英飞凌利用650V TRENCHSTOP™ 5重新定义出类拔萃的IGBT性能;开关损耗降低60%以上

2012-11-12 | 技术媒体

2012年11月12日,德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY))发布了采用TRENCHSTOP™ 5技术的新一代薄晶圆IGBT(绝缘栅双极晶体管)。 与当前领先的解决方案相比,该产品大大降低了导通和开关损耗。凭借这一重大突破,英飞凌在IGBT性能方面设定了新基准,并继续在要求持续提升效率的市场占据领先位置。

由于击穿电压增加到650V,该全新技术为设计带来了更高的安全裕度。目标拓扑为光伏逆变器、不间断电源(UPS)和逆变焊机等应用中常见的升压PFC(AC/DC)级和高压DC/DC拓扑。

TRENCHSTOP™ 5为两个产品系列奠定了基础。HighSpeed 5(H5)是易用型软开关高速IGBT,用于即插即用取代现有的IGBT,因为其可轻松融入产品设计之中。H ighSpeed 5 FAST(F5)是迄今为止最高效的IGBT,譬如,采用“H4 bridge”拓扑的光伏逆变器的系统效率达到了98%以上。

“TRENCHSTOP™ 5在IGBT性能方面带来了飞跃,以更高的系统效率和更高的击穿电压,提升了可靠性。这会导致整个平台的系统成本降低。对 于那些要求在一个解决方案中具备所有这些特性的客户而言,TRENCHSTOP™ 5是唯一选择。”英飞凌公司IGBT功率分立式器件营销主管Roland Stele表示。

全新的TRENCHSTOP™ 5技术为众多目标应用带来了巨大益处。与当今最好的来自英飞凌的HighSpeed(H3)相比,传导损耗降低了超过10%,总开关损耗降低了超过60%。效 率的大幅度提升使得可实现更低的工作结温,确保更高的寿命周期可靠性,或实现更高功率密度的设计。譬如,应用测试已经证明采用TO-220封装的TRENCHSTOP™ 5比采用TO-247封装的H3的外壳温度低15%。

其他重大改进包括饱和电压(Vce(sat))正温度系数和关断开关损耗(Eoff),确保性能在高温操作期间不降低,并可直接进行并联。与H3相比降低60%的栅电荷(Qg)使 得IGBT能以更低成本进行更轻松驱动。此外,TRENCHSTOP™ 5具有快速恢复续流二极管的温度稳定正向压降(VF),且反向恢复时间(Trr)不到50ns。低输出电容(Coss和Eoss)带 来了杰出的轻载效率,是工作范围主要在最大额定值40%以下的设计的理想之选。

供货情况 H5和F5产品样品将于11月中旬供货。
更多信息,敬请访问: www.infineon.com/trenchstop5

About Infineon

总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。2011财年(截止到9月30日),公司实现销售额40亿欧元,在 全球拥有约26,000名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场( OTCQX)International Premier(股票代号:IFNNY)挂牌上市。

更多信息请访问 www.infineon.com

本新闻稿还可在 www.infineon.com/press/上找到。

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INFIPC201211.014

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  • Infineon Redefines Best-in-Class IGBT Performance With 650V TRENCHSTOP™ 5; Switching Losses Reduced by More Than 60 percent
    Infineon Redefines Best-in-Class IGBT Performance With 650V TRENCHSTOP™ 5; Switching Losses Reduced by More Than 60 percent
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