IBM und Infineon forcieren Entwicklung von revolutionärer Speichertechnologie

07.12.2000 | Market News

Gemeinsame Presseinformation von IBM und Infineon

East Fishkill, USA, und München, 7. Dezember 2000 - IBM und Infineon Technologies kündigten heute ein Abkommen über die gemeinsame Entwicklung einer neuartigen Speichertechnologie an. Diese revolutionäre Technologie wird dazu beitragen, die Batterie-Lebensdauer in portablen Systemen deutlich zu verbessern und es Computern ermöglichen, nach dem Einschalten sofort betriebsbereit zu sein.

Beide Firmen haben vereinbart, bei der Entwicklung der MRAM (Magnetic Random Access Memory)-Technologie zusammenzuarbeiten. Diese Technologie nutzt magnetische statt elektronischer Ladungselemente für die Speicherung der Datenbits. MRAM ermöglicht wesentliche Verbesserungen für elektronische Produkte - von Computern über Mobiltelefone bis hin zu Spielen - indem die Speicherung und der Zugriff auf Informationen schneller gegenüber heutigen elektronischen Produkten erfolgt und das bei längerer Batterie-Lebensdauer. Außerdem bleiben bei MRAM die Daten auch nach dem Abschalten der Versorgungsspannung erhalten, womit Produkte wie PCs sofort und ohne „Boot“-Prozess betriebsbereit sind.

IBM Research leistete seit 1974 Pionierarbeit bei der Entwicklung von miniaturisierten Komponenten auf Basis der magnetischen Tunnel-Effekt-Technologie, die dann für Anwendungen bei Speicher-Technologien vorgeschlagen wurde und 1998 zu dem ersten funktionierenden MRAM-Chip führte. Mit dieser IBM-Technologie und der umfangreichen Erfahrung von Infineon bei der Entwicklung hochdichter Speicherkonzepte erwarten beide Firmen, dass Produkte auf Basis der MRAM-Technologie ab 2004 kommerziell verfügbar sein werden.

„MRAM hat das Potential, alle bisherigen RAM-Technologien in künftigen Computer-Generationen zu ersetzen,“ sagte Bijan Davari, IBM Fellow und Vice President of Technology and Emerging Products bei IBM Microelectronics. „Die heutige Ankündigung markiert einen wichtigen Schritt, der die MRAM-Technologie vom reinen Forschungsobjekt zur Entwicklung von Produkten führt. Damit kommen wir der Realisierung von MRAM ein großes Stück näher.“

IBM und Infineon können auf eine mehr als 10jährige erfolgreiche Zusammenarbeit bei der Entwicklung von neuen Chip-Technologien, einschließlich DRAM, Logik und Embedded-DRAM verweisen.

„Infineon und IBM bündeln hier ihre technologischen Fähigkeiten und Ressourcen, um MRAM schnellstmöglich zu einer ausgereiften Technologie zu machen,“ sagte Dr. Wilhelm Beinvogl, Senior Vice President für Technologien und Innovationen bei Speicherprodukten von Infineon Technologies. „Unsere bewährte und erfolgreiche Zusammenarbeit bei der gemeinsamen Entwicklung von fortschrittlichen Speicher- und Logik-Technologien wird so um eine sehr anspruchsvolle und neuartige Technologie erweitert. Für Infineon bietet die MRAM-Technologie gleich große Potentiale auf dem Gebiet für Embedded-Logik- als auch für reine Speicher-Anwendungen.“

MRAM kombiniert die Vorteile der verschiedenen RAM-Technologien - die hohe Geschwindigkeit von SRAMs (Static RAM), die Dichte und die Kostenvorteile von DRAMs (Dynamic RAM) sowie die nichtflüchtige Speicherung von Flash-Speichern.

Die nichtflüchtige Speichertechnik erschließt neue Lösungen in dem wachsenden Gebiet intelligenter Geräte. Heutige Speicher-Technologien wie DRAM und SRAM erfordern eine permanente Stromversorgung, um die gespeicherten Daten zu erhalten. Wenn die Stromversorgung abgeschaltet wird, sind die Daten verloren. Ein Laptop beispielsweise arbeitet mit einer, in seinem Speicher abgelegten Arbeitskopie des Betriebssystems bzw. der Anwendungen. Wird der Laptop eingeschaltet, dann wird diese Arbeitsversion des Betriebssystems von der Festplatte in den DRAM-Speicher kopiert, so dass ein schneller Zugriff gewährleistet ist. Beim Aus- und Wiedereinschalten wiederholt sich dieser Vorgang - mit der entsprechenden Verzögerung. Setzt man jedoch MRAM statt DRAM ein, dann wäre der Laptop, ähnlich wie andere elektronische Geräte (z.B. Fernseher oder Radio), sofort betriebsbereit.

Da MRAMs keine ständige Stromversorgung benötigen, um die Daten zu speichern, haben sie auch eine geringere Leistungsaufnahme als andere RAM-Technologien. Dadurch kann die Batterielebensdauer in Mobiltelefonen, „Handheld“-Geräten, Laptops und anderen batteriebetriebenen Computern deutlich erhöht werden.

An dem Projekt arbeitet ein Team aus etwa 80 Ingenieuren und Wissenschaftlern von IBM und Infineon. Die Entwicklungstätigkeiten werden im IBM Thomas J. Watson Research Centre in Yorktown Heights, New York, und im IBM Almaden Research Centre in San Jose, Kalifornien, sowie im IBM Microelectronics Semiconductor Research & Development Center (SRDC) in East Fishkill, New York, durchgeführt. Weitere Design- und Testaktivitäten sind in der Fertigung von IBM in Burlington, VT, angesiedelt.


Über IBM Microelectronics und IBM Research



IBM Microelectronics hat entscheidenden Anteil daran, dass IBM der weltweit führende Informationstechnologie-Anbieter ist. IBM Microelectronics entwickelt, produziert und vermarktet Halbleitertechnologien, -Produkte, -Gehäuse und Dienstleistungen nach dem neuesten Stand der Technik. Die herausragenden integrierten Lösungen des Unternehmens finden sich in vielen der bekanntesten Elektronik-Marken der Welt. Weitere Informationen über IBM Microelectronics sind im Internet unter http://www.chips.ibm.com verfügbar. IBM Research ist mit mehr als 3000 Wissenschaftlern und Ingenieuren in acht Laboratorien und sechs Ländern die weltweit größte Forschungseinrichtung im Bereich der Informationstechnik. IBM kann auf mehr technologische Innovationen verweisen als jede andere Firma im IT-Bereich. Die Anfangsphase der MRAM-Forschung von IBM wurde im Rahmen einer Kooperation mit der U.S. Defense Advanced Research Agency (DARPA) gefördert. Weitere Informationen sind unter www.research.ibm.com verfügbar.


Über Infineon



Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Ein Teil des entsprechenden Infineon Know-hows wurde u. a. im Rahmen eines vom BMBF geförderten Projektes erworben. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.


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