OptiMOS™ 5 150 V reduziert deutlich den Durchlasswiderstand und die Sperrerholladung

11.10.2016 | Market News

München, 11. Oktober 2016 – Die Infineon Technologies AG stellt den OptiMOS™ 5 150 V vor. Mit dem MOSFET lässt sich der Wirkungsgrad für umweltfreundlichere Designs und Endanwendungen deutlich erhöhen. Er erweitert die industrieweit führende 5. Generation des OptiMOS-Portfolios. Die neue 150-V-Produktklasse ist speziell für Hochleistungsanwendungen optimiert, die niedrige Gate-Ladeströme erfordern und hohe Leistungsdichte bei gleichzeitig großer Robustheit. Der  OptiMOS 5 150 V gehört zu den Systemlösungen von Infineon für Niederspannungsantriebe, Synchrongleichrichter in Telekommunikationsanwendungen, Wandler im Brick-Format und Leistungsoptimierer bei Solaranwendungen.

Umweltfreundliche Technologie

Infineon entwickelt kontinuierlich energieeffiziente Produkte, die einen Beitrag zur weltweiten CO 2-Verminderung leisten. Der OptiMOS 5 150 V verringert beispielsweise den Stromverbrauch bei Telekommunikationsanwendungen oder erhöht die Leistung von Elektrofahrzeugen und damit ihre Reichweite.

Der OptiMOS 5 150 V bietet einen deutlich reduzierten Durchlasswiderstand R DS(on). In einem SuperSO8-Gehäuse sinkt dieser um 25 Prozent im Vergleich zur nächstbesten Alternative. Bei gleichem R DS(on) wurde die Gate-Gesamtladung bei der neuen Familie um bis zu 29 Prozent gegenüber der vorherigen Generation verbessert. Die Sperrerholladung Q rr ist im SuperSO8-Gehäuse sogar um 72 Prozent niedriger als beim besten Vergleichsprodukt. Das erhöht die Robustheit bei harten Kommutierungsvorgängen. Ein weiteres herausragendes Merkmal dieser Produktfamilie ist ein verbessertes EMI-Verhalten.

Weitere Informationen sind erhältlich unter http://www.infineon.com/optimos5-150V.

Informationsnummer

INFPMM201610-003

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