飞兆半导体与英飞凌科技签署创新的汽车级MOSFET H-PSOF TO-Leadless封装工艺许可协议;协议确保设计人员可获得可靠的创新封装技术供应渠道

2012-2-7 | 技术媒体

2012年4月3日,德国纽必堡与加州圣何塞——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)今 日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)——的许可协议。

这种封装适用于大电流汽车应用,包括混合动力汽车的电池管理、电动助力转向系统(EPS)、主动式发电机和其他重载电气系统。TO-Leadless封装是首个实现300安培电流能力的封装。这 种封装相对于现有的D2PAK,PCB板面积和高度分别降低20%和50%,从而大幅节省空间。

开发全新的启停系统、电动助力转向系统、电池管理和主动式发电机,以满足更苛刻的能效和排放要求的汽车电子公司,正在寻求各种创新解决方案,但他们还必须最大程度规避仅从一家供应商采购器件的风险。为 确保可靠的器件供应,飞兆半导体与英飞凌签署该许可协议,旨在将领先业界的TO-Leadless MOSFET封装解决方案应用于汽车行业,同时最大程度降低从一家供应商采购器件的风险。

飞兆半导体公司计划将TO-Leadless功率器件封装工艺应用于其最新的MOSFET技术。采用TO-Leadless封装的首批MOSFET样品,预计将于2012年下半年开始提供,批 量生产有望于2013年中期开始。

飞兆半导体汽车业务部副总裁Marion Limmer指出:“凭借多年来在汽车行业积累的丰富经验,飞兆半导体在满足当前各大汽车厂商的功率半导体需求方面,遥遥领先。通 过采用这种TO-Leadless功率器件封装工艺,飞兆半导体帮助设计人员充分利用最新的低阻MOSFET技术,从而进一步提高我们在汽车市场的份额。”

英飞凌科技股份公司汽车电子业务部总裁Jochen Hanebeck表示:“拥有这个协议,汽车行业将受益于从其他可靠供应商订购空间、能效及性能方面具备优势的大电流功率器件。作 为汽车功率应用技术的领导者,英飞凌利用其技术专长为汽车系统供应商提供可提高能效和性能的MOSFET,同时还可最大程度降低从一家供应商采购的风险。”

飞兆半导体与世界领先的汽车制造商和系统供应商合作,开发出广泛支持汽车应用的半导体解决方案,包括优化现代汽车的电源管理架构、降低燃耗和环境污染等等。

有关H-PSOF TO-Leadless封装的JEDEC标准的更多信息请登录 http://www.jedec.org/,搜索“MO-299A.pdf”。

关于飞兆半导体
飞兆半导体(NYSE: FCS)不仅业务遍及全球,而且在世界各地提供本地化支持,并提出许多奇思妙想。飞兆半导体针对功率设计和移动设计,推 出易用的增值高能效半导体解决方案。我们立足于在功率产品和信号通道产品方面积累的丰富经验,为客户提供帮助,使其产品在竞争中脱颖而出,同时使其能够有效应对巨大的技术挑战。请 登录www.fairchildsemi.com网站,与我们联系。

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About Infineon

总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司,为现代社会挑战性的三大科技领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。2011财年(截止到9月30日),公司实现销售额40亿欧元,在 全球拥有约26,000名雇员。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场(OTCQX)International Premier(股票代号:IFNNY)挂牌上市。

更多信息请访问 www.infineon.com

本新闻稿还可从 www.infineon.com/press/找到。

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INFPMM201202.023

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  • Infineon and Fairchild Expand Compatibility Partnership for Power MOSFETs (encompass PowerStage 5x6)
    Infineon and Fairchild Expand Compatibility Partnership for Power MOSFETs (encompass PowerStage 5x6)
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