Infineon Technologies kündigt Durchbruch bei 1300-nm-VCSEL-Technologie für optische Kommunikationsanwendungen an

05.04.2001 | Fachpresse

München, 5. April 2001 – Infineon Technologies, ein führender Anbieter von Kommunikations-ICs und Faseroptik-Lösungen, kündigte heute den Durchbruch bei der 1300-nm-VCSEL(Vertical Cavity Surface-Emitting Laser)-Technologie an. Bisher sind 1300-nm-Laser nur in Form von Kanten-emittierenden Bauelementen erhältlich. Infineons 1300-nm-VCSEL erweitert den Einsatzbereich von Faseroptik-Systemen. Im Vergleich zu Kanten-emittierenden Lasern sorgt er ferner für Vorteile bezüglich Kosten, Zuverlässigkeit und Leistungsaufnahme.

„In unserem Forschungszentrum wurde die 1300-nm-VCSEL-Technologie als eine Schlüsselkomponente für neue Datenkommunikationssysteme mit Multi-Mode- und Single-Mode-Fasern entwickelt,“ sagte Thomas Seifert, Senior Vice President und COO von Infineon’s Communication Business Group. „Diese neue Technologie ermöglicht es uns, Produkte für optische Verbindungstechnik und Datenübertragung zu fertigen. Das wiederum eröffnet unseren Kunden die Möglichkeit, leistungsfähige optische Kommunikationslösungen mit schneller Markteinführung anzubieten.“

Die neuen 1300-nm-Laser sind für Datenraten bis 10 Gbit/s geeignet und erreichen die benötigte Ausgangsleistung für Faseroptik-Übertragungssysteme wie OC-192. Infineon‘s VCSEL reduzieren Komplexität und Kosten und erhöhen darüber hinaus die Systemleistung, indem sie beispielsweise hohe Port-Dichten durch platzsparende Laser-Arrays ermöglichen.

In vielen Ländern ist der Laser-Betrieb aus Sicherheitsgründen reglementiert. Da das menschliche Auge bei der Wellenlänge von 1300 nm um den Faktor 20 weniger empfindlich ist als bei der momentanen Standard-Wellenlänge von 850 nm, kann – unter Beibehaltung der entsprechenden Sicherheit - eine höhere Leistung in die Glasfaser eingebracht werden.

Der vertikal emittierende Laser basiert auf einem Gallium-Arsenid-Substrat und hat einen aktiven Bereich aus mehreren Indium-Gallium-Arsenid-Nitrid-Quantentöpfen. Die technische Beherrschbarkeit dieses neuen Verbund-Halbleiters war die entscheidende Voraussetzung für den 1300-nm-VCSEL. Der Fertigungsprozess basiert auf der umfangreichen Erfahrung von Infineon mit der Molekularstrahl-Epitaxie und dem Know-How bei der Fertigung der 850-nm-VCSEL-Komponenten.

Die neuen Komponenten emittieren Licht mit der Wellenlänge von 1300 nm. Im Dauerstrichbetrieb bei Raumtemperatur haben die Laser einen Schwellenstrom von 2 mA und erreichen eine maximale Ausgangsleistung von über 1 mW. Der Laser-Betrieb ist bis zu 80°C möglich. Eine Bit-Fehler-freie Übertragung (BER<10-11) bis zu 10 Gigabit pro Sekunde wurde bereits demonstriert.

Die Entwicklungstätigkeiten für die neue Technologie wurden im Forschungszentrum von Infineon durchgeführt und finanziell durch die Europäische Gemeinschaft und das BMBF unterstützt. Bauelemente auf Basis der 1300-nm-VCSEL-Technologie sind für das Jahr 2002 zu erwarten.


Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

INFCOM200104.061e

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  • The figure shows several VCSELs still on wafer after processing, with one of them under operation. The contact structures, and in the center of their circular part, the active part of the lasers with a diameter of about 5 µm can be seen.
    The figure shows several VCSELs still on wafer after processing, with one of them under operation. The contact structures, and in the center of their circular part, the active part of the lasers with a diameter of about 5 µm can be seen.
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