英飞凌推出全球第一款面向UMTS/HSxPA 和 WLAN应用的硅基低噪放大器

2007年2月12日，德国慕尼黑/西班牙巴塞罗那讯——英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE: IFX）是全球率先推出商用硅基低噪放大器（LNA）的半导体供应商，这 种产品的性价比优于当前使用的砷化镓（GaAs）类产品，并且还有助于手机运营商满足3GPP规范。在巴塞罗那召开的2007年3GSM世界大会上，英飞凌推出最新型低噪放大器——B GA700L16和BGA734L16，这两款产品都采用了英飞凌专有的硅锗碳(SiGe:C)工艺技术，降低了基极电阻，从而实现了最低噪声值。BGA700L16是一款适用于无线局域网（WLAN）的 双频低噪放大器， BGA734L16是适用于UMTS或HSxPA应用的三频低噪放大器。

设计用于无线产品的RF电路所面临的主要挑战就是提高敏感性、网络覆盖率和数据吞吐量，而这些特性主要决定于接收器的噪音系数。以前，由于硅性能的局限性，R F和微波系统的设计必须采用昂贵的砷化镓低噪放大器。在过去的十年间，有许多科学刊物报道过低成本的硅工艺技术在性能上能够与砷化镓媲美。目前，英 飞凌是首家能够采用这种工艺生产性能优于砷化镓产品的商用硅基低噪音放大器的半导体厂商。新的硅锗碳工艺更高效，更易于与其他芯片功能集成。

英飞凌科技股份公司产品营销高级主管Michael Mauer指出，“这种新型低噪放大器的推出再次展示了英飞凌在RF技术领域的领导地位。英飞凌设立了新的行业标准，提高了新一代无线应用产品（ 例如UMTS和HSxPA手机或WLAN产品）的性能和电池的寿命。”

BGA734L16和BGA700L16的技术特性
BGA734L16是一款面向3G应用的高度集成低噪放大器。为了降低设计的复杂性和成本，这种RF器件将适用于800、1,900和2,100MHz频带的三种放大器融合于一个芯片中。B AG734L16的噪音系数极低，在2,100MHz频带中只有1.2dB。该芯片的其他特性还包括温度稳定电路、1kV ESD保护和输出匹配网络（50Ω）。BGA734L16提供了增益控制能力，可 在高干扰环境中改善动态范围和系统性能。此外，增益控制还延长了电池寿命。

BGA700L16是一种适用于无线局域网（802.11a/b/g/n）应用的低噪放大器。该芯片集成了面向2.45 GHz频带的单级放大器和面向4.9－5.95 GHz频带的二级放大器。B GA700L16在5.5 GH频带中的噪音系数只有1.3dB。此外还有内部匹配输入/输出、关机模式和芯片温度稳定的特性。

供货、包装和定价
这种新型低噪放大器目前还处于样品阶段，计划于2007年4月进行批量生产。当订购量达到10,000件时，产品起价为0.80美元（BGA700LA6）和1.20美元（BGA734L16）。两 种器件都采用了TSLP（超薄超小无铅封装）－16封装，尺寸仅有2.3mm x 2.3mm x 0.39mm，这使它们成为低端多媒体手机和高集成WLAN模块的理想选择。