Infineon erweitert Portfolio um TVS-Dioden für High-Speed-Schnittstellen mit sehr geringem dynamischen Widerstand und extrem niedriger Kapazität

Neubiberg, 6. Juni 2013 – Infineon Technologies hat heute eine neue Serie von Transient Voltage Suppression (TVS)-Bauelementen angekündigt, die den besten im Markt verfügbaren Schutz gegenüber elektrostatischen Entladungen (Electrostatic Discharge – ESD) für elektronische Geräte bietet. Mit einem sehr niedrigen dynamischen Widerstand (R _dyn = 0,19 Ω) und einer extrem geringen Kapazität (C = 0,4pF) erfüllt die ESD102 TVS-Diode (erhältlich zum Schutz einer Leitung oder als Array für mehrere Leitungen) höchste Anforderungen an ESD-Robustheit und Signalqualität in High-Speed-Schnittstellen, wie sie in den neuesten Smartphones und Tablets zum Einsatz kommen.

Die fortschreitende Miniaturisierung in der Halbleiterindustrie führt einerseits zu immer höherer Leistungsfähigkeit, andererseits zu einer Zunahme der ESD-Empfindlichkeit der integrierten Schaltungen (ICs). Spezielle ESD-Schutzbauteile sind nötig um die elektrostatische Entladung abzuführen, bevor sie die Ein-/ Ausgänge des ICs erreicht und hier einen Kurzschluss verursacht. Infineon bietet ein breites Portfolio an TVS-Dioden und -Arrays, die speziell dafür ausgelegt sind, das Risiko von ESD-Schäden in vielfältigen Computing- und Kommunikationssystemen zu minimieren.

Die ESD102-Serie dient zur Unterdrückung von kurzen Spannungstransienten – hervorgerufen durch ESD – in schnellen Daten-Schnittstellen wie man sie in Laptops, Desktop-Computern, in der Unterhaltungselektronik und zunehmend auch in Smartphones findet. Dazu gehören beispielsweise USB 3.0, GBit Ethernet, Firewire oder HDMI. Diese Datenleitungen erfordern einen robusten, zuverlässigen ESD-Schutz und das bei möglichst kleinen Gehäusen und einer kleinstmöglichen Bauteilkapazität. Die neue Serie übertrifft die Anforderungen gemäß IEC61000-4-2. Es stehen 2-polige (für Einzelleitungen), 4-polige (2-Leitungs-Array) oder 5-polige (4-Leitungs-Array) Gehäuse zur Verfügung. Geringe Leckströme von weniger als 50 nA verlängern die Batterielebensdauer. Eine spezielle Anordnung der Pads auf dem Bauteil ermöglicht ein einfaches PCB-Layout und minimiert parasitäre Effekte.

Typen und Spezifikationen der ESD102-Serie

ESD102-U1-02ELS (unidirektionale TVS-Diode, 1 Leitung, TSSLP-2-3 Gehäuse), ESD102-U2-099L (unidirektionale TVS-Diode, 2 Leitungen, TSLP-4-10 Gehäuse), ESD102-U4-05L (unidirektionale TVS-Diode, 4 Leitungen, TSLP-5-2 Gehäuse):

• ESD/Transienten-Schutz für schnelle Datenleitungen, besser als:
  • IEC61000-4-2 (ESD): ≥ ±20 kV (Luft/Kontakt)
  • IEC61000-4-4 (EFT): ≥2,5 kV / ≥50 A (5/50 ns)
  • IEC61000-4-5 (Surge): 3 A (8/20 μs)
• Maximale Arbeitsspannung: V _RWM = 3,3 V
• Leitungs-Kapazität (I/O auf Masse): C _L = 0,4 pF (typisch)
• Klemmspannung: V _CL = 8 V bei I _PP = 16 A (typisch)
• Dynamischer Widerstand: R _DYN = 0,19 Ω (typisch)
• Gegenstrom (Reverse-Strom): I _R = 1 nA bei 3,3 V (typisch)

Verfügbarkeit

Die ESD102-Serie wird bereits in Volumenstückzahlen produziert, entsprechende Starterkits sind bereits verfügbar. Die Gehäuse TSSLP-2-3, TSLP-4-10 und TSLP-5-2 entsprechen den RoHS-Vorgaben für blei- und halogenfreie Packages.

Umfangreiche Entwicklungsunterstützung für effektiven ESD-Schutz

Als Entwicklungsunterstützung für die Erhöhung der System-Robustheit und zum besseren Design-Schutz bietet Infineon eine umfassende Bibliothek an Simulationsmodellen für TVS-Dioden sowie technische Expertenunterstützung für die richtige Auswahl der Schutzelemente und des Schaltungsdesigns.

Weitere Informationen zu den TVS (Transient Voltage Suppressor)-Dioden von Infineon findet man unter: www.infineon.com/tvsdiodes

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.700 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2012 (Ende September) einen Umsatz von 3,9 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert.