuerspannung von +3 V.
Unter der Bezeichnung CSH210P wird ferner eine Hochleistungs-Version des CSH210 angeboten, die ebenfalls im SOT363-Gehäuse mit Abmessungen von 2 mm x 2 mm geliefert wird. Die Einfügungsdämpfung des CSH210P ist 0,35 dB und 0,4 dB bei 1 GHz bzw. 2 GHz. Die typische Isolation ist bei Frequenzen bis 1 GHz besser als 25 dB und bis 2 GHz besser als 22,5 dB. Weitere Merkmale dieses Bausteins sind ein P-1dB-Wert von 33 dBm und ein IP3-Wert von 56 dBm bei +3 V Ansteuerspannung.
Preis und Verfügbarkeit
Muster aller drei GaAs PHEMT-Schalter sind umgehend verfügbar. Die Versionen CSH210 und CSH210R kosten ab 0,30 US$ (ab 100.000 Stück), während der CSH210P ab 0,40 US$ (ebenfalls ab 100.000 Stück) angeboten wird. Sämtliche GaAs-Produkte werden in einer neuen 6-Zoll GaAs-Wafer-Fab in München produziert und sind hinsichtlich aller wichtigen HF-Parameter zu 100 Prozent geprüft.
Über Infineon
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol IFX notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Informationsnummer
INFWS200108.111e
Pressefotos
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