英飞凌展示可满足客户高要求的性能一流的 IGBT——650V TRENCHSTOP™ 5

2013-6-17 | 市场新闻

2013 年 6 月 19 日,上海讯——英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 电力电子,智能运动,可 再生能源管理展览会上突出展示了 650V TRENCHSTOP™ 5。新一代的薄晶圆 IGBT绝缘栅双极型晶体管——TRENCHSTOP™ 5 自从 2012 年秋季推出以来,已 经获得了巨大的市场关注,它被认为是一种革新的技术。如今已有 400 多家客户收到样品,英飞凌于 2013 年 5 月开始量产,很多客户也将开始试产。

TRENCHSTOP™ 5 实现了 IGBT 产品性能的一大飞跃,与当前市场上主流IGBT的技术相比,其系统效率具有极大的改进。与竞争对手的 IGBT 相比,其系统效率提升了将近1%。除 了效率提升,更高的击穿电压也提高了可靠性,让客户获得竞争优势和实现产品差异化,因此它备受客户的青睐。

高效率和功率密度是 TRENCHSTOP™ 5 成为开关频率范围为 16 kHz 至 30 kHz 光伏逆变器的Boost电路和开关频率范围为 20 kHz 至 70 kHz UPS PFC电路和电池充电电路的首选器件的关键原因。提升的效率可使工作结温更低,确保了更长的使用寿命及高可靠性,实现了更高的功率密度设计。后者可以让客户重新考虑设计采用更小的封装,例如用TO-220来替代 TO-247。

另外,设计者在对噪音极其敏感的系统(如音频放大器)的设计中,首次采用 TRENCHSTOP™ 5 便发挥出它的巨大价值。由于 TRENCHSTOP™ 5 具有极强的耐用性和软开关特性,在 宽电压输入时设计师可以获得极稳定的放大器级母线电压,可满足最佳的音频品质和低系统重量要求。

TRENCHSTOP™ 5 具有出众的效率,与英飞凌的 HighSpeed (H3) 系列相比,关断损耗降低60%,与开通损耗密切相关的饱和压降也具有正温度系数。与 H3 相比,其 栅极充电小 2.5 倍,更易于驱动,因此可使用较小的驱动器以降低成本。此外,TRENCHSTOP™ 5 采用的快速二极管,其正向导通压降受温度影响小,其反向恢复时间少于 50ns。低 输出电容提供了出色的轻载效率,极其适合于以最大额定功率 40% 以下的运行为主的应用设计。

供货和其他信息
目前可供应 8A 至 50A,采用 TO-220、TO-220FP 和 TO-247 封装的样品。欲了解更多关于 650V TRENCHSTOPTM 5 的信息,请 访问 www.infineon.com/trenchstop5。英飞凌的 TRENCHSTOP™ 5 将于 2013 年 6月 18至 20 日于上海PCIM Asia 2013展览会中在 4号馆 610 号展位展示。欲了解更多关于此次展会中的英飞凌展品信息,请访问 https://www.infineon.com/cms/cn/corporate/promopages/events/PCIM_ASIA_2013.html

About Infineon

英飞凌科技股份公司(总部位于德国纽必堡)致力于提供半导体和系统解决方案,为现代社会解决三大重要挑战 :高能效、移动性 安全性 。2012 财年(截止 9 月30 日),公司报告的销售额为 39 亿欧元,在全球拥有约 26,700 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。

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