英飞凌推出性能领先业界的200V和250V OptiMOSTM系列器件,壮大功率MOSFET 产品阵容

2010-1-13 | 技术媒体

2010年1月13日,德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣布推出200V和250V OptiMOS TM系列器件,进一步扩大OptiMOS TM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数(FOM),OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。

对于应用二极管整流的48V开关电源而言,工程师们现在有了全新的选择,从而使得整体效率大于95%。这比当前典型的效率水平高出两个百分点,从功率损耗的角度看,也就是发热量降低了30%,这 满足了电信市场对更高能源效率的需求。在此类市场,企业客户力求通过 “绿色”技术装备基础设施,获得经济和市场定位优势。

“英飞凌OptiMOS技术始终能在电源系统设计的最重要参数方面树立业界新标杆,包括领先的通态电阻和优质化系数,从而大大降低功耗,提高整体效率。” 英飞凌副总裁兼工业与多元化电子市场部总经理Andreas Urschitz指出,“我们致力于不断改进生产工艺和产品封装,使我们能将产品系列向更高电压范围扩展,并且符合我们迎接当今社会能效挑战的战略。”

相对于其他同类产品,OptiMOS 200V和250V系列器件的通态电阻RDS(on)降低了50%,使大电流应用能够实现最低的导通损耗。另外,业界最低的栅极电荷Qg (比同类产品低35%) 有助于实现最低开关损耗和高速开关。实际应用比如通信电源的DC/DC变换。此外,该OptiMOS 200/250V 可以减少并联器件的数目,从而降低系统成本。同时,由于具备较低的通态电阻,可 确保使用较小尺寸的散热器;而优化的开关特性,可确保实现简化的快速设计流程。

OptiMOS 200V和250V系列具备出类拔萃的特性,可使以往需要较大D2PAK封装(9mmx10mmx4.5mm)的应用转换到使用纤薄的SuperSO8封装(5mmx6mmx1mm) 上来。因此,功率半导体器件占板空间可以降低90%以上。也就是说,系统的功率密度得以大幅度提高。此外,采用SuperSO8等无引脚封装,还可实现理想的开关特性,更高的效率以及 EMI水平。

上市时间和定价

OptiMOS 200V和250V系列器件现已上市,包括通态电阻(25度下最大值)分别为10.7mΩ、20 mΩ、32 mΩ和60 mΩ的TO-220、TO-262、D 2PAK和SuperSO8等封装形式。对于订货量为1万片的小批量订货,200V器件和250V器件的起价分别为1.2美元和1.4美元。

About Infineon

总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、连通性和安全性提供半导体和系统解决方案。2009财年(截止到9月份),公司实现销售额30.3亿欧元,在 全球拥有约25,650名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场( OTCQX)International Premier(股票代号:IFNNY)挂牌上市。

更多信息请访问 www.infineon.com
本新闻稿还可从 www.infineon.com/press/找到。


Information Number

INFIMM201001.021

Press Photos