Infineon stärkt seine Position als Marktführer im Bereich RF und stellt zwei neue CMOS-RF-Transceiver für EDGE- und Multimode-3G-Handys vor
München, 08. Februar 2007 – Die Infineon Technologies AG, ein führender Anbieter von Kommunikations-ICs, hat heute zwei neue RF-CMOS-Single-Chip-Transceiver vorgestellt. Mit dem SMARTi® PM+ und dem SMARTi® UE setzt Infineon hinsichtlich Miniaturisierung, Integration und Energieeffizienz neue Maßstäbe in den Mobilfunksegmenten mit den höchsten Zuwachsraten – EDGE und Multimode 3G.
Das Marktforschungsunternehmen Strategy Analytics rechnet mit einer weltweiten Steigerung der Absatzzahlen von über 350 Millionen GPRS/EDGE-fähigen Mobiltelefonen im Jahr 2007 auf etwa 550 Millionen Geräte im Jahr 2010. Die Analysten gehen zudem davon aus, dass der Markt für 3G-Mobiltelefone von rund 150 Millionen Geräten im Jahr 2007 sprunghaft auf über eine halbe Milliarde Geräte im Jahr 2010 ansteigen wird. Dieses Wachstum ist vor allem durch die Nachfrage nach Multimediaanwendungen sowie Breitbandinternetzugang übers Handy bedingt.
Infineon wird Muster und Referenzboards für den SMARTi-PM+ und SMARTi UE auf dem
3GSM Kongress (Halle 1, Stand B19) zeigen.
SMARTi PM: Der kleinste Quad-Band-RF-CMOS-Transceiver der Welt für GPRS/EDGE-Handys
Der SMARTi PM+ ist der weltweit kleinste Quad-Band-RF-Transceiver für GPRS/EDGE. Mit dem nur 3 x 3 x 0,8 mm großen Wafer-Level-Gehäuse verringert der SMARTi PM+ die Größe des gesamten EDGE-Funkteils um die Hälfte auf 100 mm². Das ist in etwa so groß wie eine Fingerspitze – eine Revolution im Bereich Kostenoptimierung und Miniaturisierung für Mobiltelefonhersteller.
Als Nachfolger des bewährten und im Markt sehr erfolgreichen SMARTi PM ist der SMARTi PM+ mit bestehenden Mobiltelefonplattformen und allen gängigen Basisbändern kompatibel. Zwei führende Mobilfunkhersteller haben sich bereits für Infineons SMARTi PM+ für ihre aktuellen EDGE-Modelle entschieden.
Der SMARTi PM+ unterstützt GPRS Klasse 12 und EDGE Typ 1 mit industrieweit bester Empfängerempfindlichkeit sowie EVM Performance und integriert sowohl DCXO, Loop Filter als auch externe Spannungsregler. Die bewährte Kleinsignal Polarmodulation ermöglicht die Verwendung von kostengünstigen Standard-Leistungsverstärkern (PA’s) führender PA-Hersteller. Musterstückzahlen sind ab sofort verfügbar und die Volumenfertigung wird im Sommer 2007 anlaufen.
SMARTi UE: Der erste Single-Chip-EDGE/UMTS-RF-Transceiver der Welt mit DigRF Basisband-Schnittstelle
Der SMARTi UE ist der weltweit erste Single Chip UMTS/EDGE Transceiver mit einer digitalen Transceiver- Basisbandschnittstelle nach dem DigRF 3.09 Standard. Die Integration analoger Basisband Funktionen wie analog zu digital- und digital zu analog Wandlern im SMARTi UE ermöglicht Mobiltelefonherstellern den Einsatz rein digitaler Ein-Chip-Basisbandlösungen anstelle teurer und komplexerer mixed-signal-Basisbänder. Moores Law folgend können rein digitale Basisband ICs schneller auf kleinere Strukturen und kleinere Chipflächen verkleinert werden als ihre analog-digitalen Pendants und bieten damit erheblich Kostenvorteile.
SMARTi UE unterstützt HSDPA und HSUPA, drei beliebige Kombinationen der UMTS Bänder I bis X sowie quad-band EDGE. Das Gehäuse misst nur 6 x 6 mm und ist damit deutlich kleiner als die erste Generation von UMTS/EDGE single chip Transceivern mit Maßen von 7 x 7 mm oder größer. Einschließlich externer Komponenten misst der komplette Funkteil eines Multimode-3G Telefons mit SMARTi UE nur 400 mm², das ist etwa halb so groß wie die Vorgängermodelle.
Durch die Unterstützung von Multimediaapplikationen wie HSDPA/HSUPA und die Kompatibilität zu allen weltweit gängigen Frequenzbändern ist der SMARTi UE die ideale Lösung für neue, kostengünstigere 3G-Multimedia-Geräte. Muster des SMARTi UE wurden bereits an Schlüsselkunden im Bereich Mobilfunk geliefert. Start der Produktion ist für die zweite Hälfte 2007 vorgesehen.
„Infineon ist Marktführer im Bereich RF-Transceiver und hat im vergangenen Jahr mehr als 230 Millionen Einheiten ausgeliefert. Wenn die wichtigsten Mobiltelefonhersteller in den kommenden zwei Jahren auf EDGE, H-EDGE und DigRF setzen, will Infineon weiter die Nase vorne haben“, erklärt Chris Taylor, Director of RF & Wireless Components beim Marktforschungsunternehmen Strategy Analytics.
„Wir sehen in der Miniaturisierung, verkürzten Time-to-Market-Zyklen und kontinuierlicher Kostensenkung die wichtigsten Faktoren für den Markterfolg unserer Kunden“, kommentiert Prof. Dr. Hermann Eul, Mitglied des Vorstands der Infineon Technologies AG und Leiter des Geschäftsbereichs Communication Solutions. „SMARTi PM+ und SMARTi UE unterstreichen unsere technologische und kommerzielle Führungsposition in RF-Technologie. Das zeigen auch unsere aktuellen Design-Wins bei führenden OEMs.“
Die beiden neuen SMARTi RF-Transceiver, SMARTi PM+ und SMARTi UE, werden in Infineons 130 nm-CMOS-Prozess gefertigt, der erstklassige RF-Performance, niedrigste Herstellungskosten und beste Lieferflexibilität bei hohen Stückzahlen gewährleistet.
Über Infineon
Die Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 42.000 Mitarbeitern (davon etwa 12.000 Mitarbeiter bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2006 (Ende September) einen Umsatz von 7,9 Milliarden Euro (davon 3,8 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter
www.infineon.com.
Informationsnummer
INFCOM200701.033
Pressefotos
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SMARTi® UE: Der weltweit erste Ein-Chip EDGE/UMTS RF-Transceiver mit DigRF Basisband InterfaceJPG | 860 kb | 3864 x 2898 px
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SAMRTi® PM+: Der weltweit kleinste GPRS/EDGE Quadband RF CMOS TransceiverJPG | 441 kb | 2384 x 1788 px
