英飞凌推出具全球最低通态电阻、采用SSO8无铅封装的全新OptiMOS 3系列,可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%

2008-5-27 | 技术媒体

2008年5月23日,德国Neubiberg和中国深圳讯——英飞凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)今日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308 (Shrink SuperSO8)封装的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO(晶体管外形)封装相比, 可使功率密度增大50%,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说,这种采用SuperSO8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D²-Pak封装相同的通态电阻。

“该无铅结构封装具备较低的封装寄生电阻和电感,最大程度降低了对整个器件性能的影响,便于充分利用OptiMOS 3硅技术功能。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出。

全新OptiMOS 3系列可提供出类拔萃的通态电阻,OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封装具备最低1.8 m的通态电阻,OptiMOS 3 60V采用SuperSO8封装具备最低2.8 m的通态电阻,OptiMOS 3 80V采用SuperSO8封装具备最低4.7 m的通态电阻,与最接近的竞争性产品相比,通态电阻降幅高达50%,为 业界树立了新标杆。这些器件的FOM(品质系数,以通态电阻乘以栅极电荷得出)与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%,能够更快速实现开关,同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗,提高功率密度,降 低驱动器散热量。SuperSO8封装寄生电感不到0.5nH,比TO-220封装的5-10nH电感低很多,这进一步提升了器件整体效率,最大程度上减少在开关条件下的振荡现象。S uperSO8封装高度为1mm,Rth-jt (结至顶端的热阻)低于16°K/W,适用于嵌入式系统顶部冷却解决方案或立式安装在3D集成系统里的PCB模块。

“作为全球功率半导体领域的技术领袖,英飞凌引领超小封装潮流,使通态电阻降低高达50%。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出,“ 我们利用在功率半导体制造和封装方面的领先技术,使功率半导体具备一流的效率和开关特性、更高的功率密度以及出色的性价比,从而大大降低系统成本。”


OptiMOS 3 40V、60V、80V:应用与产品详情
OptiMOS 3 40V、60V和80V产品适用于需要高效率和功率密度的功率转换和管理应用,包括众多产品的SMPS(开关模式电源)、DC/DC转换器和直流电机驱动器等。这 些产品包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备和电动工具、电动剪草机和风扇等消费类电子设备。

采用SuperSO8封装的OptiMOS 3可满足多种应用中的快速开关SMPS和DC/DC转换器的需求,譬如AC/DC SMPS中的同步整流器、隔 离式DC/DC转换器的主侧开关和次侧开关和非隔离(降压)工业转换器,对于这些应用而言,空间、功率密度和最大效率都是关键要素。该系列具备至PCB的1°K/W热阻、顶 部和双侧冷却功能以及100A持续电流额定值,新的OptiMOS 3 MOSFET系列为40V至80V低电阻MOSFET树立了新标杆。该 系列还包括业界首款采用S3O8封装的60V和80V击穿电压MOSFET,其占位空间与标准SO8或SuperSO8器件相比减少60%。

60V和80V SuperSO8器件与采用TO封装的解决方案相比可使服务器SMPS的效率提高0.5%,或与标准解决方案相比,在通态电阻额定值提高20%的条件下,可获得相同的效率。

供货与定价
全新OptiMOS 3 40V、60V与80V功率MOSFET系列采用SuperSO8和S3O8封装,具有不同的通态电阻额定值。OptiMOS 3 60V系列现已开始批量生产,40V 和 80V器件目前只提供样品。

在订购量达到万件时,采用SuperSO8封装且通态电阻为2.8 m的OptiMOS 3 60V单价不超过0.99美元(0.64欧元),采用SuperSO8封装且通态电阻为4.7 m的OptiMOS 3 80V单价约为1.1美元(0.70欧元)。在同样订购量下,采用S308封装的6.7 m OptiMOS 3 60V的单价为0.6美元(0.38欧元),而采用封装的12.3 m Opti-MOS 3 80V的单价为0.66美元(0.42欧元)。

英飞凌将在中国深圳举办的中国国际电源展览会(2008年5月23日至25日)的A101号展台展出采用SuperSO8和S308封装的全新OptiMOS 3功率半导体和其他创新产品。

如欲了解更多信息,敬请登录 www.infineon.com/powermosfetswww.infineon.com/optimos

About Infineon

总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、连通性和安全性提供半导体和系统解决方案。2007财年(截止到9月份),公司实现销售额77亿欧元( 包括奇梦达的销售额36亿欧元),在全球拥有约43,000名雇员(其中奇梦达雇员约13,500人)。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国圣何塞、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英 飞凌公司已列入法兰克福股票交易所的DAX指数,并在纽约股票交易所挂牌上市,股票代号:IFX

Information Number

INFAIM200805.064

Press Photos

  • Infineon's OptiMOS(tm) 3 40V, 60V and 80V N-channel MOSFETs feature the world's lowest on-state resistance in SuperSO8 leadless packages and increases power-density up to 50 percent in industrial, consumer, telecommunications applications.
    Infineon's OptiMOS(tm) 3 40V, 60V and 80V N-channel MOSFETs feature the world's lowest on-state resistance in SuperSO8 leadless packages and increases power-density up to 50 percent in industrial, consumer, telecommunications applications.
    OptiMOS_3_SuperSO8_S308

    JPG | 264 kb | 1417 x 709 px